Półprzewodnikowe lasery dyskowe - korzyści z inżynierii przerwy wzbronionej

• Autorzy: Muszalski J. , Broda A. , Jasik A. , Wójcik-Jedlińska A. , Sankowska I. , Kubacka-Traczyk J. , Trajnerowicz A.

Warianty tytułu

EN

Semiconductor Disc Laser – advantages of band-gap engineering

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Półprzewodnikowe lasery dyskowe, dzięki połączeniu osiągnięć w dziedzinie konstrukcji otwartych rezonatorów właściwych dla laserów na ciele stałym i współczesnych technologii półprzewodnikowych, pozwalają na konstrukcję emiterów o unikatowych własnościach. Doskonała jakość wiązki gaussowskiej, praca na pojedynczym modzie podłużnym, duża moc, od kilku do kilkudziesięciu watów, i jednocześnie elastyczność inżynierii przerwy wzbronionej determinującej długość fali emisji czynią lasery te szczególnie atrakcyjnymi źródłami emisji koherentnej. W artykule przedstawione zostały właściwości półprzewodnikowych laserów dyskowych i wyniki prac badawczych prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej.

EN

Semiconductor Disc Lasers profit both from know-haw of the solid state laser resonator set-ups and modern semiconductor epitaxial technology. Excellent optical quality of emitted Gaussian beams, single mode operation, high power ranging from single to tenths of Watts and the flexibility of the band gap engineering of the emission wavelength makes them particularly suitable in very demanding application were no other source exists. In his paper a review on the Semiconductor Disk laser will be provided and the experimental data of the research carried on in Institute of Electron Technology will be presented.

Słowa kluczowe

PL

laser półprzewodnikowy; laser dyskowy; VECSEL; epitaksja

EN

semiconductor laser; disc laser; VECSEL; epitaxy

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2015
• Tom: R. 91, nr 9
• Strony: 143--146
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Muszalski J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-660 Warszawa

autor

Broda A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-660 Warszawa

autor

Jasik A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-660 Warszawa

autor

Wójcik-Jedlińska A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-660 Warszawa

autor

Sankowska I.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-660 Warszawa

autor

Kubacka-Traczyk J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-660 Warszawa

autor

Trajnerowicz A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 32/46, 02-660 Warszawa

Bibliografia

• [1] Wang T.-L., Heinen B., Hader J., Dineen C., Sparenberg M., Weber A., Kunert B., Koch S.W., Moloney J.V., Koch M., Stolz W., Quantum design strategy pushes high-power verticalexternal-cavity surface-emitting lasers beyond 100W, Laser Photonics Rev. 6, No. 5, L12–L14 (2012)
• [2] Rudin B., Rutz A., Hoffmann M., Maas D.J.H.C., Bellancourt A.- R., Gini E., Südmeyer T., and Keller U., Highly efficient optically pumped vertical-emitting semiconductor laser with more than 20 W average output power in a fundamental transverse mode, Optics Lett. 33(22), 2719, (2008)
• [3] Laurain A., Mart C., Hader J., Moloney J.V., Kunert B., and Stolz W., 15W Single Frequency Optically Pumped Semiconductor LaserWith Sub-Megahertz Linewidth, IEEE Photo. Technol. Lett., 26(2), 131, (2014)
• [4] Rantamäki A., Chamorovskiy A., Lyytikäinen J., and Okhotnikov O., 4.6-W Single Frequency Semiconductor Disk Laser With <75-kHz Linewidth, Photonics Technol. Lett. IEEE 24, pp. 1378, (2012)
• [5] Okhotnikov O., Semiconductor Disk Lasers, Wiley-VCH, (2010)
• [6] Calvez S., Hastie J.E., Guina M., Okhotnikov O.G., Dawson M.D., Semiconductor disk lasers for the generation of visible and ultraviolet radiation, Laser & Photon. Rev. 3, No. 5, 407-434 (2009)
• [7] Yao Y., Zheng Q., Qu D.P., Zhou K., Liu Y., and Zhao L., Allsolid-state continuous-wave frequency doubled Nd:YAG/LBO laser with 1.2 W output power at 561 nm, Laser Phys. Lett. 7(2), 112-115 (2010)
• [8] Kantola E., Leinonen T., Ranta S., Tavast M., and Guina M., High-efficiency 20 W yellow VECSEL, Optics Express, Vol. 22, Issue 6, 6372-6380 (2014)
• [9] Toikkanen L., Härkönen A., Lyytikäinen J., Leinonen T., Laakso A., Tukiainen A., Viheriälä J., Bister M., and Guina M., Optically pumped edge-emitting GaAs-based laser with direct orange emission, Photon. Technol. Lett. 26(4), 384–386 (2014). http://dx.doi.org/10.1109/LPT.2013.2294726
• [10] Baili G., Alouini M., Malherbe T., Dolfi D., Sagnes I. and Bretenaker F., Direct observation of the class-B to class-A transition in the dynamical behavior of a semiconductor laser, EPL 87 (2009) 44005
• [11] Hempler N., Hopkins J.-M., Kemp A.J., Schulz N., Rattunde M., Wagner J., Dawson M.D., Burns D., Pulsed pumping of semiconductor disk lasers, Opt. Express 15, 3247-3256 (2007)
• [12] Saarinen E.J., et al., Electronics Letters, 48(21), 1355-1357, (2012)
• [13] Muszalski J., Broda A., Jasik A., Wójcik-Jedlińska A., Trajnerowicz A., Kubacka-Traczyk J., Sankowska I., VECSELs emitting at 976nm designed for second harmonic generation in the blue wavelength region, Proc. SPIE 8702, Laser Technology 2012: Progress in Lasers, 87020A (22 January 2013)
• [14] Muszalski J., Broda A., Trajnerowicz A., Wójcik-Jedlinska A., Sarzala R.P., Wasiak M., Gutowski P., Sankowska I., Kubacka- Traczyk J., Golaszewska-Malec K., Switchable double wavelength generating vertical external cavity surface-emitting laser, Optics Express, 22(6), 6447 (2014)