PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Power losses and equivalent resistance associated with cyclic charging and discharging of nonlinear output capacitance of MOSFET transistor
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Projektowanie przekształtników energoelektronicznych wymaga odpowiedniego doboru ich podzespołów aktywnych – tranzystorów. W przypadku zastosowań wysokoczęstotliwościowych falowników rezonansowych istotną grupę parametrów stanowią parametry pasożytnicze tranzystora MOSFET w stanie wyłączenia – nieliniowa pojemność wyjściowa oraz straty mocy i rezystancja zastępcza związane z jej cyklicznym przeładowywaniem. W ramach pracy przedstawiono nową metodę wyznaczania strat mocy i rezystancji zastępczej tranzystora MOSFET w stanie wyłączenia.
EN
The design of power electronic converters requires the proper selection of their active components – transistors. In the case of highfrequency resonant inverter applications, a significant group of parameters to be considered are MOSFET transistor parasitic parameters in the offstate – nonlinear output capacitance, power losses and equivalent resistance associated with its cyclic charging and discharging. The paper presents a new method of determining these power losses and equivalent resistance of MOSFET transistor in the off-state.
Rocznik
Strony
55--59
Opis fizyczny
Bibliogr. 9 poz., rys., tab.
Twórcy
  • Politechnika Śląska, Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki, ul. B. Krzywoustego 2, 44-100 Gliwice
autor
  • Politechnika Śląska, Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki, ul. B. Krzywoustego 2, 44-100 Gliwice
autor
  • Politechnika Śląska, Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki, ul. B. Krzywoustego 2, 44-100 Gliwice
Bibliografia
  • [1] Jurczak W., Analiza właściwości falownika klasy E przy maksymalnych częstotliwościach przełączania tranzystorów mocy MOSFET, Praca doktorska, Gliwice 2010
  • [2] Suetsugu T., Kazimierczuk M., Comparison of Class-E Amplifier With Nonlinear and Linear Shunt Capacitance, IEEE Transactions On Circuits And Systems, VOL. 50, NO. 8, AUGUST 2003
  • [3] Kasprzak M., Falownik klasy DE 13,56 MHz/450 W – wpływ nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora Mosfet na sterowanie metodą AM, Przegląd Elektrotechniczny, 04b/2012 str. 122
  • [4] Wei X., Sekiya H., Kuroiwa S., Suetsugu T., Kazimierczuk M., Design of Class-E Amplifier With MOSFET Linear Gate-to- Drain and Nonlinear Drain-to-Source Capacitances, IEEE Transactions On Circuits And Systems, VOL. 58, NO. 10, OCTOBER 2011
  • [5] Molina-Gaudo P., F. del Aguila Lopez, Schonwalder P., Artigas J. N., Simple Nonlinear Large Signal MOSFET Model Parameter Extraction for Class E Amplifiers, 9th International Conference on Electronics, Circuits and Systems, December 2002
  • [6] Molina-Gaudo P., Mediano A., Bernal C., Puyal D., Optimum Duty-Cycle for Lossy Class E Amplifier Depending on Parasitic’s Trade-offs, XXI Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio, January 2010
  • [7] Kaczmarczyk Z., Model i metoda projektowania wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, R. 90 NR 6/2014
  • [8] Kaczmarczyk Z., Metoda projektowania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy E, Prace Naukowe Politechniki Śląskiej, Elektryka, 2014 R. 60 z. 4, s. 53-66, 2014
  • [9] IXYS Company, IXZ316N60, Karta katalogowa #dsIXZ316N60 REV 08/09, 2009
Uwagi
Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-225116e2-590c-4357-ab68-ba7b35b3e9b9
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.