Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Określenie mechanizmów krystalizacji w procesie MBE trójskładnikowych związków Cd1-xAxTe (A = Zn, Mn, Hg). Część 2 - Optymalizacja procesu wzrostu

100%

Sadowski J. T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

1999

|

tom Vol. 40, nr 3

7-11

PL

Artykuł jest drugą częścią obszernego streszczenia rozprawy doktorskiej opracowanej na postawie badań prowadzonych przez autora w Instytucie Technologii Próżniowej w Warszawie, w latach 1996 — 1998. Przedstawiono wyniki dotyczące badań wpływu temperatury w procesie krystalizacji warstw trójskładnikowych metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE), zależności składu chemicznego warstw trójskładnikowych od temperatury ich krystalizacji oraz różnic w procesach powierzchniowych przy krystalizacji warstw II—VI metodami MBE i UHV ALE (epitaksji warstw atomowych). Uzyskane wyniki mogą zostać użyte do optymalizacji procesu wzrostu trójskładnikowych warstw półprzewodnikowych z grupy II—VI w procesie epitaksji prowadzonym w warunkach ultrawysokiej próżni.

EN

This paper is the second part of an extended abstract of the PhD thesis entitled "Determining of the growth mechanisms in MBE growth of ternary Cd1-xAxTe (A = Zn, Mn, Hg) compounds" written on the base of experiments performed in the MBE Lab. in Institute of Vacuum Technology, Warsaw. In that paper, the main experiments concerning following problems: temperaturę window in MBE (Molecular Beam Epitaxy) growth of ternaries, dependence between chemical composition and growth temperature for ternary layers and differences in growth processes of U—VI compounds in MBE and UHV ALE (Ultra-high Vacuum Atomie Layer Epitaxy) growth processes are described. The results can be useful in optimisation of the ultra-high vacuum epitaxial growth of ternary II—VI compounds in order to improve their structural quality.

2

Określenie mechanizmów krystalizacji w procesie MBE trójskładnikowych związków Cd1-xAxTe (A = Zn, Mn, Hg). Część I - Metody analizy procesów powierzchniowych

100%

Sadowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

1999

|

tom Vol. 40, nr 2

7-12

PL

Artykuł stanowi pierwszą część obszernego streszczenia rozprawy doktorskiej pod tytułem „Określenie mechanizmów krystalizacji w procesie MBE trójskładnikowych związków Cd1-xAxTe (A = Zn, Mn, Hg)", opracowanej na postawie badań prowadzonych przez autora w Laboratorium MBE Instytutu Technologii Próżniowej w Warszawie, w latach 1996 -1998. Opisano także techniki diagnostyczno-pomiarowe zastosowane w badaniach procesów powierzchniowych zachodzących podczas wzrostu warstw epitaksjalnych w warunkach bardzo wysokiej próżni, to jest: odbiciową spektrometrię mas (REMS), odbiciową dyfrakcję elektronów wysokoenergetycznych (RHEED) oraz interferometrię laserową (LI). Przeprowadzone w ramach pracy doktorskiej eksperymenty oraz wyniki naukowe uzyskane w ich toku zostaną zaprezentowane w następnym artykule, który ukarze się w kolejnym numerze czasopisma Elektronika.

EN

This paper is the first part of an extended abstract of the PhD thesis entitled „Determining of the growth mechanisms in MBE growth of ternary Cd1-xAxTe (A = Zn, Mn, Hg) compounds" written on the base of experiments performed in the MBE Lab. in Institute of Vacuum Technology, Warsaw. In that paper, the scientific problems to be solved in thesis are described. Also the analytical techniques [reflection quadrupole mass spectrometry (REMS), reflection high-energy electron diffraction (RHEED), and laser interferometry (LI)] used in investigation and its implementation to „in situ" measurements in MBE growth system are depicted. The experiments and extracted scientific results will be presented in the following paper, in next Elektronika issue.

3

Modification of the rotating crystal method for examining MBE structures, such as PbTe layers formed on BaF2 substrate

94%

Przedpełski W. , Ziencik H.

