Szumy małej częstotliwości detektorów nBn na zakres średniej podczerwieni wykonanych z supersieci II rodzaju InAs/GaSb z barierą Al0.2Ga0.8Sb

• Autorzy: Ciura Ł. , Kolek A. , Kowalewski A. , Gawron W.

Warianty tytułu

EN

Low frequency noise of nBn InAs/GaSb type-II superlattices mid-wavelength infrared detectors with barrier Al0.2Ga0.8Sb

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono pomiary szumów małej częstotliwości detektora średniej podczerwieni typu nBn wykonanego na bazie supersieci II-rodzaju InAs/GaSb z barierą Al0.2Ga0.8Sb. Badania przeprowadzono w temperaturze 77K. Pokazano, że widma szumów są superpozycją lorencjanów o różnych stałych czasowych. Dla małych prądów szum 1/f powiązano z fluktuacjami rezystancji upływu S1(f) ~ U/²/IRsh². W zakresie napięć, gdzie dominują prądy tunelowe, zaobserwowano zależność S1(f) ~ /I. Wyniki pomiarów porównano z szumami m. cz. fotodiody z HgCdTe.

EN

In this paper low frequency noise of mid-wavelength infrared detector nBn made of II-type superlattices InAs/GaSb with barrier Al0.2Ga0.8Sb was shown. Measurements at temperature 77K was done. It was concluded that power spectral density is a sum of several lorentzians with different time constants. For small currents 1/f noise was connected with fluctuations of leakage resistance S1(f) ~ U²IRsh². When tunneling currents dominate in total dark current relationship S1(f) ~ I was observed. Results of the noise measurements was compared with low frequency noise of the photodiode p-n based on HgCdTe.

Słowa kluczowe

PL

szumy 1/f; detektory średniej podczerwieni; struktura nBn; HgCdTe

EN

1/f noise; mid-wavelength infrared detectors; nBn structure; HgCdTe

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2013
• Tom: Vol. 54, nr 11
• Strony: 88--91
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., wykr.

Twórcy

autor

Ciura Ł.

• Politechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elektroniki

autor

Kolek A.

• Politechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elektroniki

autor

Kowalewski A.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, Warszawa

autor

Gawron W.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Rogalski A., Martyniuk P., InAs/GaInSb superlattices as a promising material system for third generation infrared detectors, Infrared Phys. Technol., vol. 48, 2006, pp. 39-52.
• [2] Maimon S., Wicks G., nBn detector, an infrared detector with reduced dark current and higher operating temperature, Appl. Phys. Lett., 2006.
• [3] Rodriguez J., Plis E., Bishop G. i in., nBn structure based on InAs/GaSb type-II strained layer superlattices, Appl. Phys. Lett., 2007.
• [4] Martyniuk P., Wróbel J., Plis E. i in., Performance modeling of MWIR InAs/GaSb/B-Al0.2Ga0.8Sb type-II superlattice nBn detector, Semicond. Sci. Technol., vol. 27, 2012.
• [5] Gawron W., Rogalski A., Madejczyk P. i in., Heterostruktury w niechłodzonych detektorach podczerwien, Elektronika, 10, 2010, 106-108.
• [6] Rogalski A., Infrared Detectors, 2nd ed., Boca Raton, FL: CRC Press, 2011.
• [7] Ciura Ł., Kolek A., Zawiślak Z. i in., Pomiar szumów małej częstotliwości diodowych detektorów podczerwieni, Wiadomości Elektrotechniczne, 20-22, 2012.
• [8] Hooge F., Klainpenning T., Vandamme L., Experimental studies on 1/f noise, Pep. Prog. Phys. vol. 44, 1981, pp. 479.
• [9] Weissman M., 1/f noise and other slow nonexponential kinetics in condensed matter, Rev. Mod. Phys., vol. 60, 1988, pp. 537.
• [10] Bishop G., Plis E., Rodriguez J., nBn detectors based on InAs/GaSb type-II strain layer superlattice, J. Vac. Sci. Technol. B, 2008, pp. 1145-1148.
• [11] Nemirovsky Y., Unikovsky A., Tunneling and 1/f noise currents in HgCdTe photodiodes, J. Vac. Sci. Technol. B, 1992, pp. 1602.