Trójpoziomowy przekształtnik podwyższający napięcie z obwodem quasi-impedancyjnym i tranzystorami GaN HEMT

• Autorzy: Zięba Dawid , Rąbkowski Jacek

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2020.07.19

Warianty tytułu

EN

Three-level DC-DC boost converter with quasi-Z source network and GaN HEMTs

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono zasadę działania, badania symulacyjne oraz wyniki badań eksperymentalnych trójpoziomowego przekształtnika podwyższającego napięcie z obwodem quasi-impedancyjnym zbudowanego z wykorzystaniem tranzystorów z azotku galu (GaN) HEMT. Dzięki temu układ pracuje z częstotliwością 250 kHz, co więcej, charakteryzuje się bardzo wysokim współczynnikiem wzmocnienia – wejściowe napięcie o amplitudzie 50V podnosi do napięcia powyżej 750V.

EN

The paper presents principles of operation, results of simulations and experimental study of three-level DC-DC boost converter with quasiZ source network based on GaN HEMT transistors. Due to this feature the converter is switching at 250 kHz, moreover, shows very high voltage gain – input voltage of 50V is boosted above 750V.

Słowa kluczowe

PL

obwód impedancyjny; tranzystor GaN HEMT; trójpoziomowy przekształtnik napięcia

EN

quasi-Z-source network; GaN HEMT; three-level boost converter

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2020
• Tom: R. 96, nr 7
• Strony: 103--106
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Zięba Dawid

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Rąbkowski Jacek

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

Bibliografia

• [1] Jones E.A., Wang F., Costinett D., Review of Commercial GaN Power Devices and GaN-Based Converter Design Challenges, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 4 (2016), n.3, 707-719
• [2] Zhang Y., Shi J., Zhou L., Sumner M., Wang P., Xia C., Wide Input-Voltage Range Boost Three-Level DC-DC Converter With Quasi-Z Source for Fuel Cell Vehicles, IEEE Transactions On Power Electronics, 32 (2017), n.9, 6728-6738
• [3] Reiner R., Waltereit P., Weiss B., Quay R., Ambacher O., Investigation of GaN-HEMTs in Reverse Conduction, PCIM Europe, 16-18 Maj (2017)
• [4] Guillod T., Huber J., Krismer F., Kolar J.W., Litz Wire Losses: Effects of Twisting Imperfections, IEEE 18th Workshop on Control and Modeling for Power Electronics (COMPEL), 9-12 lipiec (2017)
• [5] Jones E., Zhang Z., Wang F., Analysis of the dv/dt Transient of Enchancement-Mode GaN FETs, IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 26-30 Marzec (2017)

Uwagi

Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa Nr 461252 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2020).