Obrazowane luminescencyjne do charakteryzacji ogniw i modułów fotowoltaicznych

• Autorzy: Lipiński M. , Kulesza G. , Starowicz Z.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-106

Warianty tytułu

EN

Luminescense imaging for characterization of photovoltaic cells and modules

• Konferencja: Sympozjum "Fotowoltaika i Transparentna Elektronika : Perspektywy Rozwoju" (5 ; 24-27.04.2014 ; Świeradów Zdrój ; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Obrazowanie fotoluminescencyjne i elektroluminescencyjne jest obecnie jedną z najważniejszych technik pomiarowych ogniw i modułów fotowoltaicznych. Trudno wyobrazić sobie dalszy rozwój technologii ogniw bez tego typu pomiarów. Technika ta pozwala również na kontrolę materiału wyjściowego (płytek Si typu „as-cut”) oraz płytek po każdym procesie technologicznym w produkcji ogniw i modułów co ma istotny wymiar ekonomiczny.

EN

Photoluminescence and electroluminescence imaging is one of the most important techniques for measuring solar cells and photovoltaic modules. It is extremely difficult to imagine the further development of cell technology without such measurements. This measurement also allows controlling of the starting material (“as-cut” Si wafers) and the plates after each technology process in the production of solar cells and modules, which is an important economic reason.

Słowa kluczowe

PL

obrazowanie luminescencyjne; fotoluminescencja; elektroluminescencja; charakterystyki gniw słonecznych

EN

luminescence imaging; photoluminescence; electroluminescence; characterization of solar cells

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 8
• Strony: 52--54
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., il.

Twórcy

autor

Lipiński M.

• Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, Laboratorium Fotowoltaiczne, Kozy

autor

Kulesza G.

• Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, Laboratorium Fotowoltaiczne, Kozy

autor

Starowicz Z.

• Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Kraków, Laboratorium Fotowoltaiczne, Kozy

Bibliografia

• [1] Fuyuki T. i in.: Photographic surveying of minority carrier diffusion length in polycrystalline silicon solar cells by electroluminescence; Applied Physics Letters, 86(26) (2005) 262108.
• [2] Trupke T. i in.: Photoluminescence imaging of silicon wafers, Applied Physics Letters, 89(4) (2006) 44107.
• [3] Trupke T. i in.: Photoluminescence Imaging for Photovoltaic Applications; Energy Procedia, 15 (2012) 135.
• [4] Giesecke J. A. i in.:Minority carrier lifetime imaging of silicon wafers calibrated by quasi-steady-state photoluminescence; Solar Energy Materials & Solar Cells, 95 (2011) 1011.
• [5] Trupke T., Nyhus J. and Haunschild J.: Luminescence imaging for inline characterisation in silicon photovoltaics; Phys. Status Solidi RRL 5 (2011) 131.
• [6] Augarten Y. i in.: Calculation of quantitative shunt values using photoluminescence imaging; Prog. Photovolt: Res. Appl. 21 (2013) 933.

Uwagi

PL

System pomiarowy PL-EL zakupiono w ramach projektu: „Dostosowanie potencjału badawczego IMIM PAN do wymagań światowych standardów komplementarnych badań w zakresie inżynierii materiałowej”, POIG.02.01.00-12-175/09-03, 2007-2013.