Grafen otrzymywany metodą elektrolityczną na podłożach z węglika krzemu

• Autorzy: Stańczyk B. , Dobrzański L. , Jagoda A. , Możdżonek M. , Natarajan S.

Warianty tytułu

EN

Graphene obtained by electrolytic method on silicon carbide substrates

• Języki publikacji: PL EN

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono nową technikę osadzania warstw grafenu na podłożach z węglika krzemu metodą elektrolityczną. Polega ona na zastosowaniu jako materiału elektrod grafitu i SiC oraz elektrolitu organicznego poli–styrenosulfonianu sodu (PSS). Widma Ramana osadzanych warstw wskazują na to, że otrzymano grafen. Istnienie wiązań typu C=C potwierdza spektroskopia FTIR. Prowadzono także proces z roztworów na bazie tlenku grafenu. Ponadto w procesie z rozcieńczonym elektrolitem uzyskano rzadką odmianę alotropową węglika krzemu - moissanit, który syntetycznie jest produkowany przede wszystkim na potrzeby przemysłu elektronicznego.

EN

We present a new electrochemical deposition method of graphene layers on silicon carbide substrates. The technological arrangement was comprised of graphite, SiC electrodes and organic electrolyte, i.e. poly(sodium-4-styrenesulphonate), and in the case of an alternative technique suspension with graphene oxide was applied. Graphene layers consisting of flakes were obtained on SiC electrodes, which was concluded based on a Raman Spectroscopy analysis. Moreover, during the process with diluted electrolyte solution we achieved a rare allotropic form of silicon carbide called moissanit, which is commonly used in electronic applications.

Słowa kluczowe

PL

grafen; metoda elektrolityczna

EN

graphene; electrochemical metod

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2014
• Tom: T. 42, nr 3
• Strony: 20--25
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys.

Twórcy

autor

Stańczyk B.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Dobrzański L.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Jagoda A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Możdżonek M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Natarajan S.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

Bibliografia

• [1] Hebda M., Łopata A.: Grafen - materiał przyszłości, Czasopismo Techniczne Politechniki Krakowskiej, 2012, 22, 45-53
• [2] Zhu Y., Murali S., et.al.: Graphene and graphene oxide: synthesis, properties, and applications, Advanced Materials, 2010, 22, 35, 3906 – 3924
• [3] Novoselov K., Geim A., et.al.: Electric field effect in atomically thin carbon films, Science, 2004, 306, 666 - 669
• [4] Dimiev A., Kosynkin D. V., et.al.: Layer-by-layer removal of graphene for device patterning, Science, 2011, 331, 1168 - 1172
• [5] Strupiński W. et.al.: Graphene epitaxy by Chemical Vapor Deposition on SiC, Nano Letters, 2011, 11, 1786 - 1791
• [6] Wang G., Wang B. et. al.: Highly efficient and large-scale synthesis of graphene by electrolytic exfoliation, Carbon, 2009, 47, 3242 – 3246
• [7] Ishikava R., Ko P. J. et.al.: Electrophoretic deposition of high quality transparent conductive graphene films on insulating glass substrates, J. Physics.: Conference Series, 2012, 352, 012003
• [8] Kiefert L., Schmetzer K., Hänni H. A.: Synthetic moissanite from Russia, J. Gemm., 2001, 27, 8, 471 -481
• [9] Xu J., Mao H., Hemley R. J., Hines E.: The moissanite anvil cell: a new tool for high-pressure research, J. Phys.: Condens. Matter. 2002, 14, 11543 – 11548.
• [10] Malard L. M. et.al.: Raman spectroscopy in graphene, Physics Reports, 2009, 473, 51 - 87
• [11] Grodecki K.: Spektroskopia ramanowska grafenu, Materiały Elektroniczne, 41, (2013), 1, 47 - 53