Analysis of the use of transistors based on SiC technology in inverters in the context of electromagnetic compatibility

• Autorzy: Czuchra W. , Woszczyna B. , Mysiński W.

Identyfikatory

DOI

10.4467/2353737XCT.16.027.5289

Warianty tytułu

PL

Analiza zastosowania w układzie falownika tranzystorów wykonanych w technologii SiC w aspekcie kompatybilności elektromagnetycznej

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Currently, manufacturers of power-electronic components are trying to introduce the silicon carbide (SiC) technology in their products and MOSFET transistors made with this technology are available on the market. They are characterised by a significantly higher operating frequency, reaching even 100 kHz and low switching losses. The application of this type of devices causes high voltage gradients at the inverter output, which can lead to increased inverter electromagnetic disturbances. This article presents test results and a high-frequency analysis, allowing for a preliminary evaluation of the use of SiC transistors in inverters in the context of electromagnetic compatibility.

PL

Obecnie producenci elementów energoelektronicznych starają się wprowadzić w swoich produktach technologię węglika krzemu (SiC) i dostępne są w handlu tranzystory MOSFET wykonane w tej technologii. Cechują się one znacznie wyższą częstotliwością pracy, sięgającą nawet 100 kHz oraz niskimi stratami przełączenia. Zastosowanie tego typu elementów powoduje występowanie dużych stromości sygnału napięciowego na wyjściu falownika, co może prowadzić do zwiększenia zaburzeń elektromagnetycznych falownika. W artykule zamieszczono wyniki badań i analiz wysokoczęstotliwościowych umożliwiające wstępną ocenę w zakresie EMC zastosowania w układzie falownika tranzystorów wykonanych w technologii węglika krzemu.

Słowa kluczowe

EN

power electronics; transistors SiC; electromagnetic compatibility

PL

energoelektronika; tranzystory SiC; kompatybilność elektromagnetyczna

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Krakowskiej im. Tadeusza Kościuszki
• Czasopismo: Czasopismo Techniczne. Elektrotechnika
• Rocznik: 2016
• Tom: Y. 113, iss. 1-E
• Strony: 33--43
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Czuchra W.

• Department of Traction and Traffic Control, Faculty of Electrical and Computer Engineering, Cracow University of Technology

autor

Woszczyna B.

• Department of Traction and Traffic Control, Faculty of Electrical and Computer Engineering, Cracow University of Technology

autor

Mysiński W.

• Institute of Electrical Engineering and Computer Science, Faculty of Electrical and Computer Engineering, Cracow University of Technology

Bibliografia

• [1] Kempski A., Elektromagnetyczne zaburzenia przewodzone w układach napędów przekształtnikowych, Oficyna Wydawnicza Uniwersytetu Zielonogórskiego, Zielona Góra 2005.
• [2] Sak T., Parchomiuk M., Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE, „Wiadomości Elektrotechniczne”, 2013, nr 8, 38–41.
• [3] Michalski A., Zymmer K., Badania właściwości przyrządów energoelektronicznych z węglika krzemu (SiC) w warunkach komutacji prądu z wysoką częstotliwością, „Prace Instytutu Elektrotechniki”, z. 243, 2009.
• [4] Standard PN-EN 61800-3:2008, Adjustable speed electrical power drive systems – Part 3: EMC requirements and specific test methods.
• [5] Data sheet: ROHM SCT2160KEC.