Nowa wersja platformy jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
2015 | Vol. 33, No. 3 | 620--626
Tytuł artykułu

Temperature dependence of stress in CVD diamond films studied by Raman spectroscopy

Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Evolution of residual stress and its components with increasing temperature in chemical vapor deposited (CVD) diamond films has a crucial impact on their high temperature applications. In this work we investigated temperature dependence of stress in CVD diamond film deposited on Si(100) substrate in the temperature range of 30 degrees C to 480 degrees C by Raman mapping measurement. Raman shift of the characteristic diamond band peaked at 1332 cm(-1) was studied to evaluate the residual stress distribution at the diamond surface. A new approach was applied to calculate thermal stress evolution with increasing temperature by using two commonly known equations. Comparison of the results obtained from the two methods was presented. The intrinsic stress component was calculated from the difference between average values of residual and thermal stress and then its temperature dependence was discussed.
Słowa kluczowe
Wydawca

Rocznik
Strony
620--626
Opis fizyczny
Bibliogr. 21 poz., rys., tab.
Twórcy
  • Faculty of Technical Physics, Poznan University of Technology, Piotrowo 3, 60-965 Poznan, Poland
autor
  • Institute of Physics, Kazimierz Wielki University, Powsta´nc´ow Wielkopolskich 2, 85-090 Bydgoszcz, Poland
autor
  • Institute of Physics, Kazimierz Wielki University, Powsta´nc´ow Wielkopolskich 2, 85-090 Bydgoszcz, Poland
  • Faculty of Technical Physics, Poznan University of Technology, Piotrowo 3, 60-965 Poznan, Poland
Bibliografia
  • [1] SATO H., KASU M., Diam. Relat. Mater., 24 (2012), 99.
  • [2] DENISENKO A., KOHN E., Diam. Relat. Mater., 14 (2005), 491.
  • [3] TORZ-PIOTROWSKA R., FABISIAK K., PAPROCKI K., SZYBOWICZ M., STARYGA E., BANASZAK A., J. Phys. Chem. Solids, 72 (2011), 1225.
  • [4] MOSI´N SKA L., FABISIAK K., PAPOCKI K., KOWALSKA M., POPIELARSKI P., SZYBOWICZ M., Electrochim. Acta, 104 (2013), 481.
  • [5] FAN Q.H., GRACIO J., PEREIRA E., Diam. Relat. Mater., 9 (2000), 1739.
  • [6] WINDISCHMANN H., GRAY K.J., Diam. Relat. Mater., 4 (1995), 837.
  • [7] FABISIAK K., TORZ-PIOTROWSKA R., STARYGA E., SZYBOWICZ M., PAPROCKI K., BANASZAK A., POPIELARSKI P., Mater. Sci. Eng. B-Adv., 177 (2012), 1352.
  • [8] KGHT D.S., WHITE W.B., J. Mater. Res., 4 (2) (1989), 385.
  • [9] AGER J.W., DRORY M.D., Phys. Rev. B, 48 (1993), 2601.
  • [10] WOEHRL, N., HIRTE T., POSTH O., BUCK V., Diam. Relat. Mater., 18 (2009), 224
  • [11] LISCIA DI E.J., ´A LVAREZ F., BURGOS E., HALAC E.B., REINOSO M., Mater. Sci. Appl., 4 (2013), 191.
  • [12] GUILLEMENT T., XIE Z.Q., ZHOU Y.S., PARK J.B., VEILLERE A., XIONG W., HEINTZ J.M., SILVAIN J.F., CHANDRA N., LU Y.F., ACS Appl. Mater. Inter., 3 (2011), 4120.
  • [13] RALCHENKO V.G., SMOLIN A.A., PEREVERZEV V.G., OBRAZTSOVA E.D., KOROTOUSHENKO K.G., Diam. Relat. Mater., 4 (1995), 754.
  • [14] KLEMENS P.G., Phys. Rev., 148 (1996), 845.
  • [15] JEONG J.H., LEE S.Y., LEE W.S., BAIK Y.J., KWON D., Diam. Relat. Mater., 11 (2002), 1597.
  • [16] BRANDES E.A., Smithells Metals Reference Book, 6th Edition, London, 1983.
  • [17] SLACK G.A., BARTMAN S.F., J. Appl. Phys., 46 (1975) 89.
  • [18] XU F., ZUO D., LU W., WANG M., ZHANG H., Key Eng. Mat., 375 – 376 (2008), 123.
  • [19] LIU C., TANG D., Adv. Mat. Res., 139 – 141 (2010), 456.
  • [20] LIU Z., CHEN L., LIY C., HEI L., SONG J., CHEN G., TANG W., LV F., J. Mater. Sci. Technol., 26 (11) (2010), 991.
  • [21] WOEHRL N., BUCK V., Diam. Relat. Mater., 16 (4 – 7) (2007), 748.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-dac4cdf7-9f9e-4e30-9b92-7dcf49452a4e
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.