Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Atomic layer deposition of HfO2 on graphene from HfCl4 and H2O

100%

Alles H. , Aarik J. , Aidla A. , Fay A. , Kozlova J. , Niilisk A. , Pärs M. , Rähn M. , Wiesner M. , Hakonen P. , Sammelselg V.

Open Physics

|

2011

|

tom 9

|

nr 2

319-324

EN

Atomic layer deposition of HfO2 on unmodified graphene from HfCl4 and H2O was investigated. Surface RMS roughness down to 0.5 nm was obtained for amorphous, 30 nm thick hafnia film grown at 180°C. HfO2 was also deposited in a two-step temperature process where the initial growth of about 1 nm at 170°C was continued up to 10–30 nm at 300°C. This process yielded uniform, monoclinic HfO2 films with RMS roughness of 1.7 nm for 10–12 nm thick films and 2.5 nm for 30 nm thick films. Raman spectroscopy studies revealed that the deposition process caused compressive biaxial strain in graphene, whereas no extra defects were generated. An 11 nm thick HfO2 film deposited onto bilayer graphene reduced the electron mobility by less than 10% at the Dirac point and by 30–40% far away from it.

2

A numerically efficient approach to the modelling of double-Qdot channels

100%

Shamloo A. , Sowa A. P.

|

2013

|

tom 2

145-156

EN

We consider the electronic properties of a system consisting of two quantum dots in physical proximity, which we will refer to as the double-Qdot. Double-Qdots are attractive in light of their potential application to spin-based quantum computing and other electronic applications, e.g. as specialized sensors. Our main goal is to derive the essential properties of the double-Qdot from a model that is rigorous yet numerically tractable, and largely circumvents the complexities of an ab initio simulation. To this end we propose a novel Hamiltonian that captures the dynamics of a bi-partite quantum system, wherein the interaction is described via a Wiener-Hopf type operator. We subsequently describe the density of states function and derive the electronic properties of the underlying system. The analysis seems to capture a plethora of electronic profiles, and reveals the versatility of the proposed framework for double-Qdot channel modelling.

3

Signals generated in memristive circuits

100%

Sowa A.

|

2012

|

tom 1

48-57

EN

Signals generated in circuits that include nano-structured elements typically have strongly distinct characteristics, particularly the hysteretic distortion. This is due to memristance, which is one of the key electronic properties of nanostructured materials. In this article, we consider signals generated from a memrsitive circuit model. We demonstrate numerically that such signals can be efficiently represented in certain custom-designed nonorthogonal bases. The proposed method ensures that the actual numerical representation can be implemented as a fast, O(N logN), algorithm. In addition, we discuss the possibility of modelling the hysteretic distortion via fast numerical transforms.

4

Simulation of coulomb-coupled, protein-based logic

100%

Rakos B.

Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems

|

2009

|

tom Vol. 3, No. 4

46-47

EN

In this theoretical work, I investigate photoswitchable proteins as possible building blocks of computing, and signal processing architectures of the future. Coulomb-coupled, photon-pulse controlled macromolecular arrays are proposed and explored with the aid of a simple, mixed quantum-classical, nanoelectromechanical model. I show chains for digital signal propagation, and possibly universal logic gates, therefore computing architectures can be constructed from such proteins. Furthermore, I explore the basic molecular properties needed for their realization, and I show that photoswitchable proteins are possible candidates for this purpose.

5

Miniaturisation : enabling technology for the new millennium

88%

Razeghi M. , Mohseni H.

Opto-Electronics Review

|

2001

|

tom Vol. 9, No. 2

101-108

EN

The history of semiconductor devices has been characterised by a constant drive towards lower dimensions in order to increase integration density, system functionality and performance. However, this is still far from being comparable with the performance of natural systems such as human brain. The challenges facing semiconductor technologies in the millennium will be to move towards miniaturisation.The influence of this trend on the quantum sensing of infrared radiation is one example that is elaborated here. A new generation of infrared detectors has been developed by growing layers of different semiconductors with nanometer thicknesses. The resulted bandgap engineered semiconductor has superior performance compared to the bulk material. to enhance this technology further; we plan to move from quantum wells to quantum wire and quantum dots.

