Termiczna analiza azotkowych laserów VCSEL ze złączem tunelowym

• Autorzy: Śpiewak P. , Wasiak M. , Sarzała R. P.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2017.08.07

Warianty tytułu

EN

Thermal analysis of nitride VCSELs with tunnel junctions

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki termicznej analizy laserów VCSEL wykonanych z materiałów azotkowych. Badane przyrządy posiadały różne typy dolnych zwierciadeł, dielektryczne lub azotkowe. Analizie termicznej poddano lasery zaprojektowane na dwie różne długości fali z zakresu fioletowo-zielonego.

EN

This paper presents the results of thermal analysis of nitride VCSELs. The structures considered here had different types of bottom mirrors, namely dielectric or nitride. The thermal analysis concerned lasers emitting two different wavelengths from the violet-green spectral range.

Słowa kluczowe

PL

GaN; laser VCSEL; DBR; złącze tunelowe; laser półprzewodnikowy

EN

GaN; VCSEL; DBR; tunnel junction; semiconductor laser

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2017
• Tom: R. 93, nr 8
• Strony: 27--30
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Śpiewak P.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź

autor

Wasiak M.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź

autor

Sarzała R. P.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź

Bibliografia

• [1] Nakamura S. et al., Room temperature continuous wave operation of InGaN multi quantum well structure laser diodes, Appl. Phys. Lett., nr 69 (1996), 4056-8
• [2] Leonard J.T. et al., Nonpolar III-nitride vertical-cavity surfaceemitting laser with a photoelectrochemically etched air-gap aperture, Appl. Phys. Lett., nr 108 (2016), 031111
• [3] Sarzała R.P., et al., Comprehensive self-consistent threedimensional simulation of an operation of GaAs-based oxideconfined 1.3-μm quantum-dot (InGa)As/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers, Optical and Quantum Electronics, 36(4) (2004), 331–347
• [4] Wasiak M. et al., Numerical model of capacitance in verticalcavity surfaceemitting lasers, J. Phys. D Appl. Phys., 49(17), (2016)
• [5] Kuc M. et al., Thermal crosstalk in arrays of III-N-based Lasers, Materials Science and Engineering: B, vol. 178(20) (2013), 1395-1402,
• [6] Lu T.-C. et al., Continuous wave operation of current injected GaN vertical cavity surface emitting lasers at room temperature, Appl. Phys. Lett. nr 97 (2010), 071114
• [7] Cosendey G. et al., Blue monolithic AlInN-based vertical cavity surface emitting laser diode on free-standing GaN substrate, Appl. Phys. Lett., nr 101 (2012), 151113
• [8] Leonard J.T. et al., Comparison of nonpolar III-nitrideverticalcavity surface-emitting lasers with tunnel junction and ITO intracavity contacts, Proc. SPIE 9748, Gallium Nitride Materials and Devices XI, 97481B, (2016)

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).