PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Structural and optical properties of nanostructured bismuth oxide

Autorzy
Treść / Zawartość
Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Thin films of bismuth oxide have been prepared utilizing vacuum evaporation. XRD anyalysis reveal that all the films were tetragonal polycrystalline structure with a preferred orientation along (002) plane. SEM images indicate that the grain size fall in the category of nanosize. AFM results assure that the nanonstructure behavior of thin films. Optical studies show that these films have a direct transition with optical energy gap equal to 2.5 eV.
Rocznik
Tom
Strony
64--72
Opis fizyczny
Bibliogr. 21 poz., rys., tab.
Twórcy
autor
  • College of Science, Al-Mustanisriyah University, Baghdad, Iraq
Bibliografia
  • [1] E. Öztürk, N. O. Kalaycioglu, S. Dayan, H. Ozlu, Bull. Mater. Sci. 36 (2013) 491-494.
  • [2] S. W. Kang, S. W. Rhee, Thin Solid Films 468 (2004) 79-83.
  • [3] C. M. Bedoya, M. J. Pinzón, J. E. Alfonso, E. R. Parra, J. J. Olaya, Dyna 79 (2012) 139-148.
  • [4] J. In, I. Yoon, K. Seo, J. Park, J. Choo, Y. Lee, B. Kim, Chem. Eur. J. 17 (2011) 1304-1309.
  • [5] S. Condurache-Bota, G. I. Rusu, N. Ţigău, R. Draşovean, C. Gheorghieş, Rev. Roum. Chim. 54 (2009) 205-211.
  • [6] H. T. Fan, S. S. Pan, X. M. Teng, C. Ye, G. H. Li, L. D. Zhang, Thin Solid Films 513 (2006) 142-147.
  • [7] S. Park, S. An, H. Ko, C. Jin, and C. Lee, Bull. Korean Chem. Soc. 33 (2012) 3368-3372.
  • [8] L. Leontie, M. Caraman, M. Alexe, C. Harnagea, Surf Sci 507-510 (2002) 480-485.
  • [9] A. J. Salazar-Pérez, M. A. Camacho-López, R. A. Morales-Luckie, V. Sánchez-Mendieta, F. Ureña-Núñez, J. Arenas-Alatorre, Superficies y Vacío 18 (2005) 4-8.
  • [10] T. P. Gujar, V. R. Shinde, C. D. Lokhande, R. S. Mane, S. -H. Han, Appl Surf Sci 250 (2005) 161-167.
  • [11] V. V. Killedar, C. H. Bhosale, C. D. Lokhande, Tr. J. Phys 22 (1998) 825-830.
  • [12] M. Gotić, S. Popović, S. Musić, Mater Lett 61 (2007) 709-714.
  • [13] P. Lunca Popa, S. Sønderby, S. Kerdsongpanya, J. Lu, N. Bonanos, P. Eklund, J. Appl. Phys. 113 (2013) 046101.
  • [14] S. Patil, V. Puri , Arch. Appl. Sci. Res. 3 (2011) 14-24.
  • [15] J. Morasch, S. Li, J. Brötz, W. Jaegermann, A. Klein, Phys. Status Solidi A211 (2014) 93-100.
  • [16] Gopinath P., Chandiramouli R., Res. J. Pharm. Biol. Chem. Sci. 4 (2013) 8-14.
  • [17] M. Dahshan," Introduction to Material Science and Engineering", 2nd Ed, (2002).
  • [18] B. Thangaraju, P. Kalianna, Cryst. Res. Techno 35 (2000).
  • [19] S. M .Sze, " Physics of Semiconductor Device", 3rd Ed, John Wiley (2007).
  • [20] Hashim A. R. Zalzala, Basheer Y. Muhson, Muhnad A. Ahmed, Journal of Al-Nahrain University 15 ( 2012) 80-82.
  • [21] R. A. Ismail, Journal of Semiconductor Technology And Science 6 (2006) 119-123.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-2cb63146-064e-4fd9-b885-27f7ce388a2c
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.