PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Analysis of an anti-parallel memristor circuit

Treść / Zawartość
Identyfikatory
Warianty tytułu
PL
Analiza przeciwrównoległego obwodu memrystorowego
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
The basic purpose of the present paper is to propose an extended investigation and computer analysis of an anti-parallel memristor circuit with two equivalent memristor elements with different initial values of the state variables using a modified Boundary Condition Memristor (BCM) Model and the finite differences method. The memristor circuit is investigated for sinusoidal supply current at different magnitudes – for soft-switching and hardswitching modes, respectively. The influence of the initial values of the state variables on the circuit’s behaviour is presented as well. The equivalent i-v and memristance-flux and the other important relationshipsof the memristor circuit are also analyzed.
PL
Podstawowym celem niniejszego artykułu jest zaproponowanie rozszerzonego badania i komputerowej analizy przeciwrównoległego układu memrystorowego z dwoma równoważnymi elementami memrystorowymi o różnych wartościach początkowych zmiennych stanu z wykorzystaniem zmodyfikowanego modelu Boundary Condition Memristor (BCM) i metody różnic skończonych. Obwód memrystorowy jest badany dla sinusoidalnego prądu zasilania o różnych wielkościach – odpowiednio dla trybów miękkiego przełączania i twardego przełączania. Przedstawiono również wpływ wartości początkowych zmiennych stanu na zachowanie obwodu. Analizowane są również równoważne charakterystyki prądowo-napięciowe zależność między memrystancją i strumieniem magnetycznym oraz inne ważne cechy obwodu memrystora.
Rocznik
Strony
9--14
Opis fizyczny
Bibliogr. 8 poz., rys.
Twórcy
autor
  • Technical University of Sofia, Faculty of Automatics, Department of Theoretical Electrical Engineering
autor
  • Technical University of Sofia, Faculty of Automatics, Department of Theoretical Electrical Engineering
Bibliografia
  • [1] Ascoli A., Corinto F., Tetzlaff R.: Generalized Boundary Condition Memristor Model. Int. J. Circ. Theor. Appl. 44/2016, 60–84.
  • [2] Brandisky K., Georgiev Z., Mladenov V., Stancheva R.: Theoretical Electrical Engineering – Part 1 & 2, KING Publishing House, Sofia 2005.
  • [3] Chua L.O.: Memristor – The Missing Circuit Element. IEEE Trans. on Circuit Theory CT-18/1971, 507–519.
  • [4] Corinto F., Ascoli A.: A Boundary Condition-Based Approach to the Modelling of Memristor Nanostructures. IEEE Transactions on Circuits and Systems - I, Regular Papers 59(11)/2012, 2713–2726.
  • [5] Hristov M., Vassileva T., Manolov M.: Semiconductor elements. New knowledge Publishing House, Sofia 2007.
  • [6] MATLAB – Version 7.12.0.635 (R2011a) User’s Guide. The MathWorks, Inc.
  • [7] Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S.: The missing memristor found. Nature 453(06932)/2008, 80–83.
  • [8] Walsh A., Carley R., Feely O., Ascoli A: Memristor circuit investigation through a new tutorial toolbox. European Conference on Circuit Theory and Design (ECCTD) – Germany, 2013, 1–4.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-081c7242-33ef-42cf-b83d-f47364267d7a
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.