Przestrzenne charakterystyki wiązek promieniowania emitowanego przez lasery półprzewodnikowe

• Autorzy: Mroziewicz B. , Pruszyńska-Karbownik E. , Regiński K.

Warianty tytułu

EN

Spatial characteristics of the optical beams emitted by semiconductor lasers

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Rozkład natężenia pola optycznego w wiązce emitowanej przez lasery, określany jako charakterystyka kierunkowa lasera, ma z reguły duże znaczenie z punktu widzenia zastosowań laserów w praktyce. W szczególności odnosi się to do laserów półprzewodnikowych, które generują wiązkę o dużej rozbieżności, często wielomodową i astygmatyczną. W artykule przedstawiono oryginalne urządzenie nazwane profilometrem goniometrycznym, które okazało się uniwersalne, a szczególnie przydatne do pomiarów kierunkowych charakterystyk kwantowych laserów kaskadowych emitujących w pasmie średniej podczerwieni. Załączono wyniki pomiarów testowych i płynące z nich wnioski. Pokazano, że opisywane urządzenie może również służyć do pomiaru charakterystyk laserów diodowych w innych pasmach częstotliwości pod warunkiem zastosowania odpowiedniego detektora.

EN

Spatial distribution of the optical field emitted by lasers, called also a radiation profile, is extremely important for laser applications. That is particularly relevant to semiconductor lasers due to a high divergence, often multimode character, and an astigmatism of the beam they emit. In the paper presented is an original instrument called a goniometric profiler which has proved to be very useful for measurements of the quantum cascade lasers operating in the mid–IR range. The paper includes measurement results and related conclusions. It has been demonstrated that the instrument can also serve to measure characteristics of other semiconductor diode lasers at the frequency range limited only by the used detectors.

Słowa kluczowe

PL

lasery; rozkład natężenia pola; wiązka optyczna

EN

lasers; field intensity distribution; optical beam

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 3
• Strony: 84--88
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., il., rys.

Twórcy

autor

Mroziewicz B.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Pruszyńska-Karbownik E.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Regiński K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] MacGregor A.: Know your beam, Laser Focus World, May (2006), 115–118.
• [2] Peterman D.: Accurate profiling requires an appropriate choice of equipment, Laser Focus World, October (2003), 102–108.
• [3] Coffrey V. C.: How to select a beam-profile measurement system, Laser Focus World, June (2009), 70–73.
• [4] Sassnett W., T. F. Johnston, Jr.: Beam characterization and measurement of propagation attributes, SPIE Vol. 1414 Laser Beam Diagnostics (1991), pp. 21–32.
• [5] Mroziewicz B.: Sposób pomiaru przestrzennego rozkładu natężenia promieniowania laserów półprzewodnikowych oraz urządzenie do pomiaru przestrzennego. rozkładu natężenia promieniowania laserów półprzewodnikowych. Pat. UP RP Nr 214293 (2006).
• [6] Regiński K., B. Mroziewicz: Sposób pomiaru przestrzennego rozkładu natężenia promieniowania kwantowych laserów kaskadowych oraz urządzenie do pomiaru przestrzennego rozkładu natężenia promieniowania kwantowych laserów kaskadowych, Zgł. pat. Nr P393691.
• [7] Johnson T. F. Jr.: Beam propagation (M²) measurement made as easy as it gets: the four-cuts metod, Appl. Opt. (1998), 37, 4840–4850.
• [8] Kosiel, K. et al.: High power (>1 W) room-temperature (300 K) 980 nm continuous-wave AlGaAs/InGaAs/GaAs semiconductor lasers. Optica Applicata, 37, 4, (2007), 423–432.
• [9] Kosiel K. et al.: Development of (λ ≈ 9.4 μm) GaAs-based quantum cascade lasers, Terahertz and mid infrared radiation: generation, detection and applications, (2009), 91–100.