Ocena dokładności firmowego makromodelu tranzystora SiC-JFET

• Autorzy: Bargieł K. , Bisewski D.

Identyfikatory

DOI

10.21008/j.1897-0737.2018.95.0007

Warianty tytułu

EN

Evaluation of accuracy of SiC-JFET macromodel

• Konferencja: Computer Applications in Electrical Engineering (23-24.04.2018 ; Poznań, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej makromodelu tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu o symbolu UJN1208K firmy United Silicon Carbide. Postać makromodelu jest dedykowana dla programu PSPICE i została udostępniona na stronie internetowej producenta. Oceniono dokładność makromodelu poprzez porównanie wybranych obliczonych i katalogowych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) rozważanego tranzystora. Przeanalizowano wpływ temperatury otoczenia na wymienione charakterystyki tranzystora.

EN

In the paper, the results of experimental verification of the macromodel of UJN1208K JFET transistor made of silicon carbide fabricated by United Silicon Carbide, are presented. The macromodel form dedicated for PSPICE program is available on the manufacturer's website. The accuracy of the macromodel have been evaluated by comparison of selected calculated and measured static characteristics and C-V characteristics of the considered transistor. The influence of ambient temperature on the characteristics of the transistor has been evaluated, as well.

Słowa kluczowe

PL

JFET; makromodel; węglik krzemu

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
• Czasopismo: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
• Rocznik: 2018
• Tom: No. 95
• Strony: 67--76
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys.

Twórcy

autor

Bargieł K.

• Akademia Morska w Gdyni

autor

Bisewski D.

• Akademia Morska w Gdyni

Bibliografia

• [1] Gong X., Ferreira A., Modeling and Reduction of Conducted EMI in SiC JFET Motor Drivers with Insulated Metal Substrate, IEEE Energy Conversion Cong. And Exposition, 2008, pp. 629-636.
• [2] Pan S., Li L., Chen Z., Research of Solar Based on Silicon Carbide JFET Power Devices, Energy Procedica, vol.16, 2012, pp. 1986-1993.
• [3] PSPICE A/D Reference Guide Version 10.0, Cadence Design Systems Inc., June 2003.
• [4] Zarębski J., Bisewski D., Modele i makromodele tranzystorów MOS mocy dla programu SPICE, Elektronika – konstrukcje, technologie, zastosowania, Sigma-Not, Nr 6, 2009, s. 96-100.
• [5] http://unitedsic.com/wp-content/uploads/2016/02/UJN1208K.txt.
• [6] http://unitedsic.com/wp-content/uploads/2017/01/DS_UJN1208K.pdf.
• [7] Zarębski J., Bisewski D., Modelowanie pojemności tranzystora GaAs oraz SiC MESFET w programie PSPICE, Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, Nr 59, 2008, s. 39-49.

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).