PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Silicon carbide homoepitaxy for power devices at Lukasiewicz Research Network – ITME
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Sieć Badawcza Łukasiewicz – ITME posiada wieloletnie doświadczenie w homoepitaksji warstw węglika krzemu na przewodzących podłożach 4H-SiC o średnicy do 3 cali. Technologia wzrostu obejmuje warstwy nieintencjonalnie domieszkowane, warstwy typu „n” oraz warstwy typu „p”. Koncentracja powierzchniowa defektów wynosi ~7000 cm-2 dla przypadku podłoża odchylonego o 4° od płaszczyzny (0001) w kierunku [11-20]. Nowoczesne wyposażenie laboratoryjne pozwala na kompleksową charakteryzację w oparciu o techniki AFM, SEM, SIMS, DLTS, spektroskopię Ramana oraz pomiar charakterystyk I-V i C-V.
EN
Lukasiewicz Research Network – ITME has had many years of experience in silicon carbide homoepitaxy on conducting up to 3-in 4H-SiC substrates. The growth technology covers unintentionally doped layers, n-type layers and p-type layers. Surface etched pit density is below 7000 cm- 2 for a substrate that is 4° off-axis from the (0001) plane towards the [11-20] direction. Modern laboratory equipment allows for a comprehensive characterisation based on AFM, SEM, SIMS, DLTS, Raman spectroscopy, and I-V and C-V measurements.
Rocznik
Strony
154--156
Opis fizyczny
Bibliogr. 15 poz., rys.
Twórcy
  • ieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • ieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • ieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • ieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • ieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • ieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • ieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • ieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • ieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
autor
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
autor
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
  • Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
Bibliografia
  • [1] Status of the Power Electronics Industry Report, Yole Development, (2017)
  • [2] Semiconductors Today, 6 (1) (2011), 34 (http://viewer.zmags.com/publication/4c2229e7#/4c2229e7/35)
  • [3] Feng Z.C., SiC Power Materials: Devices and Applications, Springer, Germany (2004)
  • [4] Strupinski W., Kościewicz K., Weyher J., Olszyna A., Effect of Substrates Thermal Etching on CVD Growth of Epitaxial Silicon Carbide Layers, Materials Science Forum, 600-603 (2009), 155-158
  • [5] Kosciewicz K., Strupinski W., Olszyna A., Comparison Between Polishing Etching of On and Off-axis C and Si-faces of 4H-SiC Wafers, Materials Science Forum, 615-617 (2009), 597-600
  • [6] Kosciewicz K., Strupinski W., Wierzchowski W., Wieteska K., Olszyna A., Polytypism Study in SiC Epilayers Using Electron Backscatter Diffraction, Materials Science Forum (2010), 645-648
  • [7] Kościewicz K., Strupiński W., Teklińska D., Mazur K., Olszyna A., Epitaxial growth on 4H-SiC on-axis, 0.5°, 1.25°, 2°, 4°, 8° off-axis substrates – defects analysis and reduction, Materials Science Forum, 679-680 (2011), 95-98
  • [8] Kościewicz K., Bożek R., Strupiński W., Olszyna A., Microscopic Investigation of SiC Epitaxial LAyers on On-axis 4H-SiC Substrates Using Kelvin Probe Force Microscopy, Acta Physica Polonica A, 116 (2009), 69-71
  • [9] Nishizawa S., Mercier F., Effect of nitrogen and aluminium on silicon carbide polytype stability, Journal of Crystal Growth, 518 (2019), 99-102
  • [10] Zhao L., Wu H., A correlation study of substrate and epitaxial wafer with 4H-N type silicon carbide, Journal of Crystal Growth, 507 (2019), 109-112
  • [11] Dhanaraj G., Dudley M, Chen Y., Ragothamachar B., Wu B., Zhang H., Epitaxial growth and characterization of silicon carbide films, Journal of Crystal Growth, 287 (2006), 344-348
  • [12] Ferro G., Chaussende D., Tsavdaris N., Understanding Al incorporation into 4H-SiC during epitaxy, Journal of Crystal Growth, 507 (2019), 338-343
  • [13] Pedersen H., Beyer F.C., Hassan J., Henry A., Janzen E., Donor incorporation in SiC epilayers grown at high growth rate with chloride-based CVD, Journal of Crystal Growth, 311 (2009), 1321-1327
  • [14] Kaminski P., Kozubal M., Caldwell J. D., Kew K. K., Van Mil B. L., Myers-Ward R. L., Eddy Jr. Ch. R., Gaskill K., Deep-level defects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons, Materiały Elektroniczne, 38 (2010), nr. 3/4, 26-34
  • [15] Capan I., Brodar T., Coutinho J., Ohshima T., Markevich V., Peaker A. R., Acceptor levels of the carbon vacancy in 4H-SiC: Combining Laplace deep level transient spectroscopy with density functional modelling, Journal of Applied Physics 124 (2018), 245701(1-10)
Uwagi
Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-2435cd75-ec93-4eaf-9e1c-8ce7c779f164
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.