Badania wybranych materiałów optoelektronicznych z wykorzystaniem fototermicznej radiometrii w podczerwieni

• Autorzy: Chrobak Ł. , Maliński M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2016.09.32

Warianty tytułu

EN

Investigations of chosen optoelectronic materials with the photothermal infrared radiometry

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań materiałów optoelektronicznych z wykorzystaniem fototermicznej radiometrii w podczerwieni (PTR). Opisane zostały szczegóły dotyczące wykorzystanej techniki badawczej. Badania przeprowadzono na próbkach krzemu i krzemu – germanu. Omówiono szczegóły techniczne dotyczące wymagań sprzętowych na potrzeby stanowiska badawczego. W pracy przedyskutowano możliwości interpretacyjne płynące z zastosowania opisanej metody badawczej oraz opisanych modeli matematycznych sygnału PTR.

EN

In this paper the experimental results of the photothermal radiometry (PTR) investigations of the optoelectronic materials have been presented. The details concerning the used technique have been described. Investigations have been performed on the silicon and silicongermanium samples. Details of the experimental set-up have been discussed. In this work the interpretation abilities connected with the usage of the described experimental method and the described PTR signal mathematical models have been discussed.

Słowa kluczowe

PL

badania nieniszczące; radiometria w podczerwieni; krzem; krzemogerman

EN

nondestructive testing; photothermal infrared radiometry; silicon; silicon-germanium

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2016
• Tom: R. 92, nr 9
• Strony: 122--124
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Chrobak Ł.

• Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki, ul. JJ Śniadeckich 2, 75-453 Koszalin

autor

Maliński M.

• Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki, ul. JJ Śniadeckich 2, 75-453 Koszalin

Bibliografia

• [1] Salnik A., Mandelis A., Ruda H., Jean C., Relative sensitivity of photomodulated reflectance and photothermal infrared radiometry to thermal and carrier plasma waves in semiconductors, J. Appl. Phys. 82(4), (1997), 1853-1859
• [2] Salnic A., Mandelis A., Jean C., Noncontact measurement of transport properties of long-carrier-lifetime wafers using photothermal radiometry, Appl. Phys. Lett. 69(17), (1996), 2522-2524
• [3] Mandelis A., Laser infrared photothermal radiometry of semiconductors: principles and applications to solid state electronics, Solid - State Electronics 42(1), (1998), 1-15
• [4] Pawlak M., Maliński M., Minority carrier recombination lifetimes in n-type CdMgSe mixed crystals measured by means of the photothermal infrared radiometry, Opto-Electronics Review 22(1), (2014), 31-35
• [5] Pawlak M., Maliński M., Influenceof the Ar8+ and O6+ ion implantation on the recombination parameters of p and n typeimplanted Si samples investigated by means of the photothermal radiometry, Infrared Physics & Technology 63, (2014), 6-9
• [6] Maliński M., Pawlak M., Chrobak Ł., Pal S., Ludwig A., Monitoring of Amorfization of the Oxygen Implanted Layers in Silicon Wafers Using Photothermal Radiometry and Modulated Free Carrier Absorption, Applied Physics A - Materials Science & Processing 118(3), (2015), 1009-1014

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.