Analiza płytkich stanów pułapkowych w strukturach MOS Al/ZrO2/SiO2/4H-SiC metodą TSC

• Autorzy: Król K. , Sochacki M. , Waśkiewicz M. , Szmidt J.

Identyfikatory

DOI

10.15199/13.2015.11.13

Warianty tytułu

EN

TSC analysis of shallow traps in 4H-SiC/SiO2/ZrO2 dielectric stacks

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wyniki analizy właściwości warstw dielektrycznych ZrO2/SiO2 stosowanych jako dielektryki bramkowe w tranzystorach MOSFET SiC. Do analizy wykorzystano pomiar prądów stymulowanych termicznie (TSC, ang. Thermally-Stimulated Current). Szczególny nacisk położono na badanie płytko położonych w przerwie energetycznej SiC stanów pułapkowych, ponieważ mają one decydujące znaczenie dla parametrów elektrycznych przyrządów typu MOSFET wykonanych na węgliku krzemu.

EN

In this article we present the results of 4H-SiC/SiO2/ZrO2 MOS gate dielectric stack measurements obtained using thermally stimulated current spectroscopy (TSC). This method was chosen because the main problem in modern SIC MOSFET technology are still traps localized close to conduction band edge. Therefore this article focuses on shallow trap states.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; dielektryki high-k; TSC

EN

silicon carbide; high-k dielectrics; TSC

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2015
• Tom: Vol. 56, nr 11
• Strony: 56--58
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., wykr.

Twórcy

autor

Król K.

• Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa
• Politechnika Warszawska, Instytut Mikro- i Optoelektroniki

autor

Sochacki M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikro- i Optoelektroniki

autor

Waśkiewicz M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikro- i Optoelektroniki

autor

Szmidt J.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikro- i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] V. V. Afanasev, M. Bassler, G. Pensl, M. Schulz Physica Status Solidi (A) 162 (1), 321–337 (1997).
• [2] L. A. Lipkin, J. W. Palmour Journal of Electronic Materials 25 (5), 909–915 (1996).
• [3] D. Okamoto, H. Yano, K. Hirata, T. Hatayama, T. Fuyuki, IEEE Electron Device Letters, 31(7), 710–712 (2010).
• [4] Zetterling C. M. i Ostling M. Advantages of SiC. Process technology for silicon carbide devices. INSPEC, Londyn (2002).
• [5] P. T. Lai, S. Chakraborty, C.L. Chan, YC Cheng, Applied Physics Letters, 76(25), 3744–3746, (2000).
• [6] R. Esteve, A. Schöner, S. A. Reshanov, C. M. Zetterling, H. Nagasawa, Journal of Applied Physics, 106(4), 044514-044514-5, (2009)
• [7] R. Palmieri, C. Radtke, H. Boudinov, E. F. da Silva, Applied Physics Letters, 95 113504 (2009).
• [8] M. J. Tadjer, R. E. Stahlbush, K. D. Hobart, P. J. McMarr, H. L. Hughes, E. A. Imhoff, F. J. Kub, S. K. Haney, A. Agarwal, Journal of Electronic Materials, 39(5), 517–525 (2010).
• [9] N. S. Mohan, R. Chen Journal of Physics D: Applied Physics 4, 287 (1971).
• [10] T.E. Rudenko, H.Ö. Ólafsson, E.Ö. Sveinbjörnsson, I.P. Osiyuk, I.P. Tyagulski, Microelectronic Engineering, 72(1–4), 213–217, (2004).
• [11] S. Salemi, N. Goldsman, A. Akturk, A. Lelis Procedings of The International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices SISPAD 2012.
• [12] Yu. Goldberg, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev in Properties of Advanced SemiconductorMaterials GaN, AlN, SiC, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 93–148.