Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: hydrogen plasma

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Application of low-temperature low-pressure hydrogen plasma: treatment of artificially prepared corrosion layers

100%

Fojtíková P. , Řádková L. , Janová D. , Krčma F.

Open Chemistry

2015

tom 13

nr 1

The aim of this work is the application of low-temperature low-pressure hydrogen plasma on artificially prepared corrosion layers, so called plasma chemical reduction. It is necessary to use samples with artificially prepared corrosion layers because it is impossible to use the real artifacts for fundamental research. The bronze was chosen as a sample material. Formation of corrosion layers on the bronze samples was carried out in concentrated hydrochloric acid vapors with the addition of sand. The radio-frequency hydrogen plasma was generated in the flowing regime at a pressure of 160 Pa. Different values of supplied power were chosen as well as different discharge modes: continuous or pulsed mode with varied duty cycles. By the combination of supplied power and mode factors, we selected two values of effective power. The process of plasma chemical reduction was monitored by optical emission spectroscopy (OES) and simultaneously, the sample temperature was measured. Rotational temperatures were calculated from OH radicals spectra. Changes in the structure and elemental composition were determined using scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive X-ray analysis (EDX).

Interaction between pre-existing dislocations in silicon and hydrogen-induced defects introduced by plasma treatment

86%

Milchanin O. V. , Gaiduk P. I. , Komarov F. F.

Nukleonika

1999

tom Vol. 44, nr 2

175-180

Structural changes in semiconductors caused by hydrogen plasma treatment are the subject of great interest due to passivation of defect levels in the band gap. On the other hand, the reactions between extended and hydrogen-induced defects in silicon are of significant interest for the development of new defect engineering concepts. The experimental results of the interaction among hydrogen-related defects and extended imperfections (dislocations) obtained by ion implantation and annealing are presented in this paper.

Zmiany strukturalne w półprzewodnikach spowodowane obróbką w plazmie wodorowej są przedmiotem dużego zainteresowania z powodu efektu pasywacji poziomów defektowych w przerwie energetycznej. Ponadto oddziaływania między defektami już istniejącymi w krzemie i defektami wywołanymi wodorem są ważne dla rozwoju nowych koncepcji inżynierskich uwzględniających defekty. W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych oddziaływania między defektami związanymi z wodorem i uszkodzeniami (dyslokacjami) spowodowanymi implantacją jonową i wygrzewaniem próbek.