A new method for calculation of high-temperature capacitors thermal resistance

• Autorzy: Hapka A.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

In this paper, issues related to the self-heating phenomenon in high-temperature capacitors are described. Measurements of capacitance and parasitic resistance, as a function of frequency and ambient temperature of considered capacitors are presented. Novel procedures for calculation of internal temperature changes are proposed and a novel method for acquiring thermal resistance values is developed and its numerical error is estimated.

PL

W niniejszej pracy, opisano zagadnienia związane ze zjawiskiem samonagrzewania w kondensatorach wysokotemperaturowych. Przedstawiono wyniki pomiarów pojemności i oporności pasożytniczej wybranych kondensatorów w funkcji częstotliwości i temperatury otoczenia. Zaproponowano nową metodę obliczania zmian temperatury wewnątrz elementu oraz wyznaczania jego rezystancji termicznej. Oszacowano błędy numeryczne proponowanej metody.

Słowa kluczowe

EN

high-temperature capacitors; heat profiles; thermal resistance

PL

kondensatory wysokotemperaturowe; profile cieplne; rezystancja termiczna

• Wydawca: Wydawnictwo Uczelniane Politechniki Koszalińskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
• Rocznik: 2016
• Tom: Nr 9
• Strony: 99--106
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., wykr., tab.

Twórcy

autor

Hapka A.

• Department of Electronics and Computer Sciences, Koszalin University of Technology, Poland

Bibliografia

• 1. J. P. Zheng, Z. N. Jiang, Resistance distribution in electrochemical capacitors with spiral-wound structure, Journal of Power Sources 156 (2006), pp. 748-754, http://dx.doi.org/10.1016/j.jpowsour.2005.05.089.
• 2. F. Rafik, H. Gualous, R. Gallay, A. Crausaz, A. Berthon, Frequency, thermal and voltage supercapacitor characterization and modeling, Journal of Power Sources 165 (2007), pp. 928-934, http://dx.doi.org/10.1016/j.jpowsour.2006.12.021.
• 3. R. Faranda, A new parameters identification procedure for simplified double layer capacitor two-branch model, Electric Power Research 80 (2010), pp. 363- 371, http://dx.doi.org/10.1016/j.epsr.2009.10.024.
• 4. A. Hapka, Properties of the silicon carbide devices, working in the Pulse Width Modulation power converters in the wide range of power and temperature, N N515 533538 Project final report, 2012.
• 5. http://www.vishay.com/docs/40024/135d.pdf
• 6. L. O. Chua, Pen Min Lin, Computer-Aided Analysis of Electronic Circuits : Algorithms and Computational Techniques, WNT, Warsaw 1981.
• 7. W. Janke, Thermal phenomena in semiconductor devices and circuits, WNT, Warsaw 1992.