Journal of Technical Physics

|

1999

|

tom Vol. 40, no 2

175-179

EN

A modification of the rotating crystal X-ray diffraction method was used for examining the structure of thin layers, such as e.g., PbTe layers produced by MBE. These examinations were used for comparing the structures of real and ideal crystals.

4

Low-temperature growth of GaSb epilayers on GaAs (001) by molecular beam epitaxy

94%

Benyahia D. , Kubiszyn Ł. , Michalczewski K. , Kębłowski A. , Martyniuk P. , Piotrowski J. , Rogalski A.

Opto-Electronics Review

|

2016

|

tom Vol. 24, No. 1

40--45

EN

Non-intentionally doped GaSb epilayers were grown by molecular beam epitaxy (MBE) on highly mismatched semi-insulating GaAs substrate (001) with 2 offcut towards (110). The effects of substrate temperature and the Sb/Ga flux ratio on the crystalline quality, surface morphology and electrical properties were investigated by Nomarski optical microscopy, X-ray diffraction (XRD) and Hall measurements, respectively. Besides, differential Hall was used to investigate the hole concentration behaviour along the GaSb epilayer. It is found that the crystal quality, electrical properties and surface morphology are markedly dependent on the growth temperature and the group V/III flux ratio. Under the optimized parameters, we demonstrate a low hole concentration at very low growth temperature. Unfortunately, the layers grown at low temperature are characterized by wide FWHM and low Hall mobility.

5

Conductivity anisotropy of CdHgTe MBE layers with a periodic surface microrelief

94%

Voitsekhovskii A. V. , Kokhanenko A. P. , Nesterovich N. V. , Varavin V. S. , Dvoretsky S. A. , Sidorov Y. G. , Mikhalov N. N.

Opto-Electronics Review

|

2003

|

tom Vol. 11, No. 2

151-154

EN

The surface microrelief of CdHgTe layers grown by molecular beam epitaxy (MBE) method has been studied by means of atomicforce microscopy. A periodic surface microrelief in the form of an ordered system of extended waves with the characteristic period 0.1-0.2 um has been detected on epilayers grown at increased temperatures. Angular dependencies of the conductivity at 77 K have been measured and the conductivity anisotropy has been detected with a minimum in the direction transverse to microrelief waves. A feature of the transmission spectrum and the spectrum change after film annealing are observed. It is assumed that walls growing in the direction from the substrate to the surface are formed under microrelief wave slopes. Such structure can cause the observed feature of the transmission spectrum if the adjacent walls have different composition. In this work a calculation of spectral characteristics taking into account the influence of variable gap composition and nonuniformity of the composition through the depth has been carried out.

6

Badania jednorodności cienkich warstw InAs otrzymywanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych

84%

Wróbel J. , Odrzywolski S. , Złotnik S. , Boguski J. , Liszewska M. , Budner B. , Jankiewicz B. , Matuszelański K.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2022

|

tom R. 98, nr 1

135--138

PL

Niniejsza praca porusza zagadnienie charakteryzacji warstw epitaksjalnych arsenku indu (InAs) pod kątem jednorodności przestrzennej. Badania przeprowadzone w pracy zostały oparte na trzech metodach charakteryzacji: wysokorozdzielczej mikroskopii optycznej, mikroskopii sił atomowych i spektroskopii Ramana. Obiektem badań były warstwy epitaksjalne InAs na podłożach arsenku galu (GaAs), które zostały wytworzone metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE).

EN

This thesis deals with the characterization of epitaxial layers of indium arsenide (InAs) in terms of spatial homogeneity. The research conducted in the paper was based on three characterization methods: high-resolution optical microscopy, atomic force microscopy and Raman spectroscopy. The subject of the research were epitaxial layers of InAs on gallium arsenide (GaAs) substrates, which were produced by the method of molecular beam epitaxy (MBE).

