PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Opracowanie efektywnych metod domieszkowania warstw ZnO glinem w procesie ALD i optymalizacja tych warstw

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Developing of effective methods of aluminum doping of ZnO layers in ALD process and optimization of these layers
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Warstwy tlenku cynku domieszkowanego atomami glinu ZnO:Al były wzrastane metodą osadzania warstw atomowych (ALD, z ang. A-atomic, L-layer, D-deposition). Na szklanych podłożach osadzono warstwy ZnO:Al (tzw. warstwa AZO) o grubości 200 nm. Temperatura osadzania warstwy AZO była równa 160 oC. Najlepsze parametry elektryczne oraz krystalograficzne otrzymano używając dwóch wysoko reaktywnych prekursorów cynku i glinu. Użyto diethylzinc jako prekursor cynkowy oraz trimethylaluminum jako prekursor glinowy. Otrzymane struktury wykazały wysoką transmisję oraz niskie rezystywności rzędu 10-3 Ωcm. Po optymalizacji procesu wzrostu warstw ZnO:Al testowano je jako przezroczyste elektrody do zastosowań fotowoltaicznych.
EN
We achieved high conductivity of zinc oxide layers doped with aluminum atoms using atomic layer deposition (ALD) method. Their growth mode, electrical and optical properties have been investigated. We discuss how the growth temperature and doping affect resistivity and optical properties of the films. The obtained resistivities of ZnO:Al thin films ( 1.2x10-3 Ωcm) and high transparency make them suitable for the TCO applications in photovoltaics.
Rocznik
Strony
203--205
Opis fizyczny
Bibliogr. 11 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
  • IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
autor
  • IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
  • IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
  • IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
  • IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
  • AGH w Krakowie, Katedra Elektroniki, al. Mickiewicza 30, 30-059 Kraków
  • AGH w Krakowie, Katedra Elektroniki, al. Mickiewicza 30, 30-059 Kraków
autor
  • IF PAN w Warszawie, Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zespół Technologii Nanostruktur Tlenkowych, al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
Bibliografia
  • [1] Johnson N.M.; Nurmikko A. V.; DenBaars S. P. Phys. Today, 53(10), 31, 2000
  • [2] Powell A.R.; Rowland L. B. Proc IEEE 90, 942, 2002
  • [3] Pietruszka R.; Luka G.; Kopalko K.; Zielony E.; Bieganski P.; Placzek-Popko E.; Godlewski M. Materials Science in Semiconductor Processing, 25, 190–196, 2014
  • [4] Pietruszka R.; Luka G.; Kopalko K.; Zielony E.; Bieganski P.; Placzek-Popko E.; Godlewski M. Thin Solid Films, 563, 28–31, 2014
  • [5] Chen Y.; Bagnall D.M.; Koh H.J.; Park K.T.; Hiraga K.; Zhu Z.Q.; Yao T.J. Appl. Phys. 84, 3912, 1998
  • [6] Godlewski M.; Guziewicz E.; Kopalko K.; Łuka G.; Łukasiewicz M.I.; Krajewski T.; Witkowski B.S.; Gierałtowska S. Low Temp. Phys. 37, 301, 2011
  • [7] Pietruszka R.; Witkowski B.S.; Luka G.; Wachnicki L.; Gieraltowska S.; Kopalko K.; Zielony E.; Bieganski P.; Placzek- Popko E.; Godlewski M. Beilstein Journal of Nanotechnology, 5, 173-179, 2014
  • [8] Descoeudres, A.; Holman, Z.C.; Barraud, L.; Morel, S.; de Wolf, S.; Ballif, C. IEEE J. Photovoltaics, 3, 83–89, 2013
  • [9] Lee, W.; Shin, S.; Jung, D.-R.; Kim, J.; Nahm, C.; Moon, T.; Park, B. Curr. Appl. Phys., 12, 628–631, 2012
  • [10] Bowen, A.; Li, J.; Lewis, J.; Sivaramakrishnan, K.; Alford, T.L.; Iyer, S. Thin Solid Films, 519, 1809–1816, 2011
  • [11] Luka, G.; Krajewski, T.; Wachnicki, L.; Witkowski, B.; Lusakowska, E.; Paszkowicz, W.; Guziewicz, E.; Godlewski, M. Phys. Status Solidi A, 207, 1568–1571, 2010
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-02b9c0b8-7647-4d7e-82b6-36ddd84ca4a0
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.