Wpływ niedokładności wykonania wybranych elementów azotkowego lasera VCSEL na jego charakterystyki emisyjne

• Autorzy: Sarzała Robert P. , Śpiewak Patrycja

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2019.09.26

Warianty tytułu

EN

Impact of the imperfections in fabrication of selected elements of a nitride VCSEL on its emission characteristics

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki komputerowego modelowania półprzewodnikowego lasera VCSEL wykonanego z materiałów bazujących na azotku galu. Analiza dotyczy wpływu niedokładności wykonania różnych elementów konstrukcyjnych lasera na emitowaną przez niego moc. Rozważono różne przesunięcia obszaru czynnego i złącza tunelowego w rezonatorze lasera względem położenia pierwotnie zaprojektowanego. Zbadano również wpływ zmian grubości warstw zwierciadeł DBR na osiągi lasera.

EN

This paper presents results of numerical simulations of a semiconductor vertical-cavity surface-emitting laser made of nitride materials. The analysis concerns the impact of the imperfections in fabrication of various laser elements on its emitted power. Different locations of the active area and the tunnel junction in the laser resonator with respect to the originally designed structures were considered. The influence of changes in the thickness of the DBR mirrors layers on the laser performance was also investigated.

Słowa kluczowe

PL

laser półprzewodnikowy; GaN; laser VCSEL; modelowanie

EN

semiconductor laser; GaN; VCSEL; computer modelling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2019
• Tom: R. 95, nr 9
• Strony: 127--130
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys.

Twórcy

autor

Sarzała Robert P.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, 90–924 Łódź

autor

Śpiewak Patrycja

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, 90–924 Łódź

Bibliografia

• [1] Lu T.-C., Kao C.-C., Kuo H.-C., Huang G.-S., Wang S.-C., CW lasing of current injection blue GaN-based vertical cavity surface emitting laser, Appl. Phys. Lett., 92 (2008), nr 14, 141102
• [2] Higuchi Y., Omae K., Matsumura H., Mukai T., Roomtemperature CW lasing of a GaN-based vertical-cavity surfaceemitting laser by current injection, Applied Physics Express, 1 (2008), nr 12, 121102
• [3] Kuramoto M., Kobayashi S., Akagi T., Tazawa K., Tanaka K., Saito T., Takeuchi T., High-Power GaN-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers with AlInN/GaN Distributed Bragg Reflectors, Appl. Sci., 9 (2019), 416.
• [4] Hamaguchi T., Tanaka M., Mitomo J. Nakajima H., Ito M., Ohara M., Kobayashi N., Fujii K., Watanabe H., Satou S., Koda R., Narui H., Lateral optical confinement of GaN based VCSEL using an atomically smooth monolithic curved mirror, Scientific Reports, 8 (2018), 10350
• [5] Forman C. A., Lee S., Young E. C., Kearns J. A., Cohen D. A., Leonard J. T., Margalith T., DenBaars S. P., Nakamura S, Continuous-wave operation of m-plane GaN-based verticalcavity surface-emitting lasers with a tunnel junction intracavity contact, Applied Physics Letters, 112 (2018), nr 11, p. 111106
• [6] Mishkat-Ul-Masabih S. M., Aragon A. A., Monavarian M., Luk T. S., Feezell D. F., Electrically injected nonpolar GaN-based VCSELs with lattice-matched nanoporous distributed Bragg reflector mirrors, Appl. Phys. Express, 12 (2019), 036504
• [7] Kuc M., Sarzała R. P., Nakwaski, W., Thermal crosstalk in arrays of III-N-based Lasers, Materials Science and Engineering: B, 178 (2013) nr 20, 1395-1402
• [8] Sarzała, R. P., Nakwaski W., Optimisation of the 1.3-μm GaAsbased oxide-confined (GaIn)(NAs)vertical-cavity surfaceemitting lasers for their low-threshold room-temperature operation, Journal of Physics: Condensed Matter 16 (2004), S3121-S3140

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).