7

Problemy epitaksji antymonków grupy III-V

84%

Jasik A. , Regiński K. , Sankowska I. , Kubacka-Traczyk J. , Jakieła R. , Kaniewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

tom Vol. 51, nr 10

90-92

PL

W pracy przedstawiono wyniki dotyczące optymalizacji technologii epitaksji z wiązek molekularnych związków antymonkowych oraz supersieci drugiego rodzaju. Kluczowym w procesie wzrostu warstw GaSb były dwa etapy: wygrzewanie podłoża poprzedzające wzrost oraz studzenie struktury po zakończonym wzroście. Istotnym problemem okazało się zanieczyszczanie warstw antymonkowych arsenem. W wyniku badań wpływu obszaru międzyfazowego na jakość SL II rodzaju otrzymano krzywą kalibracyjną, która pozwala uzyskać SL 10 ML InAs/10 ML GaSb dopasowaną sieciowo do podłoża GaSb.

EN

We present the results of the growth optimization of both GaSb and related compounds and type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy. The key issues in the epitaxial growth of GaSb layers were an annealing of a substrate before growth and post-growth cooling of a structure. A crucial problem of GaSb layer growth is its arsenic contamination. We have investigated the influence of interface type on the ąuality of type-II SL. We received a calibration curve, which allows to obtain the lattice matched of 10 ml InAs/10 ML GaSb superlattice.

8

New method and treatment technique applied to interband transition in GaAs1−x Px ternary alloys

83%

Băleanu C.-M. , Nigmatullin R. , Cetin S. , Băleanu D. , Ozcelik S.

Open Physics

|

2011

|

tom 9

|

nr 3

729-739

EN

In this paper we presented a new method (Eigen-Coordinates (ECs)) that can be used for calculations of the critical points (CPs) energy of the interband-transition edges of the heterostructures. This new method is more accurate and complete in comparison with conventional ones and has a wide range of application for the calculation of the fitting parameters related to nontrivial functions that initially have nonlinear fitting parameters that are difficult to evaluate. The new method was applied to determine the CPs energies from the dielectric functions of the MBE grown GaAs1−xPx ternary alloys obtained using spectroscopic ellipsometry (SE) measurements at room temperature in the 0.5-5 eV photon energy region. The obtained results are in good agreement with the results of the other methods.

9

320x256 HgCdTe IR FPA with a built-in shortwave cut-off filter

83%

Vasilyev V. V. , Varavin V. S. , Dvoretsky S. A. , Marchishin I. V. , Mikhailov N. N. , Predein A. V. , Remesnik V. G. , Sabinina I. V. , Sidorov Y. G. , Susliakov O. A.

Opto-Electronics Review

|

2010

|

tom Vol. 18, No. 3

236-240

EN

A photovoltaic detector design based on the graded band gap HgCdTe MBE structure with high conductivity layer (HCL) at interface, which provides photodiodes series resistance and a shortwave cut.off filter is developed. The optimal HCL parameters giving high quantum efficiency and minimal noise equivalent temperature difference were determined by calculations and experimentally confirmed. The hybrid 320x256 IR FPA operating in 8-12 μm spectral range was fabricated. The threshold power responsivity and minimal noise equivalent temperature difference values at wavelength maximum were 1.02x10⁻⁷ W/cm², 4.1x10⁸ V/W and 27 mK, respectively.

10

The study of HgCdTe MBE-grown structure with ion milling

83%

Pociask M. M.

Opto-Electronics Review

|

2010

|

tom Vol. 18, No. 3

338-341

EN

Of many techniques used to characterize quality of HgCdTe, ion milling is emerging as a unique means to reveal electrically active and neutral defects and complexes. Ion milling is capable of strongly affecting electrical properties of HgCdTe, up to conductivity type conversion in p-type material. It appears, that strongly non-equilibrium processes which take place under ion milling, when material is oversaturated with mercury interstitial atoms generated near a surface, lead to formation of specific defect complexes, which may not form under other type of treatment. By measuring parameters of a crystal before and after milling, and following disintegration of defects with time after ion milling ('relaxation'), one can detect and identify these defects. This method was applied to analyse different samples grown by molecular beam epitaxy.

