Obliczanie mocy traconej w tranzystorach wzmacniacza liniowego klasy AB

• Autorzy: Modzelewski J.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-132

Warianty tytułu

EN

Calculation of power loss in Transistors of Class- AB linear amplifier

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (13 ; 05-09.06.2014 ; Darłówko Wschodnie ; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono metodę obliczania mocy traconej w tranzystorach wzmacniacza liniowego klasy AB w funkcji jego wysterowania. Przyjęto odcinkowo-liniową aproksymację charakterystyki przejściowej tranzystora (dla obszaru dużych prądów, obszaru zakrzywienia i obszaru zatkania. Metoda obejmuje zasady doboru prądu spoczynkowego tranzystorów wzmacniacza klasy AB zapewniające dużą liniowość i sposób obliczania mocy traconej w tranzystorach w funkcji wysterowania. Otrzymane wyniki zweryfikowano drogą symulacji komputerowych wzmacniacza liniowego klasy AB z tranzystorami IRF510 (20W, 1÷3 MHz).

EN

A method of calculating the power dissipated in transistors in the Class-AB linear amplifier versus the amplifier drive level is presented. A piecewiselinear approximation of the transistor transfer characteristic is applied (in the high-current region, in the “knee” region, and in the turn-off region). The method describes how to find the quiescent current of power transistors in the Class-AB amplifier allowing to maximize its linearity and how to calculate the power loss in transistors versus the drive level. This method has been verified by PSPICE simulations of the Class-AB linear power amplifier with IRF510 (20 W, 1÷3 MHz).

Słowa kluczowe

PL

projektowanie liniowych wzmacniaczy mocy; maksymalna moc tracona; wzmacniacz szerokopasmowy; wzmacniacz przeciwsobny

EN

linear power amplifiers design; maximum transistor power loss; wideband amplifier; push-pull amplifier

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 9
• Strony: 51--54
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., wykr.

Twórcy

autor

Modzelewski J.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, Instytut Radioelektroniki

Bibliografia

• [1] S. Ryżko, J. Ebert, „Wzmacniacze rezonansowe i generatory mocy wielkiej częstotliwości”, WNT, Warszawa 1971.
• [2] G. S. Cykin, „Wzmacniacze elektroniczne”, wyd. 2, WKiŁ, Warszawa 1970.
• [3] J. Pawłowski, „Podstawowe układy elektroniczne”, wyd. 2, WKiŁ, Warszawa 1980.
• [4] W. Golde, „Układy elektroniczne”, t. 1. WNT Warszawa 1970.
• [6] W. Golde, „Wzmacniacze tranzystorowe, małej częstotliwości, szerokopasmowe, operacyjne”, WNT Warszawa 1975.
• [7] A. Filipkowski, „Układy elektroniczne analogowe i cyfrowe”, wyd. 3, WNT Warszawa 1993.
• [8] Z. Nosal, J. Baranowski, Układy elektroniczne, cz. I, Układy analogowe liniowe”, WNT Warszawa 1993.
• [9] S. Kuta, G. Krajewski, J. Jasielski, Układy elektroniczne, Wydawnictwa AGH, Kraków, 1995.
• [10] H. Krauss, Ch. Bostian, F. Raab, Solid State Radio Engineering, J. Wiley and Sons, Ltd., New York, 1980.
• [11] M. Albulet,” RF Power Amplifiers”, SciTech Publishing, INC., Raleigh, NC, 2001.
• [12] S. C. Cripps,” RF Power Amplifiers for Wireless Communications”, Artech House, Boston, London 1999.
• [13] M. Kazimierczuk,” RF Power Amplifiers”, J. Wiley and Sons, Ltd., New York, NY 2008.
• [14] J. Sevick, W2FMI, Transmission line transformers, NOBLE Publishing Corporation, Atlanta GA, 2001.
• [15] www.vishay.com.mosfets/list/.
• [16] J. Modzelewski, A. Bartosik, „Liniowy wzmacniacz mocy na pasmo 26–29 MHz z tranzystorami przełącznikowymi”, Elektronika, konstrukcje, technologie, zastosowania, nr 09/2013, str. 131–134.