Charakterystyka powłok z tlenoazotku glinu osadzanych metodą PED i PLD

• Autorzy: Jędrzejewski R. , Piwowarczyk J. , Kochmański P. , Baranowska J.

Warianty tytułu

EN

Characteristic of aluminum oxynitride coatings deposited by PED and PLD methods

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono badania nad wytwarzaniem powłok z tlenoazotku glinu z azotku glinu dwoma metodami: PLD (Pulsacyjna Ablacja Laserowa) oraz PED (Pulsacyjna Ablacja Elektronowa) z zastosowaniem atmosfery zawierającej tlen. Ciśnienie tlenu w komorze oraz liczba impulsów była zmieniana w celu oceny wpływu tych parametrów na mikrostrukturę i skład chemiczny powłok. Metodą SEM-EDX/WDX oraz GDOES określono skład chemiczny powłok. Strukturę chemiczną określono metodą FTIR. Wyznaczono grubość powłok oraz zbadano topografię i chropowatość powierzchni. Stwierdzono możliwość otrzymywania cienkich powłok tlenoazotkowych tymi metodami.

EN

The paper presents results of investigation on thin oxynitride coatings deposited by two methods PLD (Pulsed Laser Deposition) and PED (Pulsed Electron Deposition) methods at oxygen atmosphere. Aluminum nitride was used as target. Pressure of oxygen and number of pulses were changed in order to investigate an influence of these parameters on microstructure and chemical composition of coatings. Chemical composition was examined by SEM-EDX/WDX and GDOES methods. Chemical structure was studied by means of FTIR method. Thickness, roughness and topography of coatings were also measured. Ability to deposition of oxinitride coatings by these methods was confirmed.

Słowa kluczowe

PL

pulsacyjna ablacja laserowa; pulsacyjna ablacja elektronowa; cienkie powłoki; tlenoazotek glinu

EN

pulsed electron deposition; pulsed laser deposition; thin coatings; aluminium oxynitride

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 35, nr 6
• Strony: 496--499
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Jędrzejewski R.

• Instytut Inżynierii Materiałowej, Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny, Szczecin

autor

Piwowarczyk J.

• Instytut Inżynierii Materiałowej, Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny, Szczecin

autor

Kochmański P.

• Instytut Inżynierii Materiałowej, Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny, Szczecin

autor

Baranowska J.

• Instytut Inżynierii Materiałowej, Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny, Szczecin

Bibliografia

• [1] Byeon S. S., Wang K., Jung Y. G., Koo B. H.: Characteristic of AlONAl2O3 coatings on Al6061 alloy by electrolytic plasma processing in aluminate and nitride electrolytes. Surface & Coatings Technology 204 (2010) 3196÷3199.
• [2] Goldman L. M., Balasubramanian S., Nagendra N., Smith M.: ALON® optical ceramic transparencies for sensor and armor applications. http://www.surmet.com/technology/alon-optical-ceramics/index.php (04.08.2014).
• [3] Zheng J., Forslund B.: Carbothermal Synthesis of aluminium oxynitride (ALON) powder: Influence of starting materials and synthesis parameters. Journal of the European Ceramic Society 15 (1995) 1087÷1100.
• [4] Zhanga N., Lianga B., Wanga X. Y., Kana H. M., Zhua K. W., Zhaob X. J.: The pressureless sintering and mechanical properties of AlON ceramic. Materials Science and Engineering 528 (2011) 6259÷6262.
• [5] Liu X. J., Chen F., Zhang F., Zhang H. L., Zhang Z., Wang J., Wang S. W., Huang Z. R.: Hard transparent AlON ceramic for visible/IR windows. Int. Journal of Refractory Metals and Hard Materials 39 (2013) 38÷43.
• [6] Hartnett T. M., Bernstein S. D., Maguire E. A., Tustison R. W.: Optical properties of ALON (aluminum oxynitride). Infrared Physics & Technology 39 (1998) 203÷211.
• [7] McCauley J. W., Patel P., Chenb M., Gilde G., Strassburger E., Paliwal B., Rameshc K. T., Dandekar D. P.: AlON: A brief history of its emergence and evolution. Journal of the European Ceramic Society 29 (2009) 223÷236.
• [8] Jędrzejewski R., Baranowska J., Bańczerowska P.: Kinetyka wzrostu powłok Al2O3 osadzanych metodą PED i PLD. Inżynieria Materiałowa 5 (2013) 463÷466.
• [9] Zabinski J. S., Hu J. J., Bultman J. E., Pierce N. A., Voevodin A. A.: Stoichiometry and characterization of aluminum oxynitride thin films grown by ion-beam-assisted pulsed laser deposition. Thin Solid Films 516 (2008) 6215÷6219.
• [10] Dreer S.: Quantitative analysis of silicon- and aluminium-oxynitride films with EPMA, SIMS, hf-SNMS, hf-GD-OES and FT-IR. Fresenius' Journal of Analytical Chemistry 365 (1999) 85÷95.