Montaż struktur AlGaN/GaN na Si do podłoży DBC w oparciu o technologię SLID oraz zgrzewania dyfuzyjnego mikroproszkiem Ag

• Autorzy: Kisiel Ryszard , Sochacki Mariusz , Taube Andrzej , Guziewicz Marek

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2019.11.02

Warianty tytułu

EN

Assembly of AlGaN/GaN structures on Si to BDC substrates by using SLID technology or diffusion sintering with Ag micropowder

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Wykonano i zbadano układy połączeń chipów tranzystora HEMT AlGaN/GaN/(111)Si, metalizowanych warstwami montażowymi Cu, Ag lub Au, z podłożami DBC wykorzystując technologię SLID oraz technologię zgrzewania mikroproszkiem Ag. Siły adhezji połączeń chipów, w których zastosowano pośrednią galwaniczną warstwę (1 m)Sn, dobraną siłę nacisku, temperaturę 280oC i czas 30 min. dla procesu spiekania, są powyżej 22 MPa. Połączenie chipu ze spodnią metalizacją Ag zgrzewane z DBC poprzez mikroproszek Ag cechuje siła adhezji powyżej 22 MPa.

The connection systems of AlGaN/GaN on (111)Si chip metallized with Cu, Ag or Au (mounting layers) were preformed to DBC plates using Solid Liquid phase Interdiffusion (SLID) technology and Ag sintering bonding, and the systems were verified. The chip adhesion forces for DBC samples with intermediate galvanic (1 m)Sn layer, and the load force matched to the chip size, temperature of 280oC and time of 30 min. for the sintering process, are above 22 MPa. Ag sintering bonding of the chip with backside Ag metallization to DBC substrate is exceeding 22 MPa.

Słowa kluczowe

PL

montaż; technologia połączeń SLID; DBC; HEMT; AlGaN/GaN/Si

EN

assembly; SLID technology; DBC; HEMT transistor; AlGaN/GaN/Si

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2019
• Tom: R. 95, nr 11
• Strony: 5--7
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Kisiel Ryszard

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikro- i Optoelektroniki ul. Koszykowa 75, Warszawa

autor

Sochacki Mariusz

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikro- i Optoelektroniki ul. Koszykowa 75, Warszawa

autor

Taube Andrzej

• Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/4, 02-668 Warszawa

autor

Guziewicz Marek

• Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

Bibliografia

• [1] Chang T-Ch, Chang J-Y., Chung T-H. and W-Ch.Lo, Dualphase solid-liquid interdiffusion bonding, a solution for the die attachment of WBG, IEEE (2012), 978-1-4673-4944-4
• [2] Larson A., Tolleefsen T.A., Liquid Solid Diffusion (LSD) Bonding, IMAPS/EMPC 2017 Conf. Proc. Warsaw, Poland
• [3] Kisiel R., Mysliwiec M., Solid-Liquid Interdiffusion Bonding Based on Au-Sn Intermetallic for High Temperature Applications, 41st International Spring Seminar on Electronics Technology Conf. Proc. ISSE, Zlatibor (2018), 1-5
• [4] Mysliwiec M., Kisiel R., Applying Sintering and SLID Bonding for Assembly of GaN Chips Working at High Temperatures, 7th Electronic System-Integration Technology Conference (ESTC), Dresden (2018), 1-5
• [5] Siow K.S., Are Sintered Silver Joints Ready for use as Interconnect Material in Microelectronic Packaging?, Journal of Electronic Materials, (2014) DOI:10.1007/s11664-013-2967-3
• [6] Chua S.T., Siow K.S., Microstructural studies and bonding strength of pressureless sintered nano-silver joints on silver, direct bond copper (DBC) and copper substrates aged at 300oC, Journal of Alloys and Compounds, 687 (2016), 486-498
• [7] Yeom J., Li C-F., Suganuma K., Sintering mechanism of micron/submicron-size silver particles, ICEP-IAAC 2018 Proc., TC3-4 (2018), 121-123
• [8] Lemettre S., Isac N., Hammami S., Seok S., Moulin J., Bosseboeuf A., Alphonse P., Detection of Liquefaction by DSC for Cu-Sn TLP Bonding, IEEE 2018, 68th Electronic Components and Technology Conference (ECTC), San Diego, CA ( 2018), 568-573

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).