Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL

• Autorzy: Marciniak M. , Śpiewak P. , Więckowska M. , Sarzała R. P.

Warianty tytułu

EN

Transversal modes in nitride VCSELs

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki modelowania półprzewodnikowego lasera złączowego z pionową wnęką rezonansową o emisji powierzchniowej. Laser zaprojektowano na emisję fali 414 nm w oparciu o materiały azotkowe. Modelowany przyrząd miał konstrukcję hybrydową, tzn. z jednej strony posiadał zwierciadła rodzime (AlN/GaN), a z drugiej dielektryczne Ta2O5/SiO2. W pracy wyznaczono rząd modu optycznego jaki wzbudza się w laserze w zależności od jego apertury elektrycznej, długości rezonatora oraz składu molowego jego obszaru czynnego. Dla wybranych warunków pracy określono także selektywność modową przyrządu.

EN

This paper presents results of numerical modeling of a nitride vertical cavity surface emitting laser. This structure of the laser was designed to emit wavelength of 414 nm. Construction of the analyzed laser is hybrid – the bottom DBR is a native AlN/GaN mirror and the top DBR is made from dielectric materials (Ta2O5 and SiO2). In this paper we determined the order of transverse mode which is excited in the active region for different radius of electric aperture, different resonator thicknesses and concentration of indium in the quantum well. For selected parameters mode selectivity was determined.

Słowa kluczowe

PL

GaN; laser półprzewodnikowy; laser VCSEL; modelowanie

EN

GaN; semiconductor laser; VCSEL; numerical modelling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2015
• Tom: R. 91, nr 9
• Strony: 125--129
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Marciniak M.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź

autor

Śpiewak P.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź

autor

Więckowska M.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź

autor

Sarzała R. P.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź

Bibliografia

• [1] Sarzała R.P., Piskorski Ł., Nakwaski W., Azotkowe lasery typu VCSEL, Elektronika, nr 11, 104-107, 2014
• [2] Sarzała R.P., Czyszanowski T., Nakwaski W., Effect of relief aperture on single-fundamental-mode emission of 1.3-μm GaInNAs GaAs-based VCSELs, IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 50, Issue 11, 874-881, 2014
• [3] Sarzała R.P. and Nakwaski W., Optimisation of the 1.3-μm GaAs-based oxide-confined (GaIn)(NAs) vertical-cavity surface-emitting lasers for their low-threshold roomtemperature operation (invited), Journal of Physics: Condensed Matter vol. 16, S3121-S3140, 2004
• [4] Lu T.-C., Chen S.-W., Wu T.-T., Tu P.-M., Chen C.-K., Chen C.-H., Li Z.-Y., Kuo H.-C., and Wang S.-C., Continuous wave operation of current injected GaN vertical cavity surface emitting lasers at room temperature, Appl. Phys. Lett. 97, 071114, 2010
• [5] Kuc M., Sarzała R.P., Nakwaski W., Thermal crosstalk in arrays of III-N-based Lasers, Materials Science and Engineering: B, vol. 178, no. 20, 1395-1402, 2013