11

Neuropedagogika wśród dyscyplin naukowych – próba doprecyzowania nazewnictwa

82%

Chojak M.

Studia Edukacyjne

|

2020

|

nr 56

369-384

EN

Chojak Małgorzata, Neuropedagogika wśród dyscyplin naukowych – próba doprecyzowania nazewnictwa [Neuropedagogy Among Scientific Disciplines – an Attempt to Clarify Terminology]. Studia Edukacyjne nr 56, 2020, Poznań 2020, pp. 369-384. Adam Mickiewicz University Press. ISSN 1233-6688. DOI: 10.14746/se.2020.56.20 In the last two decades, more and more publications pedagogical and psychological referring to researchin the field of neurobiology. They appear in them new concepts and names of new disciplines such as neuropedagogy, neurodidactics or educational neuroscience and neuropsychology education. The US, the UK and Canada have attempted to standardize terminology and to clarify the scope of research across disciplines. This publication is not only an attempt to present the theoretical concept of the origin and interrelationships of newly established disciplines based on international scientific sources. The author has decided to embed analyses on the specifics of Polish terms to propose names for an interesting and new field known as Mind, Brain and Education (MBE).

12

Urządzenie do epitaksjalnego wzrostu metodą WIBE warstw azotków metali III grupy układu okresowwego pierwiastków

71%

Marks J. , Cyrański R. , Pastuszka B. , Kaczorek K. , Kaufman E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

tom Vol. 43, nr 12

46-48

PL

Urządzenie MBE03 przeznaczone jest do wytwarzania warstw azotków takich metali jak: aluminium, gal i ind. Jako źródło azotu zastosowano amoniak. Istnieje także możliwość domieszkowania wytwarzanych warstw magnezem (domieszka typu p) i krzemem (domieszką typu n).

EN

The homemade MBE03 system for III group nitrides growth by molecular beam epitaxy is described. The MBE03 system is used for gallium, indium and aluminium nitrides growth with ammonia as the nitrogen gas source. The growing layer can be doped by magnesium (type p) and silicon (type n).

13

Effects of composition grading at heterointefaces and layer thickness variations on Bragg mirror quality

71%

Gaca J. , Wójcik M. , Jasik A. , Pierściński K. , Kosmala M. , Turos A. , Abdul-Kaderd A. M.

Opto-Electronics Review

|

2008

|

tom Vol. 16, No. 1

12-17

EN

GaAs/AlAs Bragg mirrors on GaAs with varied number of layer pairs were grown, by molecular beam epitaxy (MBE), to be applied for semiconductor saturable absorber mirrors (SESAMs) and intensity modulators. Due to the random variation of the growth rate, substrate surface roughness, and interdiffusion at the interfaces, precise control of the growth conditions of deposited layers poses a serious problem. Usually, thickness variations and composition grading at the heterointefaces result in variations of the mirror reflectivity. In this paper, the high resolution X-ray diffraction (HRXRD), optical reflectance, Rutherford backscattering/channelling (RBS), supported by numerical evaluation methods were employed to determine both the exact thickness of each layer and the composition grading at the interface between succeeding layers of GaAs/AlAs-based mirrors. To reduce ambiguity and to speed up the analysis, the rocking curves and RBS spectra were simulated concurrently, using results of one simulation to verify the others. This process was carried out until the best fit between experimental and calculated curves was achieved. The complementary use of both methods results in improved sensitivity and makes the whole process of evaluation of the thickness variation of each layer and the size of the composition grading at the interfaces less time consuming.

14

Surface strain during homoepitaxy : growth and ion ablation of CdTe

71%

Tatarenko S. , Etgens V. H. , Hartmann J. M. , Martrou D. , Arnoult A. , Cibert J. , Magnea N. , Sauvage-Simkin M. , Alvarez J. , Ferrer S.

