Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 11

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  vacancy
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Open Physics
|
2014
|
tom 12
|
nr 8
559-564
EN
The surface relaxation and the formation of a single vacancy in very thin Cu (001) film formed by 2 ∼ 14 atomic layers have been studied by using MAEAM and MD simulation. For the surface relaxtion, the highest surface energy is in the l = 2 atomic layers. The multilayer relaxation mainly occurs between the first two atomic layers, and the maximum contractive displacement is obtained in the very thin Cu (001) film formed by l = 3 atomic layers. For the vacancy formed in l′ = 1 of the very thin Cu (001) film formed by l = 2 ∼ 14 layers, the most difficult site in the film formed by l = 3 atomic layers.
2
100%
EN
The energy band structures and electron (hole) effective masses of perfect crystalline silicon and silicon with various vacancy defects are investigated by using the plane-wave pseudopotential method based on density functional theory. Our results show that the effect of monovacancy and divacancy on the energy band structure of crystalline silicon is primarily reflected in producing the gap states and the local states in valence band maximum. It also causes breaking the symmetry of energy bands resulting from the Jahn-Teller effect, while only producing the gap states for the crystalline silicon with hexavacancy ring. However, vacancy point defects could not essentially affect the effective masses that are derived from the native energy bands of crystalline silicon, except for the production of defect states. Simultaneously, the Jahn-Teller distortions only affect the gap states and the local states in valence band maximum, but do not change the symmetry of conduction band minimum and the nonlocal states in valence band maximum, thus the symmetry of the effective masses. In addition, we study the electron (hole) effective masses for the gap states and the local states in valence band maximum.
3
100%
EN
The interaction between H atoms and a Fe50Ni50 alloy containing vacancies was studied. The energy of the system was calculated by the atom superposition and electron delocalization molecular orbital (ASED-MO) method. The electronic structure was studied using the concept of density of states (DOS) and crystal orbital overlap population (COOP) curves. The minimum energy position for the H atom in the vacancy region was found at 1.32 A from the vacancy centre. The changes in the electronic structure of Fe and Ni atoms near the vacancies were analyzed. The interactions mainly involve Fe and Ni metal 4s and 4p atomic orbitals, the most important being the contribution of Fe orbitals. Fe-Fe, Fe-Ni and Ni-Ni bonds weakened as new Fe-H ones were formed. The effect of H atoms is limited to its first neighbours. The detrimental effect of H atoms on the metallic bonds can be related to the mechanism for H embrittlement.
EN
The C-Fe interaction in the (001) bcc Fe that contaning a vacancy was analyzed using a semiempirical theoretical method. A cluster model containing 125 atoms was used to simulate the local environment of the Fe vacancy. Carbon atoms were positioned in their local energy minima configurations. The most stable positions for the C atoms in the (001) bcc Fe were found at about 1.2 A from the vacancy centre and close to the first nearest-neighbour octahedral sites. Fe atoms surrounding the vacancy weaken their bond when C is present. This bond weakening is a consequence of the C-Fe bond formation. The Fe-C interactions occur mainly via Fe 4s orbitals with a lesser participation of Fe 4p and Fe 3d orbitals. The C-C interaction was also analyzed. For the C-C distance of 1.4 A, there is a possible bonding between the C atoms in the (001) bcc iron. The Fe-C interactions are stronger than the C-C interaction.
EN
In this study, a first-principles study using the spin-polarized density functional theory approach within corrected functional was carried out to investigate the electronic features of manganese oxide surfaces under three situations of (a) cation vacancy, (b) intercalation of multi- and univalent ions, and (c) adsorption of a water molecule upon the surface as catalytic performance. The possibility of obtaining the significant absolute magnetic momentum phases from native defects in orthorhombic structures of Mn_{2}O_{3} and Mn_{3}O_{4} (001) surface is explored, whereas Mn vacancy provides a transition from the insulating phase into a metal-like nature and modifies the electronic transport. Moreover, bandgap engineering via impurity intercalation has been explored. Ca^{+2} and Al^{+3} intercalations have manifested substantial attributes and explain the experimental results as efficient conducting system and catalytic activity. Furthermore, the adsorption of one water molecule and the most stable configuration, adsorption energies and electronic properties were thoroughly discussed. Accordingly, it was explored that H_{2}O: Mn_{2}O_{3} and Mn_{3}O_{4} exhibit suitable parameters as efficient catalytic synthesis.