6

Elektronika dzisiaj i jutro

75%

Kos A.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

|

2003

|

tom nr 4

161-165

PL

Zawarto próbę naszkicowania ewolucji elektroniki. Szczególnie opisano kierunek zmian w budowie tranzystora, zmierzający do zwiększenia jego częstotliwości pracy i redukcji strat energii. Zarysowano parametry konstrukcyjne współczesnych systemów scalonych i nakreślono przypuszczenia co do ich zmian w najbliższej przyszłości.

EN

In the paper a sketch of electronics evolution is included. Particularly, a direction of transistor construction changes leads to improvement of its frequency and power losses reduction is under consideration. Technical parameters of contemporary integrated circuits are presented. The author takes a risk of assumption the parameters changes in the nearest future.

7

Znaczenie i uwarunkowania rozwoju technologii mikro- i nanoelektronicznych w Polsce

63%

Grabiec P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

tom Vol. 53, nr 6

10-18

PL

Podczas gdy pierwsza połowa dwudziestego wieku zdominowana była przez dwie kolejne wojny światowe, rewolucje, zmiany granic i tworzenie nowego ładu politycznego - druga połowa stanowiła okres niesłychanie intensywnego rozwoju technologicznego w tym mikroelektroniki. Produkcja światowego przemysłu półprzewodnikowego startując od zera w połowie wieku dwudziestego osiągnęła w roku 2004 poziom 250 mld euro. W Polsce okres ten zbiegł się z kryzysem ekonomiczno-politycznym zakończonym bezkrwawą rewolucją roku 1989. W efekcie, podejmowane w kraju próby rozwijania nowoczesnych technologii mikro- a później nanoelektronicznych okazały się bezskuteczne. W artykule, na tle historycznym oraz w oparciu o realia dnia dzisiejszego, podjęta została analiza znaczenia i uwarunkowania rozwoju technologii mikro- i nanoelektronicznych w Polsce. Wymienione są zaistniałe bariery i zagrożenia wynikające z niskiego poziomu finansowania sfery B+R, ze zbiurokratyzowania instytucji państwowych odpowiedzialnych za finansowanie badań a także z braku rozsądnej strategii.

EN

While the first half of the 20 th century was dominated by two world wars, revolutions, changes of borders, and the creation of a new political order - the second half was a period of extremely intensive development of microelectronics. The global market of semiconductor industry, starting from scratch in the fifties, reached in 2004 level of 250 billion euros. In Poland, this period coincided with the economic and political crisis ended a blood - less revolution in 1989. As a result, the attempts to develop new technologies in Poland proved to be ineffective. In this paper, an analysis of the importance and determinants of technological development of micro-and nano-electronics in Poland is performed based on the realities of today shown in the wide historical background. The author identifies barriers and risks as linked with low levels of R&D funding together with the bureaucracy of state institutions responsible for research funding and the absence of a reasonable strategy of development.

8

Nanoelektronika - elektronika XXI wieku

63%

Korzec Z.

Elektronika : prace naukowe

|

1999

|

tom nr 4

5-18

PL

Postęp w technologii elektronowej pozwala obecnie na realizacją przyrządów półprzewodnikowych i innych elementów elektronowych o wymiarach rządu kilkudziesięciu nanometrów, wymiarach zbliżonych do stałych sieci krystalicznej półprzewodników. Przy tak małych wymiarach konieczne jest uwzględnienie zjawisk kwantowych i falowych poszczególnych elektronów. W artykule omówiono zasadnicze trzy kierunki rozwoju przyrządów elektronowych skali nanometrowej: skalowane struktury CMOS o specjalnych rozwiązaniach, przyrządy półprzewodnikowe typu RTD (ang.Resonant Tunneling Devices) oraz przyrządy molekularne.

