Acoustic plate modes in GaN crystal plates cut perpendicularly to crystallographic Z axis

• Autorzy: Sadura J. , Brzozowski E. , Łysakowska M.

Warianty tytułu

PL

Akustyczne mody płytowe w płytkach z kryształu GaN wyciętych prostopadle do osi krystalograficznej Z

• Języki publikacji: EN PL

Abstrakty

EN

The chosen parameters acoustic plate modes (APMs) in GaN crystal plates were calculated and measured. It was found that the spectrum of APMs consists of two areas. In the first area, just above the surface acoustic wave (SAW) passband, the insertion loss of APMs is much higher than in the SAW passband. In the second area, the insertion loss of APMs is decreased, reaching a minimum value at a frequency about two times higher than the resonance frequency of SAW. Because the energy of the longitudinal component of mechanical displacement in this mode is concentrated near both planes of the GaN plate, it can be used in APM sensors.

PL

Obliczono i zmierzono wybrane parametry akustycznych modów płytowych (AMP) w płytkach z kryształu GaN. Stwierdzono, że spektrum AMP składa się z dwóch obszarów. W pierwszym obszarze, tuż powyżej pasma akustycznej fali powierzchniowej (AFP) tłumienność wtrąceniowa jest dużo wyższa w porównaniu do tłumienności w paśmie AFP. W drugim obszarze tłumienność wtrąceniowa AMP maleje osiągając wartość minimalną przy częstotliwości około dwa razy większej niż częstotliwość AFP. Ponieważ energia podłużnej składowej przemieszczeń mechanicznych tego modu jest skoncentrowana w pobliżu obydwu powierzchni płytki GaN, może być on wykorzystany w czujnikach z AMP.

Słowa kluczowe

EN

bulk GaN crystal; surface acoustic wave (SAW); bulk acoustic wave (BAW); acoustic plate mode (APM); interdigital transducer (IDT); SAW filter

PL

objętościowy kryształ GaN; akustyczna fala powierzchniowa; AFP; akustyczna fala objętościowa; AFO; akustyczny mod płytowy; AMP; przetwornik międzypalczasty; filtr z AFP

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2015
• Tom: T. 43, nr 3
• Strony: 4--6
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys.

Twórcy

autor

Sadura J.

• Institute of Electronic Materials Technology ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warsaw, Poland

autor

Brzozowski E.

• Institute of Electronic Materials Technology ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warsaw, Poland

autor

Łysakowska M.

• Institute of Electronic Materials Technology ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warsaw, Poland

Bibliografia

• [1] Slobodnik A. J., Szabo T. L., Laker K. R.: Miniature surface acoustic wave filters, Proc. IEEE, 1979, 67, 1, 129 - 146
• [2] Wagers R. S.: Plate mode coupling in acoustic surface wave devices, IEEE Trans. Sonics Ultrason., 1976, SU-23, 2, 113 - 127
• [3] Soluch W. et al.: Determination of mass density, dielectric, elastic and piezoelectric constants of bulk GaN crystal, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control, 2011, 58, 11, 2469 - 2474
• [4] Soluch W. and Lysakowska, M.: Properties of acoustic plate modes in YZ LiNbO3, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control, 2013, 60, 1, 204 - 207