Analysis of an anti-parallel memristor circuit

• Autorzy: Mladenov V. , Kirilov S.

Identyfikatory

DOI

10.5604/01.3001.0012.0696

Warianty tytułu

PL

Analiza przeciwrównoległego obwodu memrystorowego

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The basic purpose of the present paper is to propose an extended investigation and computer analysis of an anti-parallel memristor circuit with two equivalent memristor elements with different initial values of the state variables using a modified Boundary Condition Memristor (BCM) Model and the finite differences method. The memristor circuit is investigated for sinusoidal supply current at different magnitudes – for soft-switching and hardswitching modes, respectively. The influence of the initial values of the state variables on the circuit’s behaviour is presented as well. The equivalent i-v and memristance-flux and the other important relationshipsof the memristor circuit are also analyzed.

PL

Podstawowym celem niniejszego artykułu jest zaproponowanie rozszerzonego badania i komputerowej analizy przeciwrównoległego układu memrystorowego z dwoma równoważnymi elementami memrystorowymi o różnych wartościach początkowych zmiennych stanu z wykorzystaniem zmodyfikowanego modelu Boundary Condition Memristor (BCM) i metody różnic skończonych. Obwód memrystorowy jest badany dla sinusoidalnego prądu zasilania o różnych wielkościach – odpowiednio dla trybów miękkiego przełączania i twardego przełączania. Przedstawiono również wpływ wartości początkowych zmiennych stanu na zachowanie obwodu. Analizowane są również równoważne charakterystyki prądowo-napięciowe zależność między memrystancją i strumieniem magnetycznym oraz inne ważne cechy obwodu memrystora.

Słowa kluczowe

EN

memristor; anti-parallel memristor circuit; finite differences method; equivalent resistance

PL

memrystor; przeciwrównoległy obwód memrystorowy; metoda różnic skończonych; rezystancja równoważna

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
• Czasopismo: Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
• Rocznik: 2018
• Tom: T. 8, nr 2
• Strony: 9--14
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys.

Twórcy

autor

Mladenov V.

• Technical University of Sofia, Faculty of Automatics, Department of Theoretical Electrical Engineering

autor

Kirilov S.

• Technical University of Sofia, Faculty of Automatics, Department of Theoretical Electrical Engineering

Bibliografia

• [1] Ascoli A., Corinto F., Tetzlaff R.: Generalized Boundary Condition Memristor Model. Int. J. Circ. Theor. Appl. 44/2016, 60–84.
• [2] Brandisky K., Georgiev Z., Mladenov V., Stancheva R.: Theoretical Electrical Engineering – Part 1 & 2, KING Publishing House, Sofia 2005.
• [3] Chua L.O.: Memristor – The Missing Circuit Element. IEEE Trans. on Circuit Theory CT-18/1971, 507–519.
• [4] Corinto F., Ascoli A.: A Boundary Condition-Based Approach to the Modelling of Memristor Nanostructures. IEEE Transactions on Circuits and Systems - I, Regular Papers 59(11)/2012, 2713–2726.
• [5] Hristov M., Vassileva T., Manolov M.: Semiconductor elements. New knowledge Publishing House, Sofia 2007.
• [6] MATLAB – Version 7.12.0.635 (R2011a) User’s Guide. The MathWorks, Inc.
• [7] Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S.: The missing memristor found. Nature 453(06932)/2008, 80–83.
• [8] Walsh A., Carley R., Feely O., Ascoli A: Memristor circuit investigation through a new tutorial toolbox. European Conference on Circuit Theory and Design (ECCTD) – Germany, 2013, 1–4.