Opto-Electronics Review

|

1999

|

tom Vol. 7, No. 2

75-80

EN

Oscillations of the surface lattice parameter were observed by RHEED during the homoepitaxial growth of (001) CdTe by molecular beam epitaxy (MBE) and atomic layer epitaxy (ALE). The oscillations are associated to a deformation, induced by the surface reconstruction, at the free edges of the small 2D islands formed during the growth. In the same way, a lateral relaxation is measured during the layer by layer "de-growth" of (001) CdTe. Experiments using a CCD X-ray sensitive camera combined with the very bright X-ray beam offered by the European Synchrotron Radiation Facility allowed us to investigate the two layers behaviour of the CdTe surface in real time during the ablation by ion sputtering. The results show a relaxation mechanism, which is effective only whem islands are presented on the surface. A correlation has been found between the size the islands, their distribution, and the surface reconstruction. Particularly, a long-distance correlation between islands along the [1-10] direction has been observed.

15

Application of Thiessen polygons in control volume model of solidification

71%

Mochnacki B. , Ciesielski M.

Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering

|

2007

|

tom Vol. 23, nr 2

75-78

EN

Purpose: In the paper the possibilities of Thiessen polygons (THP) application in numerical modelling of solidification process are presented. The control volumes of THP shapes (2D task is considered) are very convenient both for the construction of effective and exact control volume method algorithm and allow in simple way to approximate the real shape of domain considered. Additionally the positions of CV central points can be selected in a optional way. Design/methodology/approach: The control volume method algorithm bases of the energy balances for successive CV. They are constructed under the assumption that the boundary-initial problem considered is non-linear and the evolution of latent heat is taken into account using the one domain approach (the substitute thermal capacity of material is introduced). Findings: The method here presented allows to determine the transient temperature field in a non-homogeneous system casting-mould and to observe the course of casting solidification. The local cooling (heating) curves can be found at the optional set of points from the casting-mould system. The heat transfer model can be additionally supplemented by the model concerning the macrosegregation process. Practical implications: The control volume method in a version presented in this paper can be an effective numerical tool both on the stage of foundry technologies design and also in the case of existing technologies analysis. Originality/value: The coupling of the concept of Thiessen polygons application for 2D domain dicretization with the control volume method approach seems to be the original achievement of the authors of this paper.

16

Epitaksja struktur laserów kaskadowych

71%

Gutowski P. , Sankowska I. , Kubacka-Traczyk J. , Gołaszewska-Malec K. , Bugajski M. , Grzonka J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

tom Vol. 55, nr 11

31-33

PL

W artykule opisano wzrost struktur kwantowych laserów kaskadowych, wykonanych w czterech różnych wariantach konstrukcji falowodu, przy wykorzystaniu tego samego schematu budowy obszaru aktywnego. Każda z konstrukcji falowodu została zasymulowana z wykorzystaniem modelu Drudego- Lorentza. Trzy z nich, które otrzymane zostały wyłącznie przy pomocy metody epitaksji z wiązek molekularnych, zostały poddane szczegółowej analizie. Charakteryzację struktur wykonano za pomocą wysokorozdzielczej dyfrakcji Rentgenowskiej (HRXRD), transmisyjnego mikroskopu skaningowego (TEM) oraz mikroskopu sił atomowych (AFM). Pozwoliło to na określenie parametrów wzrostu obszaru aktywnego lasera. Zaprezentowano porównanie parametrów wykonanych struktur laserów kaskadowych pokazało trudności w uzyskaniu dobrej jakości grubych warstw falowodowych InAlAs. Uzyskane struktury laserów kaskadowych charakteryzowały się dobrą precyzją i powtarzalnością wykonania.

EN

In this work we present molecular beam epitaxial growth of the quantum cascade lasers heterostructures with the same active region but four waveguide constructions, with increasing difficult level and device performance. Each design was calculated using Drude-Lorentz model, but only first three structures were presented in this work. Structure quality was measured based on High Resolution X-Ray Diffraction measurement. Also Transmission Scanning Microscopy and Atomic Forces Microscopy was used to determinate the active region superlattice interfaces and surface roughness. Suitable comparison of the structures show difficult in InAlAs growth of thick waveguide layers. High quality and precision, with good reproducibility of QCL structures was shown.

