Fotoluminescencyjne badania wpływu temperatury na własności emisyjne periodycznych nanostruktur fotonicznych

• Autorzy: Urbańczyk D. M. , Wójcik-Jedlińska A. , Kosiel K. , Bugajski M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-196

Warianty tytułu

EN

Photoluminescence examination of temperature effect on emission properties of semiconductor periodic nanostructures

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (13 ; 09-13.06.2014 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca prezentuje zastosowanie wyzoskorozdzielczej spektroskopii fotoluminescencyjnej do analizy wpływu temperatury na własności emisyjne periodycznych nanostruktur półprzewodnikowych. Przedmiotem badań były supersieci Al_0.45GaAs_0.55/GaAs zaprojektowane jako obszar czynny laserów kaskadowych. Struktury zostały osadzone metodą epitaksji z wiązek molekularnych na podłożu GaAs. Wykonano pomiary widm fotoluminescencji obszaru supersieci w różnych warunkach termicznych, w zakresie temperatury od 5 do 65°C. Na podstawie zmian spektralnego położenia pików fotoluminescencji wyznaczono parametr przesunięcia temperaturowego wynoszący ok. 0,3 nm/K.

EN

The paper presents photoluminescence study of the temperature effect on the optical properties of semiconductor periodic nanostructures. The research was performed on Al_0.45GaAs_0.55/GaAs superlattices grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrate. The structures have been designed as an active region of quantum cascade lasers. The temperature dependences were determined based on the results of high resolution photoluminescence measurements carried out at different temperature of values ranging from 5 to 65°C. The obtained temperature offset of the emission spectra was ~0.3 nm/K.

Słowa kluczowe

PL

nanostruktury półprzewodnikowe; supersieci; przyrządy fotoniczne; spektroskopia optyczna; mikrofotoluminescencja; kwantowe lasery kaskadowe

EN

semiconductor nanostructures; superlattices; photonic devices; optical spectroscopy; μ-probe photoluminescence

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 11
• Strony: 57--59
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Urbańczyk D. M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Wójcik-Jedlińska A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Kosiel K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Bugajski M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] M. S. Vitiello, G. Scamarcio, V. Spagnolo, IEEE J. Sel.Top. Quantum Electron. 14, 431 (2008).
• [2] H. K. Lee, K. S. Chung, J. S. Yu, M. Razeghi, Phys. Status Solidi A 206, 356 (2009).
• [3] E. Gęsikowska, W. Nakwaski, Opt Quant Electron 40, 205 (2008).
• [4] W. S. Capinski, M. Cardona, D. S. Katzer, H. J. Maris,, K. Ploog, T. Ruf, Phys. Rev. B 263-264, 530 (1999).
• [5] G. Scamarcio, M. S. Vitiello, V. Spagnolo, S. Kumar, B. Williams, Q. Hu, Physica E 40, 1780–1784 (2008).
• [6] M. Szymański, A. Kozlowska, A. Malag, A. Szerling, J. Phys. D: Appl. Phys. 40, 924 (2007).
• [7] D. G. Cahill, W. K. Ford, K. E. Goodson, G. D. Mahan, A. Majumdar, H. J. Maris, R. Merlin, S. R. Phillpot, Journal of Applied Physics 93, 793 (2003).
• [8] D. G. Cahill, P. V. Braun, G. Chen, D. R. Clarke, S. Fan, K. E. Goodson, P. Keblinski, W. P. King, G. D. Mahan, A. Majumdar, H. J. Maris, S. R. Phillpot, E. Pop, L. Shi, Applied Physics Reviews 1, 011305 (2014).