Fotodioda RGB w niskiej temperaturze

• Autorzy: Pająkowski J.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-033

Warianty tytułu

EN

RGB photodiode at low temperature

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań zachowania scalonej fotodiody krzemowej RGB (ang. R – red, G – green, B – blue) w zakresie temperatury od temperatury wrzenia ciekłego azotu do temperatury otoczenia (77K–300K). Przedstawiono charakterystyki zmian prądu fotodiody I_f w funkcji wymuszenia świetlnego dla różnych wartości temperatury, dla każdego kolory fotodiody. Dla dwóch wartości wymuszenia świetlnego przedstawiono charakterystyki przetwarzania: prąd fotodiody I_f w funkcji temperatury.

EN

The paper presents the results of tests of performance of 3-channel/1Chip RGB (R – red, G – green, B – blue) Si photodiode within the range of temperatures from the boiling point of liquid nitrogen to the ambient temperature (77K–300K). There are included characteristics of changes of photodiode current I_f in the function of light input for different temperature values, for each colour of the photodiode. For two values of light input are presented the processing characteristics: the photodiode current I_f in the function of temperature.

Słowa kluczowe

PL

niskie temperatury; fotodioda

EN

low temperatures; photodiode

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 6
• Strony: 12--14
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., wykr.

Twórcy

autor

Pająkowski J.

• Politechnika Poznańska, Katedra Systemów Telekomunikacyjnych i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] Wauters F., i in.: Performance of silicon PIN photodiodes at low temperatures and in high magnetic fields, Nuclear Experiment, Elsevier, 2008.
• [2] Pająkowski J.: Zmiany wybranych parametrów wzmacniaczy operacyjnych w niskich temperaturach. Poznańskie Warsztaty Telekomunikacyjne 2004, pp. 210-212.
• [3] Swenson J.A., Baker K.D.: CMOS operational amplifier performance at cryogenic temperatures. Cryogenics (1993) vol. 33, No 2, pp. 215-221.
• [4] Pająkowski J.: Pomiar wzmocnienia napięciowego scalonych wzmacniaczy operacyjnych CMOS w zakresie temperatur od 4,2 do 300K. PAK vol. 54, 6/2008, pp. 371-373.
• [5] Akimoto H., Marchenkov A., Jochemsen R., Frossati G. Forward current – voltage characteristics of light-emitting diodes at low temperatures, Cryogenics (1998) vol. 38 451–452.
• [6] Pająkowski J.: Behavior of light emitting diodes at low temperature. Elektronika, vol. 52, 6/2011. pp. 49–51.
• [7] Pająkowski J.: Otwarty kriostat azotowy, Elektronika vol. 45, 5/2004, pp. 33-34.
• [8] Pająkowski J.: Wpływ niskiej temperatury na pracę czujnika optoelektronicznego OPT 101, Pomiary Automatyka Kontrola vol. 57, 12/2011, pp. 1537-1539.
• [9] Pająkowski J.: Zachowanie fotodiody w niskiej temperaturze. Elektronika, vol. 53, 6/2012, pp. 30–32.
• [10] KPS-5130PD7C.pdf datasheet – KIN GBRI GHT ELECTRONIC CO . LTD. New Taipei City 235, Taiwan (R.O.C.), MAY/14/2008.
• [11] EWJ85EAC.pdf datasheet – Honglitronic.