Zastosowanie metody IPD do syntezy warstw c-AlN

• Autorzy: Chodun R. , Nowakowska-Langier K. , Okrasa S. , Firek P. , Szmidt J. , Zdunek K.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-159

Warianty tytułu

EN

Application of Impulse Plasma Deposition method for synthesis of cubic-AlN thin layers

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Azotek aluminium otrzymywany w postaci warstw wzbudza duże zainteresowanie ze względu na swoje właściwości dielektryczne. Typowym produktem syntezy warstw AlN metodami inżynierii powierzchni jest odmiana stabilna h-AlN. Ostatnio zwraca się uwagę na warstwy AlN syntetyzowane w odmianie kubicznej. W artykule opisane zostały badania dotyczące wykorzystania metody IPD do wytwarzania cienkich warstw azotku. Metodą tą uprzednio syntetyzowane były takie materiały, jak: DLC, czy e-BN. Na podstawie badań XRD oraz spektroskopii ramanowskiej warstw AlN wytwarzanych w pracy metodą IPD wykazano, że produktem syntezy jest odmiana kubiczna azotku.

EN

Recently, aluminum nitride (AlN) has attracted much attention due to its electric properties. Typically the AlN that is obtained by using the plasma surface engineering method crystallizes in stable, hexagonal structure. However, it can also be grown in cubic structure. The article describes the research concerning the use of the IPD method to synthesis of thin nitride layers. This method was previously used to synthesis of layers materials such as DLC or e-BN. On the basis of the X-ray diffraction and Raman spectroscopy of the AlN layers produced by the IPD method we demonstrated that, a cubic AlN was synthesized.

Słowa kluczowe

PL

PA PVD; metoda impulsowo-plazmowa (IPD); kubiczny AlN

EN

PA PVD; Plasma Assisted Physical Vapour Deposition; Impulse Plasma Deposition; cubic AlN

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 10
• Strony: 11--13
• Opis fizyczny: Bibliogr. 31 poz.il., wykr.

Twórcy

autor

Chodun R.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej

autor

Nowakowska-Langier K.

• Narodowe Centrum Badań Jądrowych, Otwock

autor

Okrasa S.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej

autor

Firek P.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

autor

Szmidt J.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

autor

Zdunek K.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej
• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

Bibliografia

• [1] Z. M. Ren i in.: J. Appl. Phys., 88 (2000) 7346.
• [2] E. Petrov i in.: Appl. Phys. Lett., 60 (1992) 2491.
• [3] C. Stampfl i in.: Phys. Rev. B, 59 (1998) 5521.
• [4] H. Arabshahi i in.: Greener J. Sci. Eng.Techn.Research, 2 (2012) 053.
• [5] T. Sheng i in.: Appl. Phys. Lett., 52 (1988) 567.
• [6] G. Selvaduray, L. Shett: Mater. Sci. Techn., 9 (1993) 463.
• [7] L. Shepard: Am. Ceram. Soc. Bull., 69 (1990) 1801.
• [8] T. Mroz: Am. Ceram. Soc. Bull., 71 (1992) 782.
• [9] M. Oliver i in.: Appl. Phys. Lett., 93 (2008) 023109.
• [10] S. Nakamura i in.: Appl. Phys. Lett., 70 (1997) 1417.
• [11] D. Lenkiewicz: Wysokotemperaturowa warstwa zarodkowa AIN a jakość warstwy buforowej GaN, WIM PW, rozprawa doktorska, WIM PW, 2008.
• [12] Y. Ohba i in.: J. Cryst. Growth, 298 (2007) 682.
• [13] D. Lenkiewicz, K. Zdunek i in.: Biuletyn ITME Warszawa, 35 (2007) 24.
• [14] J. Prazmowska i in.: Acta Physica Polonica, 116 (2009) 123.
• [15] D. Manova i in., Surf. Coat. Techn., 106 (1998) 205.
• [16] K. Miernik i in.: Surf. Coat. Techn., 98 (1998) 1298.
• [17] V. Dimitrieva i in., Vacuum, 51 (1998) 161.
• [18] V. Liu i in., Phys. Stat. Sol., 1 (2002) 69.
• [19] R. Vispute i in.: J. Appl. Phys., 86 (1999) 4052.
• [20] R. Vispute i in.: J. Electr. Mater., 28 (1999) 275.
• [21] J. Hermann, C. Dutouquet: J. Appl. Phys., D: Appl.Phys., 32 (1999) 2707.
• [22] M. Okamoto i in.: Diam. Rel. Mater., 9 (2000) 516.
• [23] S.Mohri i in.: Diam. Rel. Mater., 17 (2008) 1796.
• [24] K. Zdunek: IPD, Plazma impulsowa w inżynierii powierzchni, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa, 2003.
• [25] M. Sokołowski, A. Sokołowska: J. Cryst. Growth, 57 (1982) 185.
• [26] A. Sokołowska i in.: J. Mater. Sci., 21 (1986) 703.
• [27] A. Olszyna: E-BN. Otrzymywanie i właściwości, Politechnika Warszawska, Prace Naukowe, s. Inżynieria Materiałowa, 5 (1996).
• [28] K. Zdunek: Surf. Coat. Techn., 59 (1993) 281.
• [29] K. Zdunek: Surf. Coat. Technol., 201 (2007) 4813.
• [30] H. Wang i in.: Sci China Ser G - Phys. Mech. Astron., 8 (2008) 1037.
• [31] F. Manjon i in.: Physical Review B, 77 (2008) 205204.