EN
Zero-field muon spin relaxation experiments were carried out with Al-1.6%Mg2Si, Al-0.5%Mg, and Al-0.5%Si alloys. Observed relaxation spectra were compared with the calculated relaxation functions based on the Monte Carlo simulation to extract the dipolar width (Δ), trapping (νt), and detrapping rates (νd), with the initially trapped muon fraction (P0). The fitting analysis has elucidated that the muon trapping rates depended on the heat treatment and solute concentrations. The dissolved Mg in Al dominated the νt at lower temperatures below 120 K, therefore the similar temperature variations of νt were observed with the samples mixed with Mg. The νt around 200 K remarkably reflected the heat treatment effect on the samples, and the largest νt value was found with the sample annealed at 100°C among Al-1.6%Mg2Si alloys. The as-quenched Al-0.5%Si sample showed significant νt values between 80 and 280 K relating with Si-vacancy clusters, but such clusters disappeared with the natural aged Al-0.5%Si sample.
PL
Stopy Al-1,6%Mg2Si, Al-0,5%Mg i Al-0,5%S poddano badaniu relaksacji spinowej mionów w zerowym polu magnetycznym. Obserwowane widma relaksacyjne porównano z funkcjami relaksacji obliczonymi przy wykorzystaniu symulacji Monte Carlo w celu otrzymania informacji o szerokości dipolarnej Δ (ang. dipolar width) oraz szybkości uwięzienia νt (ang. trapping) i uwolnienia νd (ang. detrapping) z pierwotnie związaną frakcją mionów (P0). Z przeprowadzonej analizy wynika, że szybkość uwięzienia mionów zależy od zastosowanej uprzednio obróbki cieplnej oraz stężenia pierwiastków domieszki. W przypadku Mg rozpuszczonego w osnowie Al dominowała szybkość νt w temperaturach poniżej 120 K, dlatego też w próbkach domieszkowanych Mg obserwowano podobne odchylenia temperaturowe szybkości νt. Szybkość νt w temperaturze około 200 K doskonale ukazuje wpływ zastosowanej obróbki cieplnej na omawiane próbki, z których najwyższą wartość νt wykazały te wyżarzane w 100°C spośród stopów Al-1,6%Mg2Si. Próbka Al-0,5%Si wykazała znaczące wartości νt pomiędzy temperaturami 80 a 280 K wskazujące na aglomeracje wakancji Si, które jednak zanikają po naturalnym starzeniu stopu Al-0.5%Si.
7
Content available remote Physics of deformation and destruction of the surface layers of materials
75%
EN
In this report the kinetic model of diffuse-limited propagation of dislocation loops in conditions of periodical crystal compression is proposed. It is shown that vacancy satiety, which originates by crystal compression, results in creation of vacancy clusters and dislocation loops. Main factors were analyzed responsible for anomalous features of plastic tlow in the subsurface material layers from the viewpoint of structural-energy features of nucleation, multiplication and thermoactivated dislocation motion near the free surface of solids. Calculation and experiments have shown that stress of homogenous and heterogenous nucleation of dislocations near free surface as a rule is considerably lower than that for the crystal volume. It has been also shown that dislocation velocities and main thermoactivation parameters of their motion in crystal below and above macroscopic yield point considerably differ. Major reason have been analyzed being responsible for the phenomenon.
8
Content available remote Badanie wpływu struktury szkieł na czas życia pozytonów
63%
PL
W artykule przedstawiono technologię syntezy szkła tlenkowo-fluorkowego z układu SiO2-Al2O3-Na2O-LaF3-NaF–Yb2O3. Przy pomocy analizy termicznej DTA/DSC zbadano przebieg przemian fizykochemicznych zachodzących w trakcie ogrzewania szkła. Na drodze odpowiednio prowadzonej obróbki termicznej szkła tlenkowo-fluorkowego otrzymano materiał z nanokrystaliczną fazą fluorku lantanu rozproszoną w matrycy szklistej. Rodzaj fazy krystalicznej określono przy pomocy rentgenowskiej analizy fazowej (XRD). Nanokrystaliczną szkło-ceramikę poddano badaniu mikroskopowemu - SEM/EDS. Do określenia stopnia zdefektowania szkła, jak i otrzymanej w wyniku obróbki termicznej szkło-ceramiki, wykorzystano spektroskopię czasów życia pozytonów PALS. W wyniku przeprowadzonych badań i obliczeń widma czasów życia pozytonów, uzyskano wartości trzech składowych (τ) (τ1) para-pozyt, (τ3) orto-pozyt, (τ2) składowa średnio żyjąca) i ich natężeń. Na podstawie przeprowadzonej analizy stwierdzono, że uzyskane składowe czasów życia pozytonów odpowiadają za występowanie w badanym szkle wolnych objętości o rozmiarach większych niż dwukrotna średnica atomu wodoru oraz defektów atomowych typu wakans. W oparciu o zależność Tao-Eldrupa oszacowano rozmiary wolnych objętości.