17

Opracowanie technologii płytek podłożowych do homoepitaksji wiązką molekularną szerokoprzerwowych półprzewodników AII--BVI oraz budowa uproszczonego stanowiska do tego procesu

71%

Mycielski A. , Szadkowski A. , Kaliszek W. , Witkowska B. , Kowalczyk L. , Łusakowska E. , Domagała J. , Bąk-Misiuk J. , Jędrzejczak A. , Zieliński M. , Adamczewska J. , Adamiec K. , Rutkowski J. , Dobrowolski W. , Gładki A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2000

|

tom Vol. 41, nr 2

3-8

PL

Opisano wytwarzanie gotowych do epitaksji podłoży z szerokoprzerwowych związków pólprzewodnikowych AII--BVI, to znaczy - uzyskiwanie super czystych pierwiastków, syntezę materiału źródłowego do krystalizacji, krystalizacja metodą transportu w fazie gazowej, wycinanie zorientowanych rentgenowsko płytek podłożowych i ich obróbka mechaniczna oraz metody przygotowania powierzchni "epi-ready", jak również budowa uproszczonej wersji stanowiska MBE do pokrywania płytek podłożowych warstwą homoepitaksjalnń. Przedstawiono wyniki charakteryzacji kryształów i płytek podłożowych.

EN

The technology of the "epi-ready" substrate plates (for MBE) of the wide-gap AII-BVI semiconductor compounds, i.e. - preparation of the ultra pure elements, synthesis of the source material, crystallization by the physical vapour transport technique, cutting of the oriented plates, mechano-chemical polishing and preparation of the "epi-ready" surface - is described, as well as the construction of a simplified version of the MBE setup for covering the substrate plates with the homoepitaxial layer. The results of the characterization of the substrate crystals and plates are presented.

18

Analiza wymiarów samozorganizowanych kropek kwantowych z InAs/GaAs wykonanych techniką MBE

67%

Kaczmarczyk M. , Piotrowski T. , Kaniewska M. , Engström O. , Pisicator J. , Sadeghi M. , Pawłowski S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

tom Vol. 49, nr 2

39-42

PL

Samozorganizowane kropki kwantowe wykonano z InGa/GaAs na podłożu (100) GaAs metodą epitaksji z wiązek molekularnych w modzie Strańskiego-Krastanowa techniką przerywanego wzrostu. Do charakteryzacji kropek i oceny ich jednorodności wykorzystano mikroskop sił atomowych. Analiza statystyczna rozmiarów kropek wykazała bimodalny rozkład wielkości, który wskazuje na obecność dwóch grup kropek kwantowych istotnie różniących się wymiarami i gęstością. Dominująca grupa kropek miała wymiary 5,9 i 35,4 nm odpowiednio dla wysokości i średnicy, a niejednorodność w stosunku do średnich rozmiarów była na dobrym poziomie 10%. Natomiast duże kropki były bardzo nieregularne, jednak miały małą gęstość powierzchniową około 1 × 109 cm-2 i o rząd wielkości mniejszą w porównaniu do gęstości mniejszych kropek kwantowych. Technika przerywanego wzrostu w zoptymalizowanych warunkach pozwala uzyskać grupę dobrze zdefiniowanych kropek kwantowych.

EN

Self-organized InAs/GaAs quantum dots were prepared on (100) GaAs substrates by a solid source molecular beam epitaxy in Stranski-Krastanov growth mode using growth interruption technique. Atomie force microscopy was used to characterize the dots and to conclude on the dot size uniformity. Statistical analysis of the dot size variation revealed a bimodal size distribution, which indicates the presence of two dot families differing significantly in their size and density. The dominating dots were 5.9 and 35.4 nm in height and diameter, respectively and were uniform to within 10% of the average sizes. By contrast larger dots were extremely irregular however, they were fo-und at a Iow areał density of about 1 × 109 cm-2, which was one order of the magnitude lower comparing to density of the smaller dots. On the basis of the obtained results, it is concluded that the growth interruption technique is a powerful tool in obtaining well defined quantum dots when growing under optimized conditions.

