PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Studies of field emission process influence on changes in CNT films with different CNT superficial density

Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Field emission from materials at high electric fields can be associated with unfavorable or even destructive effect on the surface of the investigated cathode. The impact of high voltage electric power supply causes locally very strong electric fields focusing on the cathode surface. It causes a number of phenomena, which can adversely affect the morphology and the structure of the cathode material. Such a phenomenon is, for example, peeling of an emissive layer from the substrate or its burnout. It results in tearing of the layer and a decrease or loss of its ability to electrons emission. The cold cathodes in a form of CNT films with various CNTs superficial distribution are obtained by physical vapor deposition followed by chemical vapor deposition. CNTs are catalyzed in pyrolytic process with xylene (CVD), by Ni in a form of nanograins (few nm in size) placed in carbonaceous matrix. These films are built of emissive CNTs - carbonaceous film deposited on different substrates. In this work, the morphology and topography of superficial changes resulting from external electric field in such films were investigated.
Słowa kluczowe
Wydawca
Rocznik
Strony
27--33
Opis fizyczny
Bibliogr. 24 poz., rys.
Twórcy
  • Tele and Radio Research Institute, Ratuszowa 11, 03-450 Warsaw, Poland
autor
  • Tele and Radio Research Institute, Ratuszowa 11, 03-450 Warsaw, Poland
  • Tele and Radio Research Institute, Ratuszowa 11, 03-450 Warsaw, Poland
autor
  • Tele and Radio Research Institute, Ratuszowa 11, 03-450 Warsaw, Poland
  • Institute of Physics PASc., Al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
Bibliografia
  • [1] GRONING P., RUFFIEUX P., SCHLAPBACH L., GRONING O., Adv. Eng. Mater., 5 (2003), 541.
  • [2] BONARD J.M., CROCI M., ARFAOUI I., NOURY O., SARANGI D., CHATELAIN A., Diam. Relat. Mater., 11 (2002), 763.
  • [3] NILSSON L., GROENING O., EMMENEGGER C., KUETTEL O., SCHALLER E., SCHLAPBACH L., KIND H., BONARD J-M., KERN K., Appl. Phys. Lett., 76 (15) (2000), 2071.
  • [4] WANGA X.Q., WANGA M., LIB Z.H., XUA Y.B., HE P.M., Ultramicroscopy, 102 (2005), 181.
  • [5] FILIP V., NICOLAESCU D., TANEMURA M., OKUYAMA F., Ultramicroscopy, 89 (2001), 39.
  • [6] JONGE N., DRUTEN N.J., Ultramicroscopy, 95 (2003), 85.
  • [7] NAKAHARA H.ET AL., Appl. Surf. Sci., 256 (2009), 1214.
  • [8] WANG Q. H. ET AL., Appl. Phys. Lett., 72 (22) (1998), 2912.
  • [9] JONGE J., BONARD J.M., Phil. Trans. R. Soc. London A, 362 (2004), 2239.
  • [10] WANG Z.L., PONCHARAL P., DE HEER W.A., Appl. Phys. Lett., 80 (2002), 856.
  • [11] WEI Y.Y., DEAN K.A., COLL B.F., JASKIE J.E., Appl. Phys. Lett., 79 (2001), 4527.
  • [12] WANG Q.H., YAN M., CHANG R. P.H., Appl. Phys. Lett., 78 (2001), 1294.
  • [13] BONARD J.M., KLINKE C.K., DEAN K., COLL B., Phys Rev. B, 67 (2003), 115406.
  • [14] YUE G.Z. ET AL., Appl. Phys. Lett., 81 (2) (2002), 355.
  • [15] SARRAZIN P. ET AL., Adv X ray Anal., 47 (2004), 232.
  • [16] READ M.E., 2001 Particle Accelerator Conference, (2001), 1026.
  • [17] BONARD, J.M.; KIND, H., STÖCKLI, T.H. ET AL., Solid State Electronics, 45 (2001), 893.
  • [18] SAITO Y., UEMURA S., HAMAGUCHI K., Jpn J. Appl. Phys., 37 (1998) L346.
  • [19] CZERWOSZ E., BIERNACKI K., STĘPIŃSKA I., RYMARCZYK J., RZEPKA E., WASZUK S., WÓDKA T., WRONKA H., Cold cathode lighting, in: CZERWOSZ E. (Ed.), Vacuum Technique & Technology, Monographs of Tele & Radio Research Institute, Warsaw, 2014, p. 169.
  • [20] KOZŁOWSKI M., STĘPIŃSKA I., SOBCZAK K., CZERWOSZ E., Proc. SPIE, 9662 (2015), 96624G-1.
  • [21] STĘPIŃSKA I., KOZŁOWSKI M., RADOMSKA J., WRONKA H., CZERWOSZ E., Mater. Sci.-Poland, 33 (1) (2015), 36.
  • [22] STĘEPIŃSKA I., CZERWOSZ E., WRONKA H., KOZŁOWSKI M., Proc. SPIE, 8008 (2011), 800820-1.
  • [23] STĘPIŃSKA I., KOZŁOWSKI M., SOBCZAK K., Elektronika, 8 (2012), 98.
  • [24] CZERWOSZ E., IWANEJKO I., KAMINSKA A., RYMARCZYK J., KECZKOWSKA J., SUCHANSKA M., CRACIUNOIU F., COMANESCU F., IEEE CAS 2010 Proc. (International Semiconductor Conference), 1 (2010), 91.
Uwagi
PL
Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-25af96bc-a456-4466-8b18-ae01fbe643a9
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.