Badanie właściwości elementów mocy z węglika krzemu w zastosowaniach układowych

• Autorzy: Łykowski A. , Szewczyk A.

Warianty tytułu

EN

Studies of silicon carbide power devices properties in application circuits

• Konferencja: XV Seminarium Zastosowanie komputerów w nauce i technice Gdańsk 2015 (XV; 2015, Gdańsk, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule prezentowane są wyniki badania właściwości elementów SiC w zastosowaniach układowych. Do celów pomiarowych zaprojektowano układ przetwornicy realizujący konfigurację buck oraz boost z elementami aktywnymi z SiC oraz z krzemu, jako elementami referencyjnymi. Układ przetwornicy był badany dla różnych zestawów elementów, konfiguracji i parametrów pracy.

EN

The paper presents results of study on Silicon Carbide power devices applications in circuits. For this purpose the model of switching converter was designed and fabricated. The model allows application of both, buck and boost architecture. As a reference elements, typical silicon power devices were used. For SiC and Si devices the efficiency and disturbance level was measured. For boost architecture the highest efficiency was noticed for SiC devices, while for bust architecture the efficiency for those devices was lower. For both cases generated disturbances were lowest while Silicon carbide devices were used.

Słowa kluczowe

PL

przetwornica impulsowa; węglik krzemu

EN

silicon carbide power devices; switching converter

• Wydawca: Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
• Rocznik: 2015
• Tom: Nr 46
• Strony: 73--76
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Łykowski A.

• Jabil Circuit Poland

autor

Szewczyk A.

• Politechnika Gdańska, Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki

Bibliografia

• 1. Michalski A., Zymmer K.: Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu w przekształtnikach energo-elektronicznych, Prace Instytutu Elektrotechniki, zeszyt 248, 2010
• 2. Takahashi I.: Sic Power Converter Technology in Future, mat. konf. IEMDC’03 IEEE 2003
• 3. Zarębski J.: Tranzystory mocy typu MOS z węglika krzemu. Elektronika 7/2004
• 4. Nielsen R., Török L., Munk S. Blaabjerg F.: Efficiency and Cost Comparison of Si IGBT and SiC JFET Isolated DC/DC Converters Department of Energy Technology, University Denmark 2013
• 5. Mostaghimi O., Wright N., Horsfall A.: Design and Performance Evaluation of SiC Based DC-DC Converters for PV Applications, mat. wykł. School of Electrical and Electronic Engineering, Newcastle University 2012