PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
2008 | T. 36, nr 4 | 149-156
Tytuł artykułu

Evaluation of electrical properties of Eu and Pd-doped titanium dioxide thin films deposited on silicon

Treść / Zawartość
Warianty tytułu
PL
Badanie właściwości elektrycznych cienkich warstw TiO2 domieszkowanych Eu I Pd naniesionych na podłoża krzemowe
Konferencja
International Conference of IMAPS - CPMP IEEE (32 ; 2008 ; Pułtusk, Polska)
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
In this work, investigations of electrical properties of Eu and Pd-doped TiO2 thin films have been outlined. Our previous studies [4, 6] of Eu and Pd-doped TiO2, have shown the nanocrystalline structure and high transparency in visible region (about 70%). Now, it has been shown that by incorporation of Pd and Eu dopants into TiO2 matrix, its properties can be modified so as to obtain simultaneously electrically and optically active oxide-semiconductor with specified type of electrical conduction at room temperature. Pd dopant changes the electrical properties of TiO2 from dielectric oxide to conducting oxide. Samples were examined by means of theromelectrical, current-voltage (I-V), transient photovoltage and optical beam induced current OBIC (Optical Beam Induced Current). I-V measurements showed formation of electrical junctions at the interface of semiconducting thin films of metal oxides and silicon substrate (TOS-Si). The presence of build-in potential has been confirmed by OBIC through created maps of photocurrent distribution generated in the active areas of prepared TOS-Si heterojunctions.
PL
W niniejszej pracy przedstawiono badanie właściwości elektrycznych cienkich warstw TiO2 domieszkowanych Eu i Pd. Pokazano, że wprowadzenie domieszki Eu i Pd do matrycy TiO2 modyfikuje jej właściwości, pozwala otrzymać cienkie warstwy elektrycznie i optycznie aktywne. Dodatkowo, wytworzone tlenki posiadają określony typ przewodnictwa elektrycznego w temperaturze pokojowej. Decydujący wpływ na właściwości elektryczne matrycy TiO2 miała domieszka Pd, która umożliwiła zmianę właściwości cienkich warstw dielektrycznych na półprzewodnikowe. Próbki badano za pomocą charakterystyk termoelektrycznych, charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) oraz metodą OBIC. Na podstawie pomiarów I-V zaobserwowano formowanie się złącza na granicy przezroczysty tlenek półprzewodnikowy-podłoże krzemowe (TOS-Si). Mapy rozkładu fotoprądu generowanego w obszarach aktywnych wytworzonego heterozłącza TOS-Si potwierdziły obecność potencjału wbudowanego.
Wydawca

Rocznik
Strony
149-156
Opis fizyczny
Bibliogr. 9 poz., rys., wykr.
Twórcy
autor
  • Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland, karolina.sieradzka@pwr.wroc.pl
Bibliografia
  • [1] Ohta H., Nomura K., Hiramatsu H., Ueda K., Kamiya T., Hirano M., Hosono H.: Frontier of transparent oxide semiconductors, Solid-State Electronics, 47, (2003), 2261-2267
  • [2] Galloway S.A., Edwards P.R., Durose K.: Characterisation of thin film CdS/CdTe solar cells using electron and optical beam induced curren, Solar Energy Materials and Solar Cells, 57, 1, (1999), 61-74
  • [3] Castaldini A., Cavallini A., Polenta L., Nava F., Canali C.: Physics Research, Section A Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 476, 3, (2002), 550-555
  • [4] Domaradzki J., Borkowska A., Kaczmarek D., Podhorodecki A., Misiewicz J.: Influence of post annealing on optical and structural properties of Eu and Pd-doped TiO2 thin films Optica Applicata XXXVII, 1-2, (2007), 52-56
  • [5] Domaradzki J., Borkowska A., Kaczmarek D.: VI International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM’06, Smolenice Castle, Slovakia, 16-18 October, IEEE, (2006), 67-70
  • [6] Borkowska A., Domaradzki J., Kaczmarek D.: Influence of Eu dopant on optical properties of TiO2 thin films fabricated by low pressure hot target reactive sputtering Optica Applicata XXXVII, 1-2, (2007), 117-122
  • [7] Domaradzki J., Kaczmarek D.: Optical beam injection methods as a tool for analysis of semiconductor structures, Optica Applicata XXXV, 1, (2005), 129-137
  • [8] Prociow E.L., Domaradzki J., Podhorodecki A., Borkowska A., Kaczmarek D., Misiewicz J.: Photoluminescence of Eu-moped TiO2 thin films prepared by low pressure hot target magnetron sputtering, Thin Solid Films, 515, (2007), 6344-6346
  • [9] Sieradzka K., Domaradzki J., Kaczmarek D.: Influence of Eu, Tb, Pd dopants on electric al and optical properties of nanostructured TiO2 thin films, VII International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM’08, Smolenice Castle, Slovakia, 16-18 October, IEEE, (2008), 243-246
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BAT5-0034-0023
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.