Tłumienie efektu thermal crosstalk w linijkach laserowych

• Autorzy: Dąbrówka Dominika , Sarzała Robert P.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2022.09.36

Warianty tytułu

EN

Suppression of the thermal crosstalk effect in laser arrays

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki termicznej analizy numerycznej matrycy azotkowych laserów o emisji krawędziowej emitujących falę 540 nm. Rozważono trzy różne rozwiązania konstrukcyjne zapewniające efektywne ograniczenie modu w rejonie obszaru czynnego emitera. Obliczenia przeprowadzono dla matryc zawierających od dwóch do dziesięciu emiterów. Wyniki pokazują, iż równomierny rozkład temperatury w poszczególnych emiterach można uzyskać bez wyrafinowanego układu sterującego, ale jedynie odpowiednio rozmieszczając emitery w matrycy.

EN

In the paper the results of a numerical thermal crosstalk analysis of 540 nm nitride-based edge-emitting lasers are presented. The work investigated three different structures that provide effectives mode reduction in the active region of the emitter. A laser array consisting of two to ten emitters was considered. The obtained results show that a uniform temperature distribution in individual emitters can be achieved without a sophisticated control system, but only by properly placing the emitters in the array.

Słowa kluczowe

PL

matryca lasera o emisji krawędziowej; InGaN/GaN; analiza termiczna; symulacja komputerowa

EN

edge emitting laser bar; InGaN/GaN; thermal analysis; computer simulation

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2022
• Tom: R. 98, nr 9
• Strony: 162--165
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Dąbrówka Dominika

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 217/221, 93-005 Łódź

• https://orcid.org/0000-0001-8571-3082

autor

Sarzała Robert P.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 217/221, 93-005 Łódź

• https://orcid.org/0000-0002-2929-0844

Bibliografia

• [1] Wang H., Kawahito Y., Yoshida R., Shiokawa K., Development of a high-power blue laser (445 nm) for material processing, Opt. Lett., 42 (2017), 2251
• [2] Nakatsu Y., Nagao Y., Kozuru K., Hirao T., Okahisa E., Masui S., Yanamoto T., Nagahama S., High-efficiency blue and green laser diodes for laser displays, Proc. SPIE 10918 (2019), 99-107
• [3] Xiu H., Xu P., Wen P., Zhang Y., Yang J., Rapid degradation of InGaN/GaN green laser diodes, Superlattices and Microstructures, 142 (2020), 106517
• [4] Marioli M., Meneghini M., Rossi F., Salviati G., de Santi C., Mura G., Meneghesso G., Zanoni E., Degradation mechanisms and lifetime of state-of-the-art green laser diodes, Phys. Status Solidi, 212 (2015) 974–979
• [5] Tian A., Hu L., Zhang L., Liu J., Yang H., Design and growth of GaN-based blue and green laser diodes, Science China Materials, 63 (2020), 1348-1363
• [6] König H., Ali M., Bergbauer W., Brückner J., Brüderl G., Eichler C., Gerhard S., Heine U., Lell A., Naehle L., Peter M.,Ristic J., Rossbach G., Somers A., Stojetz B., Tautz S., Wagner J., Wurm T., Strauss U., Baumann M., Black A., Krause V., Visible GaN laser diodes: from lowest thresholds to highest power levels, Proc. SPIE 10939 (2019), 29-37
• [7] Pourhashemi, A.; Farrell, R.M.; Cohen, D.A.; Speck, J.S.; DenBaars, S.P.; Nakamura, S. High-power blue laser diodes with indium tin oxide cladding on semipolar (2021) GaN substrates. Appl. Phys. Lett., 106 (2015), 111105
• [8] Schenk H.P.D., Nemoz M., Korytov M., Vennéguès P., Demolon P., Dräger A.D., Hangleiter A., Charash R., Maaskant P.P., Corbett B., Duboz J.Y., AlInN optical confinement layers for edge emitting group III-nitride laser structures. Phys. Status Solidi C, 6 (2009), 897–901
• [9] Stańczyk S., Czyszanowski T., Kafar A., Czernecki R., Targowski G., Leszczyński M., Suski T., Kucharski R., Perlin P., InGaN laser diodes with reduced AlGaN cladding thickness fabricated on GaN plasmonic substrate, Appl. Phys. Lett., 102 (2013), 151102
• [10] Kuc M., Piskorski Ł., Dems M., Wasiak M., Sokół A.K., Sarzała R.P., Czyszanowski T., Numerical Investigation of the Impact ofITO, AlInN, Plasmonic GaN and Top Gold Metalization on Semipolar Green EELs, Materials, 13 (2020), n.6, 1444
• [11] Kuc M., Sokół A.K., Piskorski Ł., Dems M., Wasiak M., Sarzała R.P., Czyszanowski T., ITO layers as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers, Bulletin of the Polish Academy of Sciences: Technical Sciences, 68 (2020), n.1, 147-154

Uwagi

Opracowanie rekordu ze środków MEiN, umowa nr SONP/SP/546092/2022 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2022-2023).