Metody wykrywania centrów defektowych w materiałach półprzewodnikowych

• Autorzy: Piwowarski Karol , Tomczyk Patryk

Identyfikatory

DOI

10.15199/13.2024.12.6

Warianty tytułu

EN

Methods of detecting defect centers in semiconductor mater

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Występujące w materiale półprzewodnikowym centra defektowe i ich właściwości odgrywają znaczącą rolę w kształtowaniu właściwości i parametrów wykonanych z nich urządzeń elektronicznych. W artykule przedstawiono metody wykrywania centrów defektowych w materiałach półprzewodnikowych. Omówiono zasadę ich działania i jakiego rodzaju próbki są badane daną metodą.

EN

The defect centers and their properties in the semiconductor material play a significant role in shaping the properties and parameters of electronic devices made of them. The article presents methods for detecting defect centers in semiconductor materials. The principle of their operation and what types of samples are tested by a given method are discussed.

Słowa kluczowe

PL

centra defektowe; materiały półprzewodnikowe; HRPITS; DLTS

EN

defect centers; semiconductor materials; HRPITS; DLTS

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2024
• Tom: Vol. 65, Nr 12
• Strony: 31--33
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys.

Twórcy

autor

Piwowarski Karol

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki

• https://orcid.org/0000-0001-5922-2706

autor

Tomczyk Patryk

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki

Bibliografia

• [1] Kamiński P., et al., First results on properties and concentrations of radiation defect centres in nitrogen-enriched, high-resistivity silicon, 25th RD50 workshop, CERN, 2014.
• [2] Kaczmarek W., Suproniuk M., Piwowarski K., Perka B., Paziewski P., Application of nonlinear regression in the analysis of relaxation photocurrent waveforms, Metrology and Measurements Systems, 30 (2023), No. 4, 605-616.
• [3] Suproniuk M., Kaminski P., Miczuga M., Pawlowski M., Longeaud C., Kleider J., Inteligentny system diagnostyczny do badania półprzewodników wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS, Przegląd Elektrotechniczny, 86 (2009), 93-98.
• [4] Suproniuk M., Kaminski P., Kozlowski R., Zelazko J., Kwastarz M., Pawlowski M., Modelowanie wpływu koncentracji centrów defektowych na rezystywność monokryształów krzemu, Przegląd Elektrotechniczny, 90 (2014), 226-229.
• [5] Górecki P., Górecki K., The analysis of accuracy of selected methods of measuring the thermal resistance of IGBTs, Metrology and Measurement Systems, 22 (2015), No. 3, 455-464.
• [6] https://rd50.web.cern.ch/1st-workshop/talks/1C-RD50-1-Pawel-Kaminski.pdf.
• [7] Brasil M. J. S. P., Motisuke P., Deep Center Characterization by Photo-induced Transient Spectroscopy, Journal of Applied Physics, 68 (1990), No. 7, 3370-376.