19

Kwantowy (2DEG) czujnik pola magnetycznego z pseudomorficzną warstwą aktywną In0,52Al0,48As/In0,8Ga0,2As na podłożu (411)A InP

67%

Przesławski T. , Wolkenberg A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

tom Vol. 48, nr 1

55-61

PL

Opisano koncepcję nowej generacji czujników Halla wykorzystujących półprzewodnikowe studnie kwantowe wypełnione 2DEG. Technologie MBE, MOCVD umożliwiają kontrolę parametrów rosnących warstw oraz wytwarzanie tzw. struktur pseudomorficznych - mechanicznie naprężonych na granicy z sąsiednimi warstwami i nie przekraczających grubości krytycznej. Podano właściwości elektryczne oraz charakterystyki różnych parametrów, które mogą być odpowiednio kształtowane (inżynieria przerwy zabronionej, inżynieria funkcji falowych). Wymienione zalety tej struktury heterozłączowej w połączeniu ze wzrostem na podłożu (411 )A InP powinny znacznie poprawić właściwości transportowe ładunków elektrycznych. Czujniki Halla wykorzystujące struktury pseudomorficzne mogą w najbliższej przyszłości wyprzeć z wielu zastosowań tradycyjne hallotrony.

EN

There was described new concept of Hall sensors with fulfilled quantum wells by 2DEG. MBE and MOCVD technology allow control of the growing layers (channel and barrier) and therefore also to make pseudomorphic structures mechanic strained on the frontier between neighbor layers and with it thickness lower as critical. It was described different properties and parameters which can be shaped using energy gap and wave function engineering. All values of these structures together with growth on (411)A InP (super- flat interfaces - significant reduction of the interface roughness scattering charge carrier of 2DEG, enhanced electron mobility) must to bring enormous increase of transport parameters of charge carriers. Such Hall sensors can push out in the future the classical Hall sensors with thin layer structure.

20

Wpływ grubości epitaksjalnych warstw InAs na GaAs wykonywanych w technologii MBE, na ich parametry transportu ładunków elektrycznych

67%

Wolkenberg A. , Przesławski T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

tom Vol. 48, nr 7

39-44

PL

Otrzymywanie czystych epitaksjalnych warstw InAs/GaAs o dużej perfekcji krystalograficznej jest możliwe metodą epitaksji z wiązek molekularnych [2]. W warstwach tych obserwowane jest anomalne zachowanie R H (T) tj. występowanie maksimum w temperaturach około 50K i spadek wartości poniżej tej temperatury, co odpowiada anomalnej zależności n H (T). W warstwach InAs w niskich temperaturach w wyniku występowania naprężeń (skutkiem niedopasowania sieciowego) występują anomalne zjawiska transportu [3]. Stwierdzono w przypadku występowania anomalnych wartości R H w InAs, że dla poprawnego rozwiązania równania neutralności należy dodać do koncentracji elektronów dodatkowy składnik X, związany ze stanami typu donorowego i akceptorowego [2]. Składnik X mogą stanowić domieszki o różnych energiach aktywacji położonych pod dnem lub nieco ponad dnem pasma przewodnictwa.

EN

Molecular beam epitaxy allow to obtain pure InAs layers with big crystallographic perfection [2]. We observed in this layers anomalous behaviour of R H (T) ie. Maximum value at temperature ~50K and decrease in temperature lower as 50K what is equivalent to anomalous increase of n H (T). In the epitaxial layers of InAs at low temperatures as a result of of strain between the layer and GaAs substrate we observe the transport by two or more charge carriers [3]. It was stated, that in the case of anomalous values of R H (T) we must add to concentration of charges the component X during solving of the neutrality equation. This component may be acceptor or donor like [2]. X component may be energetically localized little under bottom of conductivity band or above it.