PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
2004 | R. XXV, nr 3 | 460-463
Tytuł artykułu

Microstructural characterization of the Si/Cu/X/Cu/Si (X=In, In-48 at.% Sn) interconnections obtained in diffusion soldering process

Warianty tytułu
PL
Charakterystyka mikrostruktury połączeń Si/Cu/X/Cu/Si (X=In, In-48 at.% Sn) uzyskanych w procesie lutowania dyfuzyjnego niskotemperaturowego
Konferencja
Advanced Materials and Technologies, AMT'2004 : XVII Physical Metallurgy and Materials Science Conference (XVII; 20-24.06.2004; Łódź, Polska)
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
The paper presents the potential of diffusion soldering process application to the production of thermally stable Si/Si joints designed for microelectronics devices. Pure copper was used for metallization while In and an In-48 at.% Sn alloy as solder interlayers (Fig. 1). The samples were annealed at 180 °C and 200 °C for In and the In-Sn interlayer, respectively. The investigation of interconnections was performed using transmission electron microscope equipped with an energy-dispersive X-ray spectrometer. The presence of two phases: eta(Cu2In) and ...(Cu7ln3) in the Cu/In/Cu joint was found (Fig. 2). The eta phase was also observed in the Cu/Sn-In/Cu samples. However, in the central part of the joint it was based on the Cu6(Sn,In)5 compound and with an increasing distance from the middle of the joint this phase was replaced by eta(Cu2(In,Sn)). In the region adjacent to the copper substrate two phases: ...(Cu10(Sn,In)3) and ...(Cu7In3) were detected (Fig. 3). The high melting point (~600 °C) of all the phases (eta, ...) guarantees the thermal stability of the resulting interconnections (Figs.4, 5).
PL
W pracy przedstawiono możliwości techniki lutowania dyfuzyjnego niskotemperaturowego w produkcji termicznie stabilnych złączy Si/Si stosowanych w przemyśle elektronicznym. Podczas tworzenia złączy przeprowadzono metalizację z czystą miedzią oraz zastosowano jako lutowie warstwę indu oraz stopu eutektycznego indu i cyny (Rys. 1). Próbki z warstwą indu oraz stopu In-Sn były wygrzewane w odpowiednich temperaturach 180 oraz 200 °C. Wykonano mikroanalizę składu chemicznego otrzymanego złącza wykorzystując transmisyjny mikroskop elektronowy wyposażony w spektrometr dyspersji energii promieniowania X (EDX). W złączu Cu/In/Cu obecne były dwie fazy międzymetaliczne eta(Cu2In) oraz ...(Cu7ln3) zaobserwowano również w połączeniach Cu/Sn-In Cu. Jednakże w centralnej części złącza istniała faza eta typu Cu6(Sn,In)5, a wraz ze wzrastającą odległością od środka złącza faza ta była zastępowana przez jej inną odmianę opartą na formule Cu2(In,Sn). W obszarze bliskim substratowi miedzi zaobserwowano dwie fazy ...(Cu10(Sn,In)3) oraz delta(Cu7In3) (Rys. 3). Wysokie topnienia (~600 °C) wszystkich trzech faz (eta ...) gwarantują termiczną stabilność uzyskanych połączeń (Rys. 4,5).
Wydawca

Rocznik
Strony
460-463
Opis fizyczny
Bibliogr. 13 poz., rys.
Twórcy
autor
autor
  • Polish Academy of Sciences, Institute of Metallurgy and Materials Science, Cracow
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPS2-0032-0099
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.