Badanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką

• Autorzy: Górecki P. , Górecki K. , Zarębski J.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2017.07.19

Warianty tytułu

EN

Investigations of properties of selected IGBTs models

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przeanalizowano właściwości wybranych literaturowych modeli tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką. Przedstawiono postać modelu tego elementu wbudowanego w programie SPICE oraz modelu zaproponowanego na stronie internetowej firmy International Rectifier. Za pomocą rozważanych modeli wyznaczono charakterystyki wybranego typu tranzystora IGBT pracującego przy różnych wartościach temperatury, a uzyskane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów badanych tranzystorów wykonanymi przez Autorów. W oparciu o uzyskane wyniki badań, przedyskutowano zakres przydatności obu rozważanych modeli.

EN

On the paper proprieties of selected literature models of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) are analysed. The forms of the model of this element built-in in the SPICE software and the model proposed on web-side of International Rectifier are presented. By means of the considered models some characteristics of the selected type of the IGBT operating at different values of the temperature are calculated. Obtained results of calculations are compared with results of measurements of the investigated devices performed by the Authors. Basing on obtained results of investigations, the range of the usefulness of both the considered models are discussed.

Słowa kluczowe

PL

IGBT; SPICE; modelowanie; półprzewodnikowe przyrządy mocy

EN

IGBT; SPICE; modeling; power semiconductor devices

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2017
• Tom: R. 93, nr 7
• Strony: 81--85
• Opis fizyczny: Bibiogr. 14 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Górecki P.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 83, 81-225 Gdynia

autor

Górecki K.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 83, 81-225 Gdynia

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 83, 81-225 Gdynia

Bibliografia

• [1] Rashid M.H., Power Electronic Handbook. Academic Press, Elsevier, 2007.
• [2] Kazimierczuk M.K., Pulse-width Modulated DC-DC Power Converters. John Wiley &Sons, Ltd, 2008
• [3] Zarębski J., Tranzystory MOS mocy, Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia 2007
• [4] Górecki K., Zarębski J., Influence of MOSFET Model Form on Characteristics of the Boost Converter. Informacije MIDEM, Vol. 41, No. 1, 2011, pp. 1-7.
• [5] Maksimovic D., Stankovic A.M., Thottuvelil V.J., Verghese G.C., Modeling and simulation of power electronic converters, Proceedings of the IEEE, Vol. 89, No. 6, 2001, pp. 898-912.
• [6] Mohan N., Robbins W.P., Undeland T.M., Nilssen R., Mo O., Simulation of Power Electronic and Motion Control Systems – An Overview, Proceedings of the IEEE, Vol. 82, 1994, pp. 1287-1302.
• [7] Singh J., Semiconductor Devices. Basic Principles. John Wiley & Sons, 2001.
• [8] Napieralski A., Napieralska M.: Polowe półprzewodnikowe przyrządy dużej mocy. Wydaw. Naukowo-Techniczne, Warszawa, 1995.
• [9] PSpice A/D Reference Guide. Product Version 15.7, 2006
• [10] A.R.Hefner, Jr., An Investigation of the Drive Circuit Requirements for the Power Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 6, No. 2, April 1991, pp. 208-219.
• [11] Spice Models and Saber Models. Web-site of International Rectifier, http://www.irf.com/product-info/models/saber/.
• [12] Shichman H., Hodges D. A., Modeling and simulation of insulated-gate field-effect transistor switching circuits, IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. SC-3, 1968, pp. 285-289.
• [13] K. Górecki, P. Górecki, Modelling the Influence of Self-heating on Characteristics of IGBTs, Proceedings of the 21st International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2014, 2014, 298-302.
• [14] K. Górecki, P. Górecki, Modelling the Influence of Self-heating on Characteristics of IGBTs in the Sub-threshold Region, International Journal of Microelectronics and Computer Science, Vol. 5, No. 4, 2014, pp. 149-154.

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).