EN

This paper gives some glimpses on the research developments toward nanometer-scale electronics. The possible extensions and applications of CMOS technology in the nanometer regime is first discussed. CMOS technology is the predominant over the last 25 years in the microelectronics industry. The concept of scaling the MOS device has been applied over many technology generations, resulting in both density and performance. However, the lows of quantum mechanics and the limitations of fabrication techniques may soon prevent farther reduction in the size of today's conventional MOS structure. In order to continue the miniaturisation of circuit elements down to the nanometer scale new classes of nanometer-scale devices are investigated. The main classes are: a) resonant tunnelling devices and 2) molecular electronics devices. Both are briefly discussed and final conclusions are given..

9

Nanoelektronowe przyrządy półprzewodnikowe jednoelektronowe

63%

Korzec Z.

Elektronika : prace naukowe

|

2000

|

tom nr 5

5-20

PL

W szybko rozwijającej się dziedzinie nanoelektroniki dominujące miejsce zajmują przyrządy półprzewodnikowe jednoelektronowe (ang. Single Electron Devices). W artykule przedstawiono podstawy fizyczne tych przyrządów oraz omówiono niektóre z ich zastosowań, takich jak systemy pamięci o pojemnościach rzędu giga — tera bitów. Zwrócono również uwagę na problemy modelowania i tworzenia makromodeli dla celów CAD.

EN

Single-electron devices in which the addition of a small number of electrons to cm eiectrode can be controlled with one-electron precision by using the charging effed have recently achieved much attention. In the paper a short rewiew of the latest works hi this field has been done. The physical phenomenon of the Coulomb blockade in the quantum dots and islands have been explained. Some esampies of the cwrent-voltage characteristics are demonstrated and the main modeling and macro-modeling problems for CAD discussed.

10

Układy logiczne z kwantowymi przyrządami półprzewodnikowymi

51%

Korzec Z.

Elektronika : prace naukowe

|

2002

|

tom nr 7

5-22

PL

Przyrządy półprzewodnikowe oparte na zjawiskach fizycznych występujących w strukturach o wymiarach nanometrów, znane jako przyrządy kwantowe znajdują coraz więcej praktycznych zastosowań zarówno w układach analogowych wielkiej częstotliwości, jak i układach cyfrowych o bardzo krótkich czasach przełączania. Artykuł niniejszy poświęcony jest omówieniu aktualnych tendencji rozwoju układów logicznych, stanowiących podstawą techniki cyfrowej, wykonywanych przy wykorzystaniu najnowszych osiągnięć nanoelektroniki. Szerzej zostały przedstawione układy z przyrządami typu SET (Single Electron Device) oraz typu RTD (Resonant Tunneling Devices).

EN

In order to continue the miniaturization of circuit elements down to the nanometer scale researches are investigating several alternatives to the CMOS IC for ultra dense and ultra high-speed circuits. These new nanometer-scale electronic devices perform both switches and amplifiers just like today's transistors. However, unlike today's MOSFETs, which operate based on the movement of masses of electrons in bulk semiconductor, the new devices take advantage of quantum mechanical phenomena that emerge on the nanometer scale, including the discreteness of electrons. There are several promising ideas to implement nanoelectronic devices. The most current ones are: resonant tunneling devices and single-electron-transistors. The fundamental physical principle of single-electron devices is the Coulomb-blockade resulting from the quantization of the elementary charge in insulated node of a double-junction structure. Resonant tunneling devices are based on electron transport via discrete energy levels in quantum-well structures. An introduction to this new field of electronic one can find in [6] and [7]. In this paper some more information are given concerning the quantum devices application in the logic circuits and systems. It is expected that in nanoelectronic systems the building blocks with an increased functionality with the extension of conventional Boolean gates, linear threshold networks, and multiple-valued logic will be used.