PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Czasopismo
2014 | 12 | 10 | 725-729
Tytuł artykułu

Flash memory cells data loss caused by total ionizing dose and heavy ions

Treść / Zawartość
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
The paper provides experimental results of flash memory loss data investigation. Possible mechanisms of charge loss from storage element are reviewed. We provide some guidelines for flash memory evaluation to space application.
Słowa kluczowe
Wydawca

Czasopismo
Rocznik
Tom
12
Numer
10
Strony
725-729
Opis fizyczny
Daty
wydano
2014-10-01
online
2014-08-16
Twórcy
  • National Research Nuclear University MEPhI, Kashirskoye shosse 31, Moscow, 115409, Russian Federation, agpet@spels.ru
  • National Research Nuclear University MEPhI, Kashirskoye shosse 31, Moscow, 115409, Russian Federation
  • National Research Nuclear University MEPhI, Kashirskoye shosse 31, Moscow, 115409, Russian Federation
  • National Research Nuclear University MEPhI, Kashirskoye shosse 31, Moscow, 115409, Russian Federation
  • National Research Nuclear University MEPhI, Kashirskoye shosse 31, Moscow, 115409, Russian Federation
Bibliografia
  • [1] S. Gerardin et al., IEEE T. Nucl. Sci. 60, 1953 (2013) http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2013.2254497[Crossref]
  • [2] D. N. Nguyen, S. M. Guertin, G. M. Swift, A. H. Johnston, IEEE T. Nucl. Sci. 46, 1744 (1999) http://dx.doi.org/10.1109/23.819148[Crossref]
  • [3] E. S. Snyder, P. J. McWhirter, T. A. Dellin, J. D. Sweetman, IEEE T. Nucl. Sci. 36, 2131 (1989) http://dx.doi.org/10.1109/23.45415[Crossref]
  • [4] M. Vujisic, K. Stankovic, E. Dolicanin, P. Osmokrovic, Radiat. Eff. Defect. S., 165,5, 362 (2010) http://dx.doi.org/10.1080/10420151003664747[Crossref]
  • [5] E. Dolicanin, Gamma ray effects on flash memory cell arrays, Nucl. Technol. Radiat. 27, 284 (2012) http://dx.doi.org/10.2298/NTRP1203284D[Crossref]
  • [6] G. Cellere, A. Paccagnella, A. Visconti, M. Bonanomi, A. Candelori, IEEE T. Nucl. Sci. 6, 3304 (2004) http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2004.839146[Crossref]
  • [7] N. Butt, M. Alam, Single Event Upsets in Floating Gate Memory Cells, Proc. Int. Reliab. Phys. Symp. (IRPS), Apr 2008, 547 (2008)
  • [8] A. I. Chumakov et al., Radiat. Meas. 30, 547 (1999) http://dx.doi.org/10.1016/S1350-4487(99)00227-9[Crossref]
  • [9] F. Irom, D. N. Nguyen, G. R. Allen, S. A. Zajac Scaling Effects in Highly Scaled Commercial Nonvolatile Flash Memories, IEEE Radiation Effects Data Workshop (REDW), 1 (IEEE, 2012)
  • [10] T. R. Oldham et al., TID and SEE response of advanced Samsung and Micron 4G NAND flash memories for the NASA MMS mission, IEEE Radiation Effects Data Workshop (REDW), Quebec, Canada, 114 (IEEE, 2009)
  • [11] G. Cellere, A. Paccagnella, L. Larcher, A. Chimenton, IEEE T. Nucl. Sci. 49, 547 (2002) http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2002.805339[Crossref]
  • [12] S. Gerardin, M. Bagatin, A. Paccagnella, A. Visconti, E. Greco, IEEE T. Nucl. Sci. 58, 827 (2011) http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2011.2122269[Crossref]
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.-psjd-doi-10_2478_s11534-014-0503-6
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.