Charge pumping characterization of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack

• Autorzy: Firek P. , Głuszko G. , Łukasiak L. , Szmidt J. , Jakubowski A. , Sochacki M.

Warianty tytułu

PL

Charakteryzacja tranzystorów MISFET z bramką SiO2/BaTiO3 metodą pompowania ładunku

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The results of charge pumping measurements of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack were presented and discussed. The characterization method was used for verification of thershold voltage and trap density values obtained by static current-voltage (I-V) measurements.

PL

W pracy zaprezentowano i przeanalizowano wyniki pomiarów tranzystorów MISFET wykorzystujących dwuwarstwowy dielektryk SiO2/BaTiO3. Pomiary wykonano przy użyciu metody pompowania ładunku. Stosowana metoda charakteryzacji posłużyła do weryfikacji wartości napięcia progowego tranzystora oraz gęstości pułapek powierzchniowych uzyskanych w oparciu o pomiar statycznych charakterystyk prądowonapięciowych (I-V) tranzystora.

Słowa kluczowe

EN

charge pumping; high-k; MISFET structures; barium titanate

PL

metoda pompowania ładunku; przenikalność elektryczna; tranzystor MESFET; tytanian baru

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2014
• Tom: R. 90, nr 9
• Strony: 26--28
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Firek P.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

autor

Głuszko G.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

autor

Łukasiak L.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

autor

Szmidt J.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

autor

Jakubowski A.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

autor

Sochacki M.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

Bibliografia

• [1] Wen H., Wang X., Gui Z., Li L., Modeling of the core-shell microstructure of temperature-stable BaTiO3 based dielectrics for multilayer ceramic capacitors, Journal of Electroceramics, 21 (2008), 545-548
• [2] De-Gui Sun at all, Performance simulation for ferroelectric thinfilm based waveguide electro-optic modulators, Optics Communications, 255 (2005), 319-330
• [3] Ioachim A. at all, Barium strontium titanate-based perovskite materials for microwave applications, Progress in Solid State Chemistry, 35 (2007), 513-520
• [4] Chen F., Wang X. -L, Wang K. -M., Development of ionimplanted optical waveguides in optical materials: A review, Optical Materials, 29 (2007), 1523-1542
• [5] Choa S. -D., Lee J. -Y., Hyuna J. -G., Paik K. -W., Study on epoxy/BaTiO3 composite embedded capacitor films (ECFs) for organic substrate applications, Materials Science and Engineering: B, 110 (2004), 233-239
• [6] Rattanachana S., Miyashitab Y., Mutoh Y., Fabrication of piezoelectric laminate for smart material and crack sensing capability, Science and Technology of Advanced Materials, 6 (2005), 704-711
• [7] Ramesh R., Aggarwal S., Auciello O., Science and technology of ferroelectric films and heterostructures for non-volatile ferroelectric memories, Materials Science and Engineering, 32 (2001), 191-236
• [8] Kuroiwa T. at all, Dielectric Properties of (BaxSr1-x)TiO3 Thin Films Prepared by RF Sputtering for Dynamic Random Access Memory Application, Japanese Journal of Applied Physics, 33 (1994), 5187-5191
• [9] Scott J.F., New developments on FRAMs: [3D] structures and all-perovskite FETs, Materials Science and Engineering: B, 120 (2005), 6-12
• [10] Firek P., Werbowy A., Szmidt J., MIS field effect transistor with barium titanate thin film as a gate insulator, Materials Science and Engineering: B, 165 (2009), 126-128
• [11] Brugler J.S., Jespers P.G.A., Charge pumping in MOS devices, IEEE Transactions Electron Devices, 16 (1969), 297-302
• [12] Groeseneken G., Maes H.E., Beltran N., De Keersmaecker R. F., A reliable approach to charge-pumping measurements in MOS transistors, IEEE Transactions Electron Devices, 31 (1984), 42-53
• [13] Van Overstraeten R.J., Decklerck G.J., Muls P.A., Theory of the MOS transistor in weak inversion-new method to determine the number of surface states, IEEE Transactions Electron Devices, ED-22 (1975), 282-288