Opracowanie efektywnych metod domieszkowania warstw ZnO glinem w procesie ALD i optymalizacja tych warstw

• Autorzy: Pietruszka R. , Luka G , Witkowski B. S. , Wachnicki Ł. , Gieraltowska S , Stapiński T. , Marszałek K. , Godlewski M.

Warianty tytułu

EN

Developing of effective methods of aluminum doping of ZnO layers in ALD process and optimization of these layers

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Warstwy tlenku cynku domieszkowanego atomami glinu ZnO:Al były wzrastane metodą osadzania warstw atomowych (ALD, z ang. A-atomic, L-layer, D-deposition). Na szklanych podłożach osadzono warstwy ZnO:Al (tzw. warstwa AZO) o grubości 200 nm. Temperatura osadzania warstwy AZO była równa 160 oC. Najlepsze parametry elektryczne oraz krystalograficzne otrzymano używając dwóch wysoko reaktywnych prekursorów cynku i glinu. Użyto diethylzinc jako prekursor cynkowy oraz trimethylaluminum jako prekursor glinowy. Otrzymane struktury wykazały wysoką transmisję oraz niskie rezystywności rzędu 10-3 Ωcm. Po optymalizacji procesu wzrostu warstw ZnO:Al testowano je jako przezroczyste elektrody do zastosowań fotowoltaicznych.

EN

We achieved high conductivity of zinc oxide layers doped with aluminum atoms using atomic layer deposition (ALD) method. Their growth mode, electrical and optical properties have been investigated. We discuss how the growth temperature and doping affect resistivity and optical properties of the films. The obtained resistivities of ZnO:Al thin films ( 1.2x10-3 Ωcm) and high transparency make them suitable for the TCO applications in photovoltaics.

Słowa kluczowe

PL

tlenek cynku; domieszkowanie; osadzanie warstw atomowych

EN

zinc oxide; doping; TCO; atomic layer deposition

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2014
• Tom: R. 90, nr 10
• Strony: 203--205
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Pietruszka R.

• IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Luka G

• IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Witkowski B. S.

• IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Wachnicki Ł.

• IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Gieraltowska S

• IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Stapiński T.

• AGH w Krakowie, Katedra Elektroniki, al. Mickiewicza 30, 30-059 Kraków

autor

Marszałek K.

• AGH w Krakowie, Katedra Elektroniki, al. Mickiewicza 30, 30-059 Kraków

autor

Godlewski M.

• IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

Bibliografia

• [1] Johnson N.M.; Nurmikko A. V.; DenBaars S. P. Phys. Today, 53(10), 31, 2000
• [2] Powell A.R.; Rowland L. B. Proc IEEE 90, 942, 2002
• [3] Pietruszka R.; Luka G.; Kopalko K.; Zielony E.; Bieganski P.; Placzek-Popko E.; Godlewski M. Materials Science in Semiconductor Processing, 25, 190–196, 2014
• [4] Pietruszka R.; Luka G.; Kopalko K.; Zielony E.; Bieganski P.; Placzek-Popko E.; Godlewski M. Thin Solid Films, 563, 28–31, 2014
• [5] Chen Y.; Bagnall D.M.; Koh H.J.; Park K.T.; Hiraga K.; Zhu Z.Q.; Yao T.J. Appl. Phys. 84, 3912, 1998
• [6] Godlewski M.; Guziewicz E.; Kopalko K.; Łuka G.; Łukasiewicz M.I.; Krajewski T.; Witkowski B.S.; Gierałtowska S. Low Temp. Phys. 37, 301, 2011
• [7] Pietruszka R.; Witkowski B.S.; Luka G.; Wachnicki L.; Gieraltowska S.; Kopalko K.; Zielony E.; Bieganski P.; Placzek- Popko E.; Godlewski M. Beilstein Journal of Nanotechnology, 5, 173-179, 2014
• [8] Descoeudres, A.; Holman, Z.C.; Barraud, L.; Morel, S.; de Wolf, S.; Ballif, C. IEEE J. Photovoltaics, 3, 83–89, 2013
• [9] Lee, W.; Shin, S.; Jung, D.-R.; Kim, J.; Nahm, C.; Moon, T.; Park, B. Curr. Appl. Phys., 12, 628–631, 2012
• [10] Bowen, A.; Li, J.; Lewis, J.; Sivaramakrishnan, K.; Alford, T.L.; Iyer, S. Thin Solid Films, 519, 1809–1816, 2011
• [11] Luka, G.; Krajewski, T.; Wachnicki, L.; Witkowski, B.; Lusakowska, E.; Paszkowicz, W.; Guziewicz, E.; Godlewski, M. Phys. Status Solidi A, 207, 1568–1571, 2010