Pojemności pasożytnicze w układach energoelektronicznych

• Autorzy: Chojowski Maciej , Piróg Stanisław , Baszyński Marcin , Dziadecki Aleksander

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2020.06.14

Warianty tytułu

EN

Parasitic capacities in power electronics systems

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł prezentuje metody wyznaczenia pojemności pasożytniczej w układzie zawierającym tranzystory MOSFET oraz dławik lub transformator. Metody zostały opisane, przeprowadzono symulację komputerową oraz zaprezentowano wyniki doświadczeń laboratoryjnych w celu potwierdzenia ich słuszności.

EN

The article presents methods for determining parasitic capacitance in a power electronics system containing MOSFET transistors and transformer or choke inductance. The methods were described in details and computer simulations were carried out. The results of laboratory experiments were presented to confirm their validity.

Słowa kluczowe

PL

pojemność pasożytnicza; pojemność tranzystora; pojemność transformatora

EN

parasitic capacitance; transistor capacitance; capacitance transformer

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2020
• Tom: R. 96, nr 6
• Strony: 76--80
• Opis fizyczny: Bibliogr. 18 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Chojowski Maciej

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Katedra Energoelektroniki i Automatyki Systemów Przetwarzania Energii, Al. Mickiewicza 30, 31-038 Kraków

autor

Piróg Stanisław

• Politechnika Rzeszowska, Katedra Energoelektroniki i Elektroenergetyki ul. Wincentego Pola 2, 35-959 Rzeszów

autor

Baszyński Marcin

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Katedra Energoelektroniki i Automatyki Systemów Przetwarzania Energii, al. Mickiewicza 30, 31-038 Kraków

autor

Dziadecki Aleksander

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Katedra Energoelektroniki i Automatyki Systemów Przetwarzania Energii, Al. Mickiewicza 30, 31-038 Kraków

Bibliografia

• [1] Longobardi G., Efthymiou L. and Arnold M., GaN power devices for Electric Vehicles State-of-the-art and future perspective, 2018 IEEE International Conference on Electrical Systems for Aircraft, Railway, Ship Propulsion and Road Vehicles & International Transportation Electrification Conference (ESARS-ITEC), Nottingham, 2018, 1-6.
• [2] Rąbkowski J., Tranzystory GaN w falowniku mostkowym o wysokiej częstotliwości przełączeń (250kHz), Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, 05/2016, 45-48.
• [3] Kaczmarczyk Z., Zellner M., Frania K, Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, 3/2018, 55-59
• [4] Janke W., Bączek M., Kraśniewski J., Wpływ efektów pasożytniczych na wybrane właściwości przetwornicy Flyback, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, 8/2018, 44-46
• [5] Baherník M., Látková M., Kaprál D. and Braciník P., The mathematical model of the power transformer considering the parasitic capacitances, 2016 17th International Scientific Conference on Electric Power Engineering (EPE), Prague, 2016, 1-4.
• [6] Zdanowski M. and Barlik R., Analytical and experimental determination of the parasitic parameters in high frequency inductor, Bull. Pol. Ac.: Tech. 65, 2017, 107?112.
• [7] International Rectifier. A More Realistic Characterization of Power MOSFET Output Capacitance Coss.
• [8] Biela J. and Kolar J. W., Using Transformer Parasitics for Resonant Converters—A Review of the Calculation of the Stray Capacitance of Transformers, IEEE Transactions on Industry Applications, vol. 44, no. 1, Jan.-feb. 2008, 223-233. 80 PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY, ISSN 0033-2097, R. 96 NR 6/2020
• [9] Barlik R., Grzejszczak P., Zdanowski M., Determination of the basic parameters of the high-frequency planar transformer, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, R. 92 NR 6/2016
• [10] Young A., Characterizing the dynamic output capacitance of a MOSFET, ON Semiconductor, September 18, 2013.
• [11] Chattopadhyay R., Juds M., Ohodnicki P. and Bhattacharya S., Modelling, design and analysis of three limb high frequency transformer including transformer parasitics, for SiC Mosfet based three port DAB, IECON 2016 - 42nd Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society, Florence, 2016, 4181-4186.
• [12] Vijaya Kumar N., Satpathy S. and Lakshminarasamma N., Analysis and design methodology for Planar Transformer with low self-capacitance used in high voltage flyback charging circuit, 2016 IEEE International Conference on Power Electronics, Drives and Energy Systems (PEDES), Trivandrum, 2016, 1-5.
• [13] Zdanowski M., Barlik R., Geometria uzwojeń i wyznaczanie parametrów pasożytniczych dławika o zredukowanej pojemności, PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY, , ISSN 0033-2097, 4/2017, 10-13.
• [14] Jałbrzykowski S., Citko T., Current-fed resonant full-bridge boost DC/AC/DC converter, IEEE Trans. Ind. Electron., vol. 55, no. 3, Mar. 2008, 1198–1205.
• [15] Bal S., Yelaverthi D. B., Rathore A. K. and Srinivasan D., Improved Modulation Strategy Using Dual Phase Shift Modulation for Active Commutated Current-Fed Dual Active Bridge, IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 33, no. 9, Sept. 2018, 7359-7375.
• [16] Qin Z., Shen Z. and Blaabjerg F., Modelling and analysis of the transformer current resonance in dual active bridge converters, 2017 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), Cincinnati, OH, 2017, 4520-4524.
• [17] Datasheet of STW20NK50Z - N-channel 500 V, 0.23 ?, 20 A SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected in TO-247 package.
• [18] Datasheet of High-voltage Differential Probes TMDP0200 - THDP0200 - THDP0100 - P5200A - P5202A - P5205A - P5210A: https://www.tek.com/sites/default/files/media/media/resources/ TMDP-THDP-P5200A-High-Voltage-Differential-Probe- Datasheet-10_92.pdf

Uwagi

Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa Nr 461252 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2020).