Model Research On Deposition Of Pure Aluminium Oxide Layers By MOCVD Method

• Autorzy: Sawka A. , Kwatera A.

Identyfikatory

DOI

10.1515/amm-2015-0269

Warianty tytułu

PL

Modelowe badania na syntezą czystych warstw tlenku glinu metodą CVD

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The purpose of this research is to develop an optimal method for synthesizing of nanocrystalline Al₂O₃ monolayers at high growth rates on cemented carbides coated with an intermediate layer of pre- Al₂O₃-C (composite layers Al₂O₃-C/ Al₂O₃). The use of quartz glass substrate allows for obtaining information about the quality of the layers such the thickness and density, because of its high transparency. The Al₂O₃ layers that do not containing carbon were synthesized on quartz glass by MOCVD using aluminum acetylacetonate and air as the reactants at temperatures of 700-1000°C. Argon was also a carrier gas. The resulting layers were transparent, as homogeneous nucleation did not occur during the synthesis process. The layers synthesized at lower temperatures were subjected to a crystallization process at temperatures above 900°C. The crystallization process was studied as a function of time and temperature. The obtained layers were characterized by their nanocrystalline microstructure.

PL

Celem badań jest opracowanie metody otrzymywania nanokrystalicznych monowarstw Al₂O₃ z dużą szybkością wzrostu na węglikach spiekanych pokrywanych warstwą pośrednią Al₂O₃-C (warstwy kompozytowe Al₂O₃-C/ Al₂O₃). Użycie podłoży ze szkła kwarcowego z uwagi na jego przezroczystość pozwoli uzyskać informacje dotyczące jakości otrzymanych warstw, np.: ich grubości, gęstości. Warstwy Al₂O₃ nie zawierające węgla syntezowano na szkle kwarcowym metodą MOCVD z użyciem acetyloacetonianu glinu oraz powietrza jako reagentów w temperaturach 700-1000°C. Gazem nośnym był argon, a także powietrze. Otrzymane warstwy były przezroczyste, co świadczyło o tym, że w trakcie wzrostu warstw nie występował proces nukleacji homogenicznej. Warstwy syntezowane w niższych temperaturach były poddawane krystalizacji w temperaturach powyżej 900°C. Badano przebieg procesu krystalizacji w funkcji czasu i temperatury. Otrzymane warstwy charakteryzowały się nanokrystaliczną budową.

Słowa kluczowe

EN

MOCVD method; composite layers Al2O3-C/Al2O3; cutting tools

PL

metoda MOCVD; warstwy kompozytowe Al2O3-C/Al2O3; narzędzia tnące

• Wydawca: Institute of Metallurgy and Materials Science of Polish Academy of Sciences ; Committee of Materials Engineering and Metallurgy of Polish Academy of Sciences
• Czasopismo: Archives of Metallurgy and Materials
• Rocznik: 2015
• Tom: Vol. 60, iss. 2A
• Strony: 1121--1124
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Sawka A.

• AGH University of Science and Technology, Faculty of Materials Science and Ceramics, Department of Ceramics and Refractories, al. A. Mickiewicza 30, 30-059 Kraków, Poland

autor

Kwatera A.

• AGH University of Science and Technology, Faculty of Materials Science and Ceramics, Department of Ceramics and Refractories, al. A. Mickiewicza 30, 30-059 Kraków, Poland

Bibliografia

• [1] N. Lindulf, M. Halversson, H. Norden, S. Vourinen, Thin Solid Films 253, 311 (1994).
• [2] A. Osada, E. Nakamura, H. Tomma, T. Hayashi, T. Oshika, International Journal of Refractory Metals and Hard Materials 24, 387 (2006).
• [3] A. Sawka, A. Kwatera, W. Juda, Powder Metallurgy Progress 8, 242 (2008).
• [4] A. Sawka, A. Kwatera, Archives of Metallurgy and Materials (be published).
• [5] A. Kwatera, Problemy Eksploatacji. Zeszyty Naukowe Instytutu Technologii Eksploatacji w Radomiu 5, 149 (1995).

Uwagi

EN

The results presented in this paper have been obtained within project N N507 610038 supported by the National Science Centre (NCN).