Wpływ materiału maskującego na jakość odwzorowania w procesie suchego trawienia węglika krzemu 4H-SiC w plazmie chlorowej

• Autorzy: Stonio Bartłomiej , Kwietniewski Norbert , Firek Piotr , Słowikowski Mateusz , Pavłov Krystian , Sochacki Mariusz , Szmidt Jan

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2019.10.36

Warianty tytułu

EN

Influence of masking materials on the quality of mapping in silicon carbide 4H-SiC dry etching processes in chlorine plasma

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy zaprezentowano analizę wytrzymałości trzech rezystów na oddziaływanie plazmy chlorowej. Przeprowadzono serie procesów trawienia SiC, w których maskę zrealizowano przy użyciu materiałów PMMA 950, ZEP 520 oraz HSQ. W ramach opracowanych eksperymentów zbadano różne dawki naświetlania rezystów. Na potrzeby analizy wykonane zostały badania przy użyciu skaningowej mikroskopii elektronowej. Ponadto wykorzystano profilometrię w celu określenia parametrów wyjściowych trawienia – szybkości trawienia rezystu i węglika krzemu. Pomiary zrealizowano przed i po usunięciu maski z rezystu. Wyznaczono zakresy głębokości trawienia przy założonej grubości użytego materiału maskującego.

EN

The paper presents an analysis of the durability of three resists on the effect of chlorine plasma. A series of SiC etching processes were carried out, where using PMMA 950, ZEP 520 and HSQ materials the mask was made. As part of the experiments developed, various doses of irradiation were tested. For etching characterization scanning electron microscopy were performed. In addition, to determine the parameters like the etching speed of the resist and silicon carbide, profilometry was used. Measurements before and after removing the mask were realized. Possible etching depth ranges were determined at the assumed thickness of the masking material used.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; 4H-SiC; trawienie plazmowe; Cl2; ICP

EN

silicon carbide; 4H-SiC; plasma etching; Cl2; ICP

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2019
• Tom: R. 95, nr 10
• Strony: 158--161
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Stonio Bartłomiej

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa
• Politechnika Warszawska, Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii, ul. Poleczki 19, 02-822 Warszawa

autor

Kwietniewski Norbert

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Firek Piotr

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Słowikowski Mateusz

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa
• Politechnika Warszawska, Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii, ul. Poleczki 19, 02-822 Warszawa

autor

Pavłov Krystian

• Politechnika Warszawska, Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii, ul. Poleczki 19, 02-822 Warszaw

autor

Sochacki Mariusz

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Szmidt Jan

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

Bibliografia

• [1] S. Wolf, R.N. Tauber, “Silicon processing for the VLSI Era. Vol.1 - process technology", Lattice Press, Sunset Beach, California, (1987).
• [2] JB. Casady, RW. Johnson, "Status of Silicon Carbide (SiC) as a Wide-Bandgap Semiconductor for High-Temperature Applications: A Review“, Solid-State Electronics, 39 (10) (1996) 1409-22.
• [3] PR. Chalker, "Wide Bandgap Semiconductor Materials for High Temperature Electronics“, Thin Solid Films. 343-344 (1- 2) (1999) 616-622.
• [4] T. Kimoto, "Material science and device physics in SiC technology for high-voltage power devices“, The Japan Society of Applied Physics, 54 (4) (2015) 040-103,
• [5] D. Zhuang, J.H. Edgar, "Wet etching of GaN, AlN, and SiC: a review“, Materials Science and Engineering: R: Reports, 48 (1) (2005) 1-46.
• [6] A Szczęsny, P. Śniecikowski, J. Szmidt, A. Werbowy, "Reactive ion etching of novel materials - GaN and SiC", Vacuum 70 (2003) 249-254.
• [7] P.-S. Kang, K.-T. Kim, D.-P. Kim, Ch.-I. Kim, A.M. Efremov, “Dry etching characteristics of (Ba0.6,Sr0.4)TiO3 thin films in high density CF4/Ar plasma", Surface and Coatings Technology 171 (1-3) (2003) 273-279.
• [8] A. Werbowy, P. Firek, J. Chojnowski, A. Olszyna, J. Szmidt, N. Kwietniewski, "Barium titanate thin films plasma etch rate as a function of the applied RF power and Ar/CF4 mixture gas mixing ratio", physica status solidi (c) 4 (4) (2007) 1578-1580.

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).