Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej

• Autorzy: Sarzała R. P. , Kuc M. , Sokół A. K. , Wasiak M. , Kruszka R. , Gołaszewska K.

Warianty tytułu

EN

Modelling of thermal and electrical processes in ultraviolet electroluminescent diode

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (12 ; 10-13.06.2013 ; Darłówko Wschodnie ; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki modelowania zjawisk elektryczno-cieplnych w diodzie elektroluminescencyjnej emitującej promieniowanie w zakresie bliskiego ultrafioletu i wykonanej na bazie azotku galu. W szczególności skupiono się na sprawdzeniu wpływu na pracę modelowanego przyrządu takich parametrów jak: szerokość kontaktów, położenie kontaktów, szerokość mesy, głębokość trawienia mesy, grubość podłoża. Otrzymane wyniki pozwoliły wybrać do dalszych prac technologicznych rozwiązania konstrukcyjne rokujące otrzymanie przyrządu o dobrych parametrach eksploatacyjnych.

EN

In the present paper presents results of modelling of thermal and electrical processes in the GaN-based electroluminescent diode emitting in the near-ultraviolet range. An influence of design parameters, such as: thickness and position of contacts, etching depth and thickness of mesa, thickness of the substrate, on the device operation has been analyzed. The obtained results enable to choose promising designs providing good operation properties of the considered device which may be a subject of further technological research.

Słowa kluczowe

PL

przyrządy półprzewodnikowe; diody LED; modelowanie; GaN; ultrafiolet

EN

semiconductor devices; LED; computer simulation; GaN; ultraviolet

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2013
• Tom: Vol. 54, nr 9
• Strony: 29--32
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Sarzała R. P.

• Politechnika Łódzka, Wydział FTIMS, Instytut Fizyki

autor

Kuc M.

• Politechnika Łódzka, Wydział FTIMS, Instytut Fizyki

autor

Sokół A. K.

• Politechnika Łódzka, Wydział FTIMS, Instytut Fizyki

autor

Wasiak M.

• Politechnika Łódzka, Wydział FTIMS, Instytut Fizyki

autor

Kruszka R.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Gołaszewska K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Tamulaiyis G.: Ultraviolet light emitting diodes. Lithuanion Journal of Physics, Vol. 51, No. 3, pp. 177-193 (2011).
• [2] Sarzała R., T. Czyszanowski, M. Wasiak, M. Dems, Ł. Piskorski, W. Nakwaski, K. Panajotov: Numerical self-consistent analysis of VC- SELs. Advances in Optical Technologies, Volume 2012 (2012), Article ID 689519, pp. 1-17.
• [3] Karbownik P., R. P. Sarzała: Structure optimisation of short-wavelength ridge-waveguide InGaN/GaN diode lasers. Opto-Electronics Review, vol. 16 no 1 (2008) pp. 68-74.