Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE

• Autorzy: Bargieł Kamil , Bisewski Damian , Zarębski Janusz

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2019.01.54

Warianty tytułu

EN

Modelling of SiC-JFET in PSPICE

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiono problematykę modelowania charakterystyk tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu. Przeprowadzono ocenę dokładności modelu tranzystora JFET wbudowanego w programie PSPICE poprzez porównanie wyników symulacji z wynikami pomiarów wybranych charakterystyk statycznych tranzystora SiC-JFET typu SJEP170R550 firmy SemiSouth w szerokim zakresie zmian temperatury otoczenia. Zaproponowano autorskie modyfikacje tego modelu wpływające na zwiększenie jego dokładności.

EN

In the paper, the problem of characteristics modelling of a JFET transistor made of silicon carbide, is presented. The accuracy of the builtin in SPICE model of JFET by comparing the results of simulations and measurements of selected static characteristics of SiC-JFET (SJEP170R550) fabricated by SemiSouth in a wide range of the ambient temperature, is evaluated. Proprietary modifications of the model, improving its accuracy, have been proposed.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor JFET; węglik krzemu; program PSpice

EN

JFET; silicon carbide; PSpice

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2019
• Tom: R. 95, nr 1
• Strony: 231--234
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., rys.

Twórcy

autor

Bargieł Kamil

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 81-87, 81-225 Gdynia

autor

Bisewski Damian

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 81-87, 81-225 Gdynia

autor

Zarębski Janusz

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 81-87, 81-225 Gdynia

Bibliografia

• [1] Gong X., Ferreira A., Modeling and Reduction of Conducted EMI in SiC JFET Motor Drivers with Insulated Metal Substrate. IEEE Energy Conversion Cong. and Exposition, (2008), 629636.
• [2] Pan S., Li L., Chen Z., Research of Solar Based on Silicon Carbide JFET Power Devices. Energy Procedica, vol.16, (2012),1986-1993.
• [3] Kelly R., Ritenour D., Sheridan D., Casady J., Improved TwoStage DC-coupled Gate Driver for Enhancement-mode SiC JFET. IEEE Applied Power Electronics Conf. and Exposition, (2010), 1838-1841.
• [4] PSPICE A/D Reference Guide Version 15.7, Cadence Design Systems Inc.
• [5] Karta katalogowa tranzystora SJEP170R500 dostępna na stronie:www.datasheet.octopart.com/SJEP170R550Semisouth-datasheet-11827097.pdf
• [6] Bisewski D., Bargieł K., Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J., New Laboratories in the Department of Marine Electronics in Gdynia Maritime University, Marine Navigation and Safety of Sea Transportation, Taylor & Francis Group, (2013), 67-71.
• [7] http://www.keithley.com
• [8] Bisewski D., Zarębski J., Investigation of Thermal Parameters of GaAs and SiC MESFETs. Przegląd Elektrotechniczny, (2011), Nr 1, 271-274.
• [9] Bargieł K., Bisewski D., Modelling of Silicon Carbide JFET in SPICE. IEEE Microelectronics and Packaging Conference (EMPC) & Exhibition, (2017), 1-4.
• [10] Bisewski D., Parameters Estimation of SPICE Models for Silicon Carbide Devices. IEEE Microelectronics and Packaging Conference (EMPC) & Exhibition, (2017), 1-5.
• [11] McNutt T. R., Hefner A.R, Mantooth H. A., Duliere J., Bering D. W., Singh R., Silicon Carbide PiN and Merged PiN Schottky Power Diode Models Implemented In the Saber Circuit Simulator. IEEE Transaction On Power Electronics, vol. 19, No. 3, (2004), 537-581.
• [12] Patrzyk J., Zarębski J., Bisewski D., DC Characteristics and Parameters of Silicon Carbide High-Voltage Power BJTs. 39th International Microelectronics and Packaging Poland Conference, (2016), Vol.104, 29-38.

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).