EN
The oxyfluoride glass from the SiO2-Al2O3-Na2O-LaF3-NaF–Yb2O3 system is characterized. The DTA/DSC method is used to determine thermal stability of glass and crystalline phases formed upon heat treatment. It has been found that the nanocrystalline phases of LaF3 are formed upon the heat treatment of the oxyfluoride glasses in the ceramming temperature range. The kind of crystallizing phases was determined by XRD and SEM methods. A systematic study of positron annihilation in an amorphous glass and glass ceramic has been carried out. The experimental setup for the positron lifetime measurements consisted of a 22Na positron source. Results thus favour the idea that the lifetime (τ3) and intensity (I3) are indicators of the free volume in glass and glass-ceramic materials. The longer component lifetime (τ3) and its intensity (I3) are found to vary with the crystallinity of the sample. The size of free volume is estimated by Tao-Eldrup formula.
9
Content available remote Structure changes in thin metal films during their thermal treatment
63%
EN
Under pulsed thermal treatment of the films, grain growth takes place provided that the non-equilibrium vacancy concentration is high, thus stimulating the migration of grain boundaries.
PL
Przy poddaniu cienkich warstw obróbce termicznej impulsowej występuje rozrost ziaren pod warunkiem, że koncentracja wakansów nierównowagowych jest wysoka, stymulująca migrację granic ziaren.
EN
One of the basic issues of examination of process of interaction of two-component alloys is the study of the mass transfer process in the presence of dot flaws: internodal atoms and vacancies. The study of this process in real experiments is impossible; therefore it is reasonable to apply computer modelling. The authors present a model of Ni-Al bimetal diffusion process produced by the method of molecular dynamics.
PL
Jednym z podstawowych zagadnień analizy procesu interakcji stopów dwuskładnikowych jest badanie procesu wymiany masy w obecności defektów punktowych: atomów międzywęzłowych i wakansów. Badania tego procesu w rzeczywistych eksperymentach jest niemożliwe, dlatego uzasadnione jest zastosowanie modelowania komputerowego. Autorzy przedstawiają model procesu dyfuzji w bimetalu Ni-Al stworzony metodą dynamiki molekularnej.
11
Content available Wakat Stolicy Apostolskiej
44%
EN
The paper seeks to explain the situation of the vacancy of the Holy See caused by the death of the pope or his resignation until the election of a new pope. Starting from the analysis of the most important papal documents, especially by the Popes Pius XII, and Paul VI, and of the Constitution of John Paul II, which is currently in use regulating the issue of vacancy in a timely and comprehensive manner, the author discusses the evolution of the legal regulation of the vacancy. What especially matters is the issue of the power of the College of Cardinals to govern the Church during the vacancy, as well as the functioning of the various offices of the Roman Curia. The study leads to the following conclusions: the vacancy of the Apostolic See may occur as a result of the pope's death or resignation from his office. He cannot be deposed or removed from it. This is due to the fact that the pope has the highest office in the Church and there is not another competent person or authority above the pope. During the vacancy, the College of Cardinals handles current affairs, making decisions on two types of meetings: general and particular, while all important matters wait for the new pope. The novelty of the reform of Pope John Paul II is the rotation of Cardinals Assistants constituting a particular meeting.
PL
Autor w swoim opracowaniu przedstawił sytuację wakatu Stolicy Apostolskiej spowodowaną śmiercią papieża lub jego rezygnacją do momentu wyboru nowego papieża. Zobrazował omawiany okres poprzez analizę najważniejszych dokumentów papieskich: papieża Pisa XII, Pawła VI i obecnie obowiązującej Konstytucji Jana Pawła II, regulującej kwestię wakatu w sposób aktualny i kompleksowy. Poruszył też kwestię uprawnień kolegium kardynałów w zakresie kierowania Kościołem powszechnym podczas wakatu. Przedstawił również funkcjonowanie poszczególnych urzędów Kurii Rzymskiej, z rozróżnieniem na te, które pomimo wakatu funkcjonują nadal i na te, które w tym okresie przestają działać. Analiza porównawcza poszczególnych dokumentów papieskich doprowadziła do następujących wniosków: 1) wakat Stolicy Apostolskiej może nastąpić w wyniku śmierci papieża lub rezygnacji z pełnionego urzędu. Nie może on być pozbawiony urzędu ani z niego usunięty. Wynika to z faktu, że papież pełni w Kościele najwyższy urząd i że nie ma nad papieżem innej kompetentnej osoby lub urzędu. 2) W czasie wakatu kolegium kardynalskie wykonuje swoją władzę na dwojakiego rodzaju zebraniach: ogólnych i partykularnych. 3) Nowością reformy Jana Pawła II jest rotacja kardynałów asystentów wchodzących w skład zebrania partykularnego. 4) Należy też dodać, że chociaż reforma Jana Pawła II unormowana w konstytucji Universi Dominici gregis utrzymuje większość postanowień wydanych przez poprzedników to zarazem kontynuuje dzieło reformy centralnych instytucji Kościoła zarysowane w konstytucji Pastor Bonus i w nowym Kodeksie Prawa Kanonicznego.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.