Niechłodzone detektory fotonowe z (Hg,Cd)Te promieniowania 10,6 μm

Niedziela, T.

doi:10.24136/atest.2018.500

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Niechłodzone detektory fotonowe z (Hg,Cd)Te promieniowania 10,6 μm

Autorzy

Niedziela T.

Treść / Zawartość

Pełne teksty:

Pobierz

Identyfikatory

DOI

10.24136/atest.2018.500

Warianty tytułu

Noncooled (Hg,Cd)Te IR photo detectors in range of 10.6 μm wavelength

Języki publikacji

Abstrakty

W artykule dokonano analizy niechłodzonych (T=300K) fotodiod (PC) i detektorów magnetoekskluzyjnch (EMCD) promieniowania 10,6 μm. Obliczenia wykazały, że optymalne parametry fotodiod takie jak grubość czy domieszkowanie dla struktury na podłożu z poszerzoną przerwą energetyczną są inne niż dla konstrukcji z kontaktami omowymi na obu jej końcach. Ustalono optymalne parametry detekcyjne elementów dla fotodiod i detektorów magnetoekskluzyjnych z (Hg,Cd)Te pracujących w temperaturze pokojowej.

In range of 10.6 μm IR radiation an analysis of noncooled (T = 300 K) (PC) photodiodes and (EMCD) magnetoexlusion detectors with (Hg,Cd)Te was made. The basic detection parameters of these devices are limited by the noise resulting from statistical processes of thermal generation and carrier recombination. The parameter evaluation of related photodiodes demonstrates that the optimal parameters such as: thickness or structure doping on the substrate with a widened energy gap differs each other for structures with ohmic contacts at both ends. In the paper, for photodiodes and magnetoexclusion detectors with (Hg,Cd)Te the research results : optimal photosensitive detection parameters are presented for the room temperature (T=300 K) and acceptable large as well as small (5 and 0.5 W / mm2) densities of the dissipated power.

Słowa kluczowe

detektor fotonów detektor magnetoekskluzyjny detektory podczerwieni w wysokiej temperaturze

photon detectors high-temperature infrared detectors magnetoexclusion detector

Wydawca

Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM". sp. z o.o.

Czasopismo

Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe

Rocznik

2018

Tom

R. 19, nr 12

Strony

795--801

Opis fizyczny

Bibliogr. 21 poz., schem., wykr.

Twórcy

autor

Niedziela T.

Uniwersytet Techniczno-Humanistyczny w Radomiu, Wydział Transportu i Elektrotechniki, Zakład Elektrotechniki i Energetyki

Bibliografia

1. Niedziela T.: Detektory fotonowe w warunkach pracy równowagowej, Autobusy, Efektywność transportu, 12, 2016, s. 708-713.
2. Niedziela T.: Detektory fotonowe w warunkach pracy nierównowagowej, Autobusy, Efektywność transportu, 12, 2017, s. 611-615.
3. Niedziela T.: (Hg,Zn)Te photon detectors of thermal radiation, Electrical Review, nr. 7, 2014, s. 48-54.
4. Niedziela T.: Graniczne parametry detekcyjne detektorów fotonowych z (Hg,Zn)Te, Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej, Transport, z. 92, 2013, s. 123-143.
5. Niedziela T.: Near-room temperature narrow-bandgap infrared photon detectors. Research Works of Air Force Institute of Technology, Warsaw, 1996, s.1-300.
6. White A.M., The characteristics of minority-carrier exclusion in narrow direct gap semiconductors, Infrared Phys., 25, 1985, s. 729-741.
7. Ashley T., Elliott C. T. and White A. M.: Non-equilibrium devices for infrared detection," SPIE 572, Infrared Technology XI, 1985, s. 123-132.
8. Ashly T., Elliott C.T., Harker A.T.: Non-equilibrium mode of operation for infrared detectors, Infrared Phys., 26, 1986, s. 303-315.
9. White A.M.: Negative resistance with Auger suppresion in nearintrisic low-band gap photo-diode structure, Infrared Phys., 27, 1987, s. 361-369.
10. Ashly T., Elliott C.T.: Operation and properties of narrow-gap semiconductor devices near room temperature using nonequilibrium techniques, Semicond. Sci. Technol., 8, 1991, s. 199199-105.
11. Davis A.P., Elliott C.T., White A.M.: Current gain photodiode structures, Infrared Phys., 31, 1991, s. 575-577.
12. Niedziela T., Ciupa R., Piotrowski J.: (Cd,Hg)Te 10.6um, radiation magnetoexclusion detectors operating at near-room temperatures. Journal of Technical Physics, 40, 4, 1999, s. 505-514.
13. Niedziela T., Ciupa R.,: Photon detectors in nonequilibrium codnitions. Electron Techology, 32, 4, 1999, s. 373-377.
14. Niedziela T.: Ambient-temperature magneto-exclusion (Cd,Hg)Te detector of 10.6um radiation. Electron Technology, 26, 4, 1993, s. 65-74.
15. Niedziela T., Ciupa R.: Ultimate parameters of Hg1-xCdxTe and InAs1-xSbx n+-p photodiodes. Solid-State Electronics, 45, 2001, s. 41-46.
16. Niedziela T., Ciupa R.: Optimization of parameters of (Hg,Cd)Te n+-p photodiodes for 10.6um spectral region operating at near-room temperatures. Electron Technology, 33, 4, 2000, s. 542-547.
17. Jóźwikowski K., Niedziela T.: High-temperature InAs1-xSbx photodiodes employing nonequilibrium effects. Electron Technology, 32, 4, 1999, s. 378-383.
18. Piotrowski J.: New ways to improve the performance of nearroom temperature photodetectors, Optoelectronics Rev., 1, 1992, s. 9-12.
19. Piotrowski J.: Optical immersion of IR photodetectors as an effective way to reduce cooling requirements, Optica Appl., 23, 1993, s. 85-90.
20. Piotrowski J., Gawron W. and Djuriæ Z.: New generation of near room-temperature photodetectors, 33, 1994, s. 1413-1421.
21. Djuric Z., Piotrowski J., Room temperature IR Detector with electromagnetic carriers depletion. Kongres Optyki, Haga (1991).

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-0e9ceca2-b920-4085-8402-24195121fcc7