PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Liniowy wzmacniacz mocy na pasmo 26-29 MHz z tranzystorami przełącznikowymi

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Linear power amplifier for 26-29 MHz band with switching MOSFETs
Konferencja
Krajowa Konferencja Elektroniki (12 ; 10-13.06.2013 ; Darłówko Wschodnie ; Polska)
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Przedstawiono projektowanie, symulacje komputerowe, budowę, regulacje i testowanie przeciwsobnego liniowego wzmacniacza klasy AB o założonej mocy 20 W w paśmie 26-29 MHz z tranzystorami przełącznikowymi MOSFET powszechnego użytku (IRF510). Uzyskano liniową charakterystykę przejściową i płaską charakterystykę częstotliwościową w paśmie 26-29 MHz, natomiast moc wyjściowa, sprawność energetyczna i wzmocnienie mocy są niższe od oczekiwanych (13,5W, 27% i 14,7dB, odpowiednio).
EN
Design, computer simulations, building, tuning, and testing of linear high-frequency class-AB push-pull power amplifier with switch-mode general-purpose transistors (IRF510) are presented. The assumed output power is 20 W in the 26-29 MHz band. Measured transfer characteristic of this amplifier is linear and its frequency response is flat between 26 MHz and 29 MHz. In contrast, measured output power, efficiency, and power gain are lower than assumed (13,5 W, 27%, and 14,7 dB respectively).
Rocznik
Strony
131--134
Opis fizyczny
Bibliogr. 9 poz., rys., wykr.
Twórcy
  • Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, Instytut Radioelektroniki
autor
  • Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, Instytut Radioelektroniki
Bibliografia
  • [1] SP4SKV, „Transceiver Kacper”, Świat Radio, grudzień 2012, str. 50-53.
  • [2] A. Orłowski, „Transformatory szerokopasmowe z wykorzystaniem linii długich”, Przegląd Telekomunikacyjny, nr 10/1978, str. 306-311.
  • [3] H. Krauss, Ch. Allen, “Designing toroidal transformers to optimize wideband performance”, Electronics, August 16, 1973.
  • [4] www.vishay.com.mosfets/list/.
  • [5] J. Chatkowski, „Uproszczony model tranzystora MOSFET do projektowania rezonansowych wzmacniaczy mocy w. cz.”, praca magisterska, Instytut Radioelektroniki Politechniki Warszawskiej, Warszawa, 2006.
  • [6] www.res-ingenium.com/ELXIS/military/hf-products/hf300-0130m-300-hf-amplifier.html.
  • [7] www.polyfet.com.
  • [8] A. Bartosik, „Przeciwsobny wzmacniacz mocy klasy AB na pasmo 26-29 MHz”, praca dyplomowa inżynierska, Instytut Radioelektroniki Politechniki Warszawskiej, Warszawa 2013.
  • [9] www.micrometals.com.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-20828ddd-0df7-453a-904d-63d4eef46dde
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.