Struktury kwantowe ZnMgO/ZnO/ZnMgO wykonywane metodą MBE

• Autorzy: Kozanecki A. , Sajkowski J. , Stachowicz M. , Przeździecka E. , Syperek M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-120

Warianty tytułu

EN

Quantum structures of ZnMgO/ZnO/ZnMgO grown by MBE

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (13 ; 05-09.06.2014 ; Darłówko Wschodnie ; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Tlenek cynku i struktury kwantowe ZnMgO/ZnO/ZnMgO uważane są za bardzo obiecujące materiały do zastosowań optoelektronicznych, ze względu na wartość przerwy energetycznej Eg > 3,3 eV i energię wiązania ekscytonu >60 meV. W tej pracy przedstawione zostaną wyniki naszych badań pojedyńczych studni (QW) i wielostudni kwantowych ZnMgO/ZnO/ZnMgO, otrzymywanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych na różnych podłożach takich jak szafir. Zaprezentowane zostaną właściwości optyczne układów podwójnych studni kwantowych otrzymanych na podłożach szafirowych. Przedyskutowane zostaną mechanizmy oddziaływania między studniami, w szczególności zostanie pokazany wpływ sprzężenia między studniami na emisję ekscytonową.

EN

Zinc oxide is considered as a very attractive semiconductor for applications in optoelectronics, because of its wide band gap, Eg, of 3.3 eV and large exciton binding energy of 60 meV. ZnMgO alloy has been considered as a suitable material for the barrier layers in ZnMgO/ZnO/ZnMgO superlattice structures, because alloying of ZnO with MgO (Eg~7.7 eV) enables widening of the bandgap of ZnO up to at least 4.5 eV without loss of crystalline quality. In ZnMgO/ZnO/ZnMgO quantum wells the binding energy of excitons increases up to 100 meV which promises obtaining of efficient electroluminescence in devices operating on excitonic transitions at room temperature. In this presentation the results of our studies of single and multiple quantum well structures of ZnMgO/ZnO/ZnMgO grown by MBE on different sapphire will be presented. Optical properties of asymmetric coupled quantum wells grown on crystalline ZnO and on sapphire will be discussed. In particular, the influence of interwell coupling on the excitonic emission will be shown.

Słowa kluczowe

PL

ZnO; ZnMgO; studnie kwantowe; fotoluminescencja; ekscytony

EN

ZnO; ZnMgO; quantum wells; photoluminescence; excitons

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 9
• Strony: 13--15
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kozanecki A.

• Instytut Fizyki PAN, Warszawa

autor

Sajkowski J.

• Instytut Fizyki PAN, Warszawa

autor

Stachowicz M.

• Instytut Fizyki PAN, Warszawa

autor

Przeździecka E.

• Instytut Fizyki PAN, Warszawa

autor

Syperek M.

• Politechnika Wrocławska, Instytut Fizyki

Bibliografia

• [1] X.-L. Guo, J.-H. Choi, H. Tabata, and T. Kawai, „Fabrication and Optoelectronic Properties of a Transparent ZnO Homostructural Light-Emitting Diode”, Jpn. J. Appl. Phys., 40 Part 2, L177, (2001).
• [2] E. Przezdziecka, A. Wierzbicka, A. Reszka, K. Goscinski, A. Droba, R. Jakiela, D. Dobosz, T. A. Krajewski, K. Kopalko, J. M. Sajkowski, M. Stachowicz, M. A. Pietrzyk, A. Kozanecki, „Characteristics of ZnO:As/GaN heterojunction diodes obtained by PA-MBE”, J. Phys. D. 46, 035101 (2013).
• [3] M. Razeghi, „Short-wavelength solar-blind detectors-status, prospects, and markets”, Proc. IEEE 90 p. 1006–1014, 2002.
• [4] W. Yang, R. V. Vispute, S. Choopun, R. T. Sharma, T. Venkatesan, and H. Sehen, „Ultraviolet photoconductive detector based on epitaxial Mg0.34Zn0.66O thin films”, Appl. Phys. Lett. 78, 2787 (2001).
• [5] H. D. Sun, T. Makino, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, H. Koinuma, „Enhancement of exciton binding energies in ZnO/ZnMgO multiquantum wells”, J. Appl. Phys. 91, 1993 (2002).
• [6] J. Bellessa, V. Voliotis, R. Grousson, X. L. Wang, H. Matsuhata, „Quantum- size effects on radiative lifetimes and relaxation of excitons in semiconductor nanostructures”, Phys. Rev. B 58, 9933 (1998).

Uwagi

PL

Badania zostały częściowo sfinansowane przez Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego w ramach grantu POIG.01.01.